一种单晶炉副室清理装置及清理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。本发明专利技术还提供一种单晶炉副室清理方法。本发明专利技术提出的清理装置，结构简单且易于控制，可连续全面地清洁副室内壁，无遗漏，清洁质量好且清洁效果一致，清洗液利用率高。清洗液利用率高。清洗液利用率高。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉副室清理装置及清理方法


[0001]本专利技术属于单晶炉设备清理
，尤其是涉及一种单晶炉副室清理装置及清理方法。

技术介绍

[0002]在单晶拉制过程中，单晶炉炉体内壁的洁净度是影响晶体成晶的关键因素之一。单晶炉中主室主要用于硅料的加热反应，在主室中形成的晶体通过置于副室中的提升装置被向上提拉。在拉制过程中，氩气从副室中通过流入到主室中，氩气携带着反应的挥发物顺着副室向下运动，挥发物的残留物沿炉膛内壁沉积，这些残渣灰尘若不及时清理，会在拉晶过程中落入主室中的硅料中，污染硅液纯度，严重影响晶体成晶质量。对于单晶炉主室，其开口直径较大易于清理；而对于单晶炉副室为圆筒状结构，高度狭长，副室直径约30-40cm，炉膛纵深约3-5m，高于底面2-5m设置，在清理过程中，清理操作困难，且在清理过程中不易观察副室内壁情况。
[0003]中国公开专利：CN209779039U一种单晶炉副室清洁器，提出若干组间隔设置的清洁刷，刷头在副室内无法全接触副室内壁，容易导致漏刷，尤其是对于长度较长的副室而言，需要多次去除刷头来进行清理，不能连续清理副室。
[0004]中国公开专利：CN206736403U一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置，提出独立设置的各种不同形状的弹性清洁刷，但类似这种结构的清洁刷受副室内壁挤压而变形，使得清洁效果不一致，且这种间隔设置的清洁刷也不能与副室内壁全接触，也容易出现漏刷的现象，导致清洗效果差。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题是提供一种单晶炉副室清理装置及清理方法，尤其适合直拉单晶炉副室的清洁，解决了现有技术中清洁效果差，容易出现漏刷且清洗效果不一致的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0007]一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。
[0008]进一步的，所述架体上端面为开口设置，下端面为台面，所述台面高度小于所述架体高度的1/3且大于所述架体高度的1/5，且所述台面的母线角度不小于120
°
且不大于160
°
。
[0009]进一步的，所述台面大径端面与所述架体内侧壁下端面连接，所述台面小径端面靠近所述架体上端面一侧设置。
[0010]进一步的，在所述架体内侧壁靠近所述架体上端面和靠近所述架体下端面分别设
有环状凸缘，所述凸缘垂直于所述架体轴线设置；置于所述架体下端一侧的所述凸缘位于所述台面大径面下方。
[0011]进一步的，在靠近所述台面一侧的所述凸缘下方还设有支撑面，所述支撑面为环形镂空结构。
[0012]进一步的，所述清理装置还包括可伸缩的支架，所述支架上端面与所述架体下端面连接，所述支架通过外设气泵控制；所述支架为管状结构。
[0013]进一步的，用于输送所述清洗液的软管贯穿所述支架内侧，并从所述台面小径端面中心向上设置；在所述软管上端设有喷头，所述清洗液通过所述喷头向所述清洁件四周喷射；所述软管下端与用于放置所述清洗液的储存器连通。
[0014]一种单晶炉副室清理方法，采用如上任一项所述的清理装置，从所述架体内侧向置于所述架体外壁的所述清洁件提供所述清洗液，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触并可连续清洁所述副室。
[0015]进一步的，所述支架带动所述架体和所述清洁件沿所述副室轴线竖直上下移动。
[0016]进一步的，所述清洗液为无水乙醇。
[0017]与现有技术相比，采用上述技术方案，结构简单且易于控制，可连续全面地清洁副室内壁，无遗漏，清洁质量好且清洁效果一致，清洗液利用率高。
附图说明
[0018]图1是本专利技术一实施例的一种单晶炉副室清理装置的结构示意图；
[0019]图2是本专利技术一实施例的架体的结构示意图；
[0020]图3是本专利技术一实施例的支撑面的结构示意图。
[0021]图中：
[0022]10、架体
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11、台面
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12、围栏
[0023]13、环件
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14、竖件
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15、凸缘
[0024]16、支撑面
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20、清洁件
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30、支架
[0025]40、气泵
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50、软管
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60、喷头
[0026]70、储存器
具体实施方式
[0027]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0028]本实施例提出一种单晶炉副室清理装置，如图1所示，包括与副室内壁相适配的架体10，在架体10的外壁设有清洁件20，架体10的外壁沿其高度方向被清洁件20全覆盖。从架体10的内侧向清洁件20提供清洗液，清洁件20与副室内壁周缘全接触，清洁件20沿副室轴线方向竖直上下移动并可连续清洁副室。
[0029]具体地，如图2所示，架体10为环形结构，其外径与副室内壁之间有间隙，间隙至少可容纳清洁件20的最大厚度，在本实施例中，清洁件20为纤维纸或泡沫的任一种，遇水即可被浸渍，且与副室内壁接触后清洗操作方便，柔性的清洁件20与副室内壁周缘全接触，通过与架体10外缘的配合一起可确保清洗无死角。架体10的高度为100-200mm，架体10的上端面为开口设置，下端面为圆形台面11结构。因架体10端面直径较大，大约在30-35cm左右，架体
10的高度若超过200mm，会使其本身重量较大，导致需要对其支撑的支架30较粗，使得支架30无法在副室中放置，而且对于体积较大的架体10越靠近副室顶部清洗，其离心的重力越大，导致其更不稳定，严重影响清洗安全；若架体10的高度小于100mm，使得架体10带动清洁件20清洗副室内壁时会出现变形，容易发生漏刷现象。故，优选地，架体10的高度在100-200mm范围内，不仅有稳固地的框架结构，而且还能保证清洁件20平稳且安全地与副室内壁接触，使得清洗效果一致性良好，清洗质量好。
[0030]进一步的，台面11的大径端面与架体10内侧壁下端面一体连接，台面11的小径端面靠近架体10上端面的一侧设置，也即是架体10的下端面为向上凸起的圆型平面，且台面11母线的角度θ不小于120
°
且不大于160
°
。圆形台面11的设置使得架体10的下端面为实体面，不仅可收集清洗过程中的灰尘和杂质，而且从台面11上端面贯穿设置的喷头60向清洁件20喷出的多余的清洗液可以被收集，台面11的母线角度θ不小于120...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，所述架体上端面为开口设置；下端面为台面，所述台面高度小于所述架体高度的1/3且大于所述架体高度的1/5，且所述台面的母线角度不小于120
°
且不大于160
°
。3.根据权利要求2所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，所述台面大径端面与所述架体内侧壁下端面连接，所述台面小径端面靠近所述架体上端面一侧设置。4.根据权利要求3所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，在所述架体内侧壁靠近所述架体上端面和靠近所述架体下端面分别设有环状凸缘，所述凸缘垂直于所述架体轴线设置；置于所述架体下端面一侧的所述凸缘位于所述台面大径面下方。5.根据权利要求4所述的一种单晶炉副...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴树飞，王林，高润飞，谷守伟，王建平，周泽，杨志，赵国伟，刘振宇，郝瑞军，刘学，皇甫亚楠，杨瑞峰，郭志荣，钟旭，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：