【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的进一步发展，集成电路器件的尺寸越来越小，传统的鳍式场效应晶体管(FinFET)在进一步增大工作电流方面存在限制。具体的，由于鳍部中只有靠近顶部表面和侧壁的区域用来作为沟道区，使得鳍部中用于作为沟道区的体积较小，这对增大鳍式场效应晶体管的工作电流造成限制。因此，提出了一种环绕栅(gate-all-around，GAA)结构的场效应晶体管，使得用于作为沟道区的体积增加，进一步的增大了沟道栅极环绕结构鳍式场效应晶体管的工作电流，从而提高了半导体器件的性能。
[0003]然而，半导体器件的性能仍然需要改善。
技术实现思路
[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以提高半导体结构的性能。。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底表面的复合纳米线结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的复合纳米线结构，所述复合纳米线结构包括第一区、位于所述第一区上的第二区、以及在垂直于所述衬底表面方向上排列的若干第一纳米线和若干第二纳米线，所述若干第一纳米线位于所述第一区，所述若干第二纳米线位于所述第二区，若干所述第一纳米线之间、若干所述第二纳米线之间、相邻第一纳米线和第二纳米线之间以及所述衬底与第一纳米线之间具有间隙，并且，在所述第一纳米线沟道的延伸方向上，所述第一纳米线的宽度小于所述第二纳米线的宽度；位于所述衬底表面且位于所述复合纳米线结构两侧的源漏掺杂层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层包括覆盖所述第一区的第一源漏掺杂层，以及覆盖所述第二区的第二源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一离子，所述第二源漏掺杂层内具有第二离子，所述第一离子的导电类型与所述第二离子的导电类型相同。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一离子的浓度范围为5.0e20 atom/cm3～4.0e21atom/cm3；所述第二离子的浓度范围为2.0e21atom/cm3～8.0e21 atom/cm3，并且，所述第二离子的浓度大于所述第一离子的浓度。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二源漏掺杂层表面的电互连结构。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一纳米线的宽度与所述第二纳米线的宽度的比例范围为1/3至2/3。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一纳米线的宽度范围为1纳米至10纳米。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二纳米线的宽度范围为1纳米至15纳米。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底表面具有鳍部结构，所述复合纳米线结构位于所述鳍部结构顶部表面。9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成复合纳米线结构，所述复合纳米线结构包括第一区、位于所述第一区上的第二区、以及在垂直于所述衬底表面方向上排列的若干第一纳米线和若干第二纳米线，所述若干第一纳米线位于所述第一区，所述若干第二纳米线位于所述第二区，若干所述第一纳米线之间、若干所述第二纳米线之间、相邻第一纳米线和第二纳米线之间以及所述衬底与第一纳米线之间具有间隙，并且，在所述第一纳米线沟道的延伸方向上，所述第一纳米线的宽度小于所述第二纳米线的宽度；在形成所述复合纳米线结构之后，在所述衬底表面形成位于所述复合纳米线结构两侧的源漏掺杂层。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂层包括覆盖所述第一区的第一源漏掺杂层，以及覆盖所述第二区的第二源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层...
【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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