【技术实现步骤摘要】
竖直存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月20日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10
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2020
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0047395的优先权,其全部主题内容据此通过引用并入。
[0003]本专利技术构思总体上涉及半导体存储器件。更具体地,本专利技术构思涉及竖直存储器件。
技术介绍
[0004]在制造竖直NAND(或VNAND)闪存器件的某些方法中,随着沿竖直方向堆叠的栅电极数量的增加,可以通过将模制层划分为下模制层和上模制层来形成用于形成栅电极的模制层。为了形成穿过下模制层和上模制层延伸的沟道,可以穿过下模制层形成下沟道孔,并且可以形成牺牲图案以分别填充下沟道孔。当在下模制层上形成上模制层之后,可以穿过模制层的上部形成用于沿一方向延伸的SSL切割孔,并且可以形成划分图案以填充所述SSL切割孔。可以穿过上模制层形成上沟道孔,以分别显露牺牲图案,并且可以去除所显露的牺牲图案。当所显露的牺牲图案被去除时,所述划分图案的一部分也可以被去除,因此相邻的沟道孔可以彼此连接。因此,相邻的沟道孔中的沟道和/或电荷存储结构可以彼此连接。
技术实现思路
[0005]专利技术构思的实施例提供表现出改进的性能特性的竖直存储器件。
[0006]根据本专利技术构思的一方面,提供了一种竖直存储器,包括:栅电极结构,在衬底上并且包括在第一方向上间隔开的栅电极,沟道,穿过所述栅电极结构延伸并且包括所述衬底上的第一部分和接触所述第一部 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种竖直存储器件,包括:栅电极结构,在衬底上并且包括在第一方向上间隔开的栅电极;沟道,延伸穿过所述栅电极结构并且包括所述衬底上的第一部分和接触所述第一部分的第二部分,其中,所述第二部分包括具有比所述第一部分的上表面的宽度小的宽度的下表面;电荷存储结构,覆盖所述沟道中的每个沟道的外侧壁;以及划分图案,在所述沟道之间沿第二方向延伸,其中,所述划分图案包括第一虚设沟道和覆盖所述第一虚设沟道的侧壁和下表面的第一虚设电荷存储结构,其中,所述第一虚设沟道包括与所述沟道中的每个沟道实质上相同的材料,并且所述第一虚设电荷存储结构包括与所述电荷存储结构实质上相同的材料。2.根据权利要求1所述的竖直存储器件,其中,所述沟道中的每一个和所述第一虚设沟道包括多晶硅,并且所述电荷存储结构和所述第一虚设电荷存储结构中的每一个包括依次堆叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层。3.根据权利要求1所述的竖直存储器件,其中,所述沟道中的每个沟道具有类似杯子的形状并且所述第一虚设沟道具有柱形状,并且所述竖直存储器件还包括第一填充图案,所述第一填充图案在由所述沟道中的每个沟道的内壁形成的空间中并且接触所述电荷存储结构的内壁。4.根据权利要求3所述的竖直存储器件,其中,所述划分图案在第三方向上的宽度小于包括所述沟道中的每个沟道在内的结构在所述第三方向上的宽度。5.根据权利要求1所述的竖直存储器件,还包括:第二虚设沟道,延伸穿过所述栅电极结构并且包括所述衬底上的第三部分、接触所述第三部分的第四部分,其中,所述第四部分包括具有比所述第三部分的上表面的宽度小的宽度的下表面;以及第二虚设电荷存储结构,覆盖所述第二虚设沟道的外侧壁,其中,所述第一虚设沟道接触所述第二虚设沟道的外上侧壁,并且所述第一虚设电荷存储结构接触所述第二虚设电荷存储结构的外上侧壁。6.根据权利要求5所述的竖直存储器件,其中,所述第二虚设沟道是沿所述第二方向间隔开的第二虚设沟道中的一个,并且所述第二虚设电荷存储结构是沿所述第二方向间隔开的第二虚设电荷存储结构中的一个,并且所述第一虚设沟道沿所述第二方向在所述第二虚设沟道之间延伸,并且所述第一虚设电荷存储结构沿所述第二方向在所述第二虚设电荷存储结构之间延伸。7.根据权利要求5所述的竖直存储器件,其中,所述第二虚设沟道的最下表面低于所述沟道中的一个沟道的最下表面。8.根据权利要求5所述的竖直存储器件,其中,所述电荷存储结构包括上部和下部,其中,该上部覆盖所述沟道中的一个沟道的外侧壁,并且该下部覆盖所述沟道中的一个沟道的下表面,所述第二虚设电荷存储结构包括上部和下部,其中,该上部覆盖所述第二虚设沟道的外侧壁,并且该下部覆盖所述第二虚设沟道的下表面,并且
所述第二虚设电荷存储结构的最下表面低于所述电荷存储结构的最下表面。9.根据权利要求5所述的竖直存储器件,其中,所述第二虚设沟道具有类似杯子的形状,并且所述竖直存储器件还包括:第二填充图案,在由所述第二虚设沟道的内壁形成的空间中,其中,所述第二填充图案包括与所述第一填充图案实质上相同的材料。10.根据权利要求5所述的竖直存储器件,还包括:接触插塞,分别在所述沟道上;以及位线,沿第三方向延伸并且电连接到所述接触插塞,其中,在所述第二虚设沟道上不形成接触插塞,以不对所述第二虚设沟道施加电信号。11.一种竖直存储器件,包括:栅电极结构,在衬底上并且包括在第一方向上间隔开的栅电极;沟道,延伸穿过所述栅电极结构并且包括所述衬底上的第一部分和接触所述第一部分的第二部分,其中,所述第二部分包括具有比所述第一部分的上表面的宽度小的宽度的下表面;以及第一虚设沟道,穿过所述栅电极结构延伸并且与所述沟道间隔开,其中,所述第一虚设沟道包括所述衬底上的第三部分和接触所述第三部分的第四部分,其中,所述第四部分包括具有比所述第三部分的上表面的宽度小的宽度的下表面,其中,所述第一虚设沟道包括与所述沟道中的每个沟道实质上相同的材料,并且所述第一虚设沟道包括从下表面沿所述第一方向突出的突出部分,并且所述第一虚设沟道的最下表面低于所述沟道中的每个沟道的最下表面。12.根据权利要求11所...
【专利技术属性】
技术研发人员:千志成,鲁知艺,朴昞坤,林珍洙,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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