磁头及其生产方法和磁记录装置制造方法及图纸

在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于０．５μｍ。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在记录带上记录和(或)从记录带再生信号的磁头，此磁头在高饱和磁通量密度薄的磁性传导层间具有明显小的磁隙并且对小的记录磁道宽度具有小的磁隙纵向长度，本专利技术还涉及生产磁头的方法和具有多个其方位角互不相同的磁头的磁记录装置。JP-A-4-353607公开了一个生产磁头的方法，磁头内每一薄磁性传导层的一部分通过腐蚀或激光修整除去，此后薄磁性传导层间的位置关系被固定而在传导层间形成磁隙。JP-A-6-314411公开了一个生产磁头的方法，在薄磁性传导层间的位置关系被固定后通过腐蚀、激光束或放电加上将磁头内每一薄磁性传导层的一部分除去而确定传导层间磁隙的纵向长度。JP-A-7-134802公开了一个在引导芯端和尾随芯端间的位置关系，用于制止部分抹掉先前形成的记录磁道，即，与引导芯端比较，尾随芯端在先前形成的记录磁道中延伸得更深。本专利技术的一个目的是提供一种磁头和磁记录装置，优先用于制止先前生成的记录磁道的干扰而在邻近先前形成的记录磁道外生成一个新记录磁道。本专利技术的另一个目的是提供一种生产磁头的方法，优先用于正确地确定磁隙的纵向长度。依照本专利技术，一种通过在记录带上本文档来自技高网...

【技术保护点】
通过在记录带上形成记录磁道而记录磁性信号的磁头，包括：一对被激励磁性的磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部分、第二峰部分和第一与第二峰部分之间的端部分，而另一个磁芯包括第三峰部分、第四峰部分和第三与第四峰部分之间的另一个端部分，第一和第三峰部 分是彼此相对的，第二和第四峰部分是彼此相对的，端部分和另一个端部分是彼此相对的；高饱和磁通量密度层各自配置在磁芯上以便一个高饱和磁通量密度层至少覆盖在端部分上而另一个高饱和磁通量密度层至少覆盖在另一个端部分上，并且高饱和磁通量密度层的饱 和磁通量密度高于磁芯上的饱和磁通量密度；和在端部分和另一个端部分上的高饱和磁通量密度层之间的磁隙，用于局部地磁化...

【技术特征摘要】
JP 1995-9-1 225161/951.通过在记录带上形成记录磁道而记录磁性信号的磁头，包括一对被激励磁性的磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部分、第二峰部分和第一与第二峰部分之间的端部分，而另一个磁芯包括第三峰部分、第四峰部分和第三与第四峰部分之间的另一个端部分，第一和第三峰部分是彼此相对的，第二和第四峰部分是彼此相对的，端部分和另一个端部分是彼此相对的；高饱和磁通量密度层各自配置在磁芯上以便一个高饱和磁通量密度层至少覆盖在端部分上而另一个高饱和磁通量密度层至少覆盖在另一个端部分上，并且高饱和磁通量密度层的饱和磁通量密度高于磁芯上的饱和磁通量密度；和在端部分和另一个端部分上的高饱和磁通量密度层之间的磁隙，用于局部地磁化记录带；其特征是，至少覆盖在第一、第二、第三和第四峰部分之一的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。2.依照权利要求1的磁头，其特征是在第一、第二、第三和第四峰部分中另一个部分上的高饱和磁通量密度层的厚度小于0.5μm。3.依照权利要求1的磁头，其特征是在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm而在第三峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度少于0.5μm。4.依照权利要求1的磁头，其特征是在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止少于0.5μm而至少在第二和第四峰部分之一上的高饱和磁通量密度层的厚度小于0.5μm。5.依照权利要求1的磁头，其特征是在第一峰部分上的高饱和磁通量密度的厚度防止小于0.5μm而在第三峰部分上的高饱和磁通量密度层被中断。6.依照权利要求1的磁头，其特征是在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm而至少在第二和第四峰部分之一上的高饱和磁通量密度层被中断。7.依照权利要求1的磁头，其特征是在端部分和另一个端部分上的每个高饱和磁通量密度层的厚度是1到30μm。8.依照权利要求1的磁头，其特征是第一峰部分与先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道宽度方向上比第二峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，并且在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。9.依照权利要求1的磁头，其特征是一个磁芯在磁头前进方向上相对于记录带是前磁芯，另一个磁芯在磁头前进方向上是后磁芯，第一峰部分与先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道宽度方向上比第二峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。10.依照权利要求1的磁头，其特征是第一峰部分与先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道宽度方向上比第二峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，第一峰部分和先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道宽度方向上比第三峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，并且在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。11.依照权利要求1的磁头，其特征是一个磁芯在磁头前进方向上相对于记录带是前磁芯，另一个磁芯在磁头前进方向上是后磁芯，第一峰部分与先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道的宽度方向上比第二峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，第一峰部分与先前形成的记录磁道间的距离在记录磁道宽度方向上比第三峰部分与先前形成的记录磁道间的距离小，并且在第一峰部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。12.依照权利要求1的磁头，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：高井繁好，酒井典夫，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]