一种供电电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种供电电路，包括，第一供电支路和以及与所述第一供电支路联动的第二供电支路；所述第一供电支路包括：第一分压电阻，一端形成所述第一供电支路的输入端；第二分压电阻，所述第二分压电阻的一端连接所述第一分压电阻的另一端，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的连接端形成第一分压支点；所述第二分压电阻的另一端接地；第二三极管，基极通过第四电阻连接所述第一分压支点，发射极接地；第一开关支路，控制端连接所述第二三极管的集电极；输入端连接所述第一供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端。输出端形成所述供电电路的输出端。输出端形成所述供电电路的输出端。

【技术实现步骤摘要】
一种供电电路


[0001]本技术涉及一种电源供电
，具有涉及一种供电电路。

技术介绍

[0002]在给通信设备供电时，为了保证供电稳定可靠，通常使用冗余电源供电系统，如图1所示，此种设计需要对两路或多路电源同时供电进行合路处理。通常会采用进口集成芯片对两路或多路电源做合路处理，通过一集成芯片对两路电源电路做联动控制处理，驱动MOSFET 以实现输入电路的切换及控制。但这个方案存在的缺点在于，集成芯片价格相对较高，另外国外技术封锁时还存在芯片断供的风险。

技术实现思路

[0003]基于上述缺点，本技术提供一种成本低廉的供电电路。具体地：
[0004]一种供电电路，其中：包括，第一供电支路和第二供电支路；
[0005]所述第一供电支路包括：
[0006]第一分压电阻，一端形成所述第一供电支路的输入端；
[0007]第二分压电阻，所述第二分压电阻的一端连接所述第一分压电阻的另一端，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的连接端形成第一分压支点；所述第二分压电阻的另一端接地；
[0008]第二三极管，基极通过第四电阻连接所述第一分压支点，发射极接地；
[0009]第一开关支路，控制端连接所述第二三极管的集电极；输入端连接所述第一供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端；
[0010]第二供电支路包括：
[0011]第八分压电阻，一端形成所述第二供电支路的输入端；
[0012]第九分压电阻，所述第九分压电阻的一端连接所述第八分压电阻的另一端，所述第九分压电阻与所述第八分压电阻的连接端形成第二分压支点；所述第九分压电阻的另一端接地；
[0013]第四三极管，基极通过第十四电阻连接所述第二分压支点，发射极接地；
[0014]第二开关支路，控制端连接所述第四三极管的集电极；输入端连接所述第二供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端。
[0015]优选地，上述的一种供电电路，其中：所述第一开关支路包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS 管的栅极相连以形成所述第一开关支路的控制端；
[0016]所述第一MOS管的漏极连接所述第一供电支路的输入端，源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏极形成所述供电电路的输出端。
[0017]优选地，上述的一种供电电路，其中：所述第一MOS管的栅极通过第五电阻连接所述第二三极管的集电极；所述第二MOS管的栅极通过第七电阻连接所述第二三极管的集电
极；所述第一MOS管的源极通过第六电阻连接所述第二三极管的集电极。
[0018]优选地，上述的一种供电电路，其中：还包括第一三极管，所述第一三极管的集电极连接所述第一分压支点；基极通过第三电阻连接所述第二分压支点；发射极接地。
[0019]优选地，上述的一种供电电路，其中：所述第二开关支路包括第三MOS管和第四MOS管；所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS 管的栅极相连以形成所述第二开关支路的控制端；
[0020]所述第三MOS管的漏极连接所述第二供电支路的输入端，源极连接所述第四MOS管的漏极，所述第四MOS管的漏极形成所述供电电路的输出端。
[0021]优选地，上述的一种供电电路，其中：所述第三MOS管的栅极通过第十一电阻连接所述第四三极管的集电极；所述第四MOS管的栅极通过第十三电阻连接所述第四三极管的集电极；所述第三MOS管的源极通过第十二电阻连接所述第四三极管的集电极。
[0022]优选地，上述的一种供电电路，其中：还包括第三三极管，所述第三三极管的集电极连接所述第二分压支点；基极通过第十电阻连接所述第一分压支点；发射极接地。
[0023]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0024]使用三极管和MOS管组合搭配方式实现电源合路功能；默认模式为先供电通道优先，如果需要固定优先顺序，则可以通过选择安装部分器件实现，也可以通过增加切换开关等更灵活方法实现，成本较低。
附图说明
[0025]图1为现有的一种双路输入电源电路结构示意图；
[0026]图2为本技术提供的一种供电电路结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]如图2所示，一种供电电路，其中：包括，第一供电支路和第二供电支路；
[0029]所述第一供电支路包括：
[0030]第一分压电阻，一端形成所述第一供电支路的输入端；
[0031]第二分压电阻，所述第二分压电阻的一端连接所述第一分压电阻的另一端，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的连接端形成第一分压支点；所述第二分压电阻的另一端接地；
[0032]第二三极管，基极通过第四电阻连接所述第一分压支点，发射极接地；
[0033]第一开关支路，控制端连接所述第二三极管的集电极；输入端连接所述第一供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端；
[0034]第二供电支路包括：
[0035]第八分压电阻，一端形成所述第二供电支路的输入端；
[0036]第九分压电阻，所述第九分压电阻的一端连接所述第八分压电阻的另一端，所述
第九分压电阻与所述第八分压电阻的连接端形成第二分压支点；所述第九分压电阻的另一端接地；
[0037]第四三极管，基极通过第十四电阻连接所述第二分压支点，发射极接地；
[0038]第二开关支路，控制端连接所述第四三极管的集电极；输入端连接所述第二供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端。
[0039]进一步地，所述第一开关支路包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连以形成所述第一开关支路的控制端；
[0040]所述第一MOS管的漏极连接所述第一供电支路的输入端，源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏极形成所述供电电路的输出端。
[0041]进一步地，所述第一MOS管的栅极通过第五电阻连接所述第二三极管的集电极；所述第二MOS管的栅极通过第七电阻连接所述第二三极管的集电极；所述第一MOS管的源极通过第六电阻连接所述第二三极管的集电极。
[0042]进一步地，上述的一种供电电路，其中：还包括第一三极管，所述第一三极管的集电极连接所述第一分压支点；基极通过第三电阻连接所述第二分压支点；发射极接地。
[0043]进一步地，所述第二开关支路包括第三MOS管和第四MOS管；所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极相连以形成所述第二开关支路的控制端；
[0044]所述第三MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，其特征在于：包括，第一供电支路和第二供电支路；所述第一供电支路包括：第一分压电阻，一端形成所述第一供电支路的输入端；第二分压电阻，所述第二分压电阻的一端连接所述第一分压电阻的另一端，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的连接端形成第一分压支点；所述第二分压电阻的另一端接地；第二三极管，基极通过第四电阻连接所述第一分压支点，发射极接地；第一开关支路，控制端连接所述第二三极管的集电极；输入端连接所述第一供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端；第二供电支路包括：第八分压电阻，一端形成所述第二供电支路的输入端；第九分压电阻，所述第九分压电阻的一端连接所述第八分压电阻的另一端，所述第九分压电阻与所述第八分压电阻的连接端形成第二分压支点；所述第九分压电阻的另一端接地；第四三极管，基极通过第十四电阻连接所述第二分压支点，发射极接地；第二开关支路，控制端连接所述第四三极管的集电极；输入端连接所述第二供电支路的输入端，输出端形成所述供电电路的输出端。2.根据权利要求1所述的一种供电电路，其特征在于：所述第一开关支路包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连以形成所述第一开关支路的控制端；所述第一MOS管的漏极连接所述第一供电支路的输入端，源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹锰毅，
申请(专利权)人：上海剑桥科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：