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IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)...
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