磁隧道效应型磁头和记录器/播放器制造技术

在具有与导电间隙层２５和２７一起夹在一对磁屏蔽层２４和２８之间的磁隧道连接元件２６的磁隧道效应型磁头２０中，导电间隙层２５和２７由至少一层包含选自Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ和Ｚｒ的金属元素的非磁性金属层形成。所以，能改善磁头２０的与磁记录介质相对的面。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头，磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间，还涉及适于利用磁隧道效应型磁头向磁记录介质记录信号和/或从磁记录介质回放信号的记录器/播放器。
技术介绍
众所周知，在层叠结构中所谓的磁隧道效应具有夹在一对磁层之间的薄绝缘层，当在该对磁层之间施加预定电压时，所谓的隧道电流的电导变化取决于该对磁层之间相对的磁化角度。即，具有夹在该对磁层之间的薄绝缘层的层叠结构对流过绝缘层的隧道电流呈现出磁阻效应。根据磁隧道效应，由于被磁化时磁层的极化性，理论上能计算出该对磁层之间的磁阻系数或比值，具体地说，在该对磁层由Fe形成时，磁阻系数或比值约为40％。因此，作为磁阻效应元件，具有夹在一对磁层之间的薄绝缘层的层叠结构的磁隧道连接元件(下面称为“TMR”)在该领域中一直在吸引着人们的注意力。特别在磁头领域中，人们把注意力集中在所谓的磁隧道效应型磁头上(下面称为“TMR磁头”)，该种磁头用TMR元件作为磁敏元件，检测来自磁记录介质的磁信号。现在参见图1，举例示出了传统的TMR磁头。图1是从记录介质侧看的TMR磁头的示意性端视图。TMR磁头由参见数字100总体表示。如图1所示，TMR磁头100是所谓的具有TMR元件104的屏蔽TMR磁头，TMR元件104与间隙层103一起夹在一对上下磁屏蔽层101和102之间。TMR磁头100是层叠结构的，其中，上面的组成元件通过薄膜层叠工艺形成在基片105上。在TMR磁头100中，该对磁屏蔽层101和102用作TMR元件104的电极。在该对磁屏蔽层101和102之间夹有间隙层103的非磁性导电层106和107，使该对磁屏蔽层101和102与TMR元件104彼此电连接。而且，在TMR磁头100中，邻接非磁性导电层107的突起107a的TMR元件104的一部分用作TMR元件104的磁性传感部分104a。磁性传感部分104a的读出磁道宽度为Tw。参见图2，举例示出了传统的屏蔽MR(磁阻)磁头。图2是从记录介质侧看的MR磁头的示意性端视图。MR磁头由参见数字200总体表示。如图2所示，MR磁头200具有MR元件204和一对形成在MR元件204两端的上下导电层205和206，与间隙层203一起夹在一对上下磁屏蔽层201和202之间。MR磁头200是层叠结构的，其中以上组成元件通过薄膜形成工艺形成在基片207上。在MR磁头200中，放在该对导电层205和206之间的部分MR元件204用作MR元件204的磁性传感部分204a。磁性传感部分204a的读出磁道宽度为Tw。在屏蔽MR磁头200中，由于为了达到更高的记录密度而减小间隙，形成间隙层203的非磁性非导电层更薄了。具体地说，因为将该对导电层205和206放置在MR元件两端的形成步骤，难以在MR元件204上形成厚度均匀的上非磁性非导电层。在该对磁屏蔽层201和202与MR元件204之间的距离即内部屏蔽距离因要读出高密度记录在磁记录介质中的信号的缘故而减小，因此极难保证该对磁屏蔽层201和202与MR元件204之间的绝缘。相反，在图1所示的TMR磁头100中，那对磁屏蔽层101和102用作电极，使得可以将间隙层103作薄，由此能减小那对磁屏蔽层101和102与TMR元件104之间的距离。所以，在TMR磁头100中，能将间隙作窄，从而能高密度地记录到磁记录介质中。为了产生上述TMR磁头100，准备大体盘形基片，通过薄膜形成工艺在基片上一个一个地形成TMR磁头100的组成元件，之后，将基片切成独立的磁头片，从而一块生产多个TMR磁头100。但是，在生产TMR磁头100的过程中，与间隙层103一起形成的非磁性导电层106和107在未抛光的情况下被拉长，当通过在面板上对其进行抛光来调整其深度方向上TMR元件104的高度时，使得夹住TMR元件104的那对磁屏蔽层101和102之间可能会电短路。即，在图3所示的某些情况下，由于拉长了非磁性导电层106和107，在生产出的TMR磁头100的中间相对的面上产生缺陷108。在由此生产出的TMR磁头100中，电流不流过TMR元件104的磁性传感部分104a，从磁记录介质中几乎检测不到回放输出。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是为了克服现有技术的上述缺陷，即通过提供一种产量提高的、高质量的磁隧道效应型磁头，在所述磁头的结构中，磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间，由此改善与磁记录介质相对的面，以及通过一种利用这种MR磁头向和/或从磁性记录介质记录和/或回放信号的记录器/播放器。以上目的是通过一种具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头来实现的，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间。导电间隙层由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成。由于在上述磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成，因此磁头的与磁记录介质相对的面能得到改善。此外，上述目的通过一种具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头来实现的，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间。导电间隙层由至少一层包含选自Al、Pt、Cu、Au、Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的两种或两种以上元素的合金的非磁性金属层形成。由于在上述磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Al、Pt、Cu、Au、Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的两种或两种以上元素的合金的非磁性金属层形成，因此磁头的与磁记录介质相对的面能得到改善。此外，上述目的通过一种记录器/播放器来实现，该记录器/播放器利用具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头向和/或从磁记录介质记录和/或回放信号，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间。磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成。所以，记录器/播放器能向和/或从磁记录介质记录和/或回放信号。由于在上述记录器/播放器中使用的磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成，因此磁头的与磁记录介质相对的面能得到改善。此外，上述目的通过一种记录器/播放器来实现，该记录器/播放器利用具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头向和/或从磁记录介质记录和/或回放信号，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间。磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Al、Pt、Cu、Au、Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的两种或两种以上元素的合金的非磁性金属层形成。由于在上述记录器/播放器中使用的磁隧道效应型磁头中的导电间隙层由至少一层包含选自Al、Pt、Cu、Au、Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的两种或两种以上元素的合金的非磁性金属层形成，因此磁头的与磁记录介质相对的面能得到改善。所以，记录器/播放器能向和/或从磁记录介质记录和/或回放信号。通过以下结合附图对本专利技术最佳实施例的详细说明可以使本专利技术的这些以及其他目的、特征和优点变得更清楚。附图说明图1是从与记录本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间，其中，导电间隙层由至少一层包含选自Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ和Ｚｒ的金属元素的非磁性金属层形成。

【技术特征摘要】
JP 2000-7-6 205926/20001.一种具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间，其中，导电间隙层由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成。2.根据权利要求1所述的磁隧道效应型磁头，其中，导电间隙层由至少两层非磁性金属层形成，所述两层非磁性金属层包括包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的金属层，和包含选自Al、Pt、Cu和Au的金属元素的金属层。3.一种具有磁隧道连接元件的磁隧道效应型磁头，所述磁隧道连接元件与导电间隙层一起夹在一对磁屏蔽层之间，其中，导电间隙层由至少一层包含选自Al、Pt、Cu、Au、Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的两种或两种以上元素的合金的非磁性金属层形成。4.一种记...

【专利技术属性】
技术研发人员：中盐荣治，尾上精二，菅原淳一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]