非易失性存储器件制造技术

一种非易失性存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域；第一栅电极，包括在衬底的单元阵列区域上的开口；多个第二栅电极，堆叠在第一栅电极上方并包括凸起部分，凸起部分具有朝向衬底延伸的向外弯曲；以及字线切割区域，切割开口和凸起部分。开口和凸起部分。开口和凸起部分。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件


[0001]实施方式涉及非易失性存储器件。

技术介绍

[0002]易失性存储器件是当电源被切断时丢失其存储的数据的存储器件。易失性存储器件可以是静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件是即使当电源被切断时也保留其存储的数据的存储器件。非易失性存储器件可以是闪存器件、只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、电阻式存储器件(例如，相变RAM(PRAM)、铁电RAM(FRAM)和电阻式RAM(RRAM))等。
[0003]为了满足消费者对优异性能和低廉价格的需求，非易失性存储器件的集成密度正在增大。然而，在二维或平面存储器件的情况下，集成密度由单位存储单元占据的面积决定。因此，近来，已经开发了其中垂直地布置单位存储单元的三维存储器件。

技术实现思路

[0004]本公开的方面提供了具有提高的产品可靠性的非易失性存储器件。
[0005]实施方式针对一种非易失性存储器件，其包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区域；第一栅电极，包括在所述衬底的所述单元阵列区域上的开口；多个第二栅电极，堆叠在所述第一栅电极上方并包括凸起部分，所述凸起部分具有朝向所述衬底延伸的向外弯曲；以及字线切割区域，切割所述开口和所述凸起部分。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述凸起部分位于所述开口上方。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，进一步包括：沟道结构，穿过所述第一栅电极和所述多个第二栅电极，其中所述沟道结构不设置在所述凸起部分上。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一栅电极和所述多个第二栅电极在第一方向上延伸，以及随着所述衬底和所述多个第二栅电极中的每个之间的距离减小，所述多个第二栅电极中的每个的相应的所述凸起部分在所述第一方向上的宽度增大。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一栅电极和所述多个第二栅电极在第一方向上延伸，所述开口在所述第一方向上具有第一宽度，所述多个第二栅电极中的与所述第一栅电极相邻的一个第二栅电极中包括的所述凸起部分在所述第一方向上具有第二宽度，以及所述第一宽度小于所述第二宽度。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述字线切割区域在所述第一方向上具有第三宽度，以及所述第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一栅电极和所述多个第二栅电极在第一方向上延伸，所述开口在所述第一方向上具有第一宽度，所述多个第二栅电极的第一子集中包括的所述凸起部分在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的宽度，以及所述多个第二栅电极的第二子集中包括的所述凸起部分在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的宽度。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，进一步包括：第一绝缘膜，设置在所述第一栅电极和所述多个第二栅电极中的一个之间并与所述第一栅电极和所述多个第二栅电极中的所述一个接触，其中所述第一绝缘膜包括正硅酸乙酯。9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中所述第一绝缘膜包括：第一层间绝缘膜，沿着所述第一栅电极和所述开口的轮廓形成；以及第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜和所述多个第二栅电极中的所述一个之间。10.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，进一步包括：
第二绝缘膜，覆盖所述多个第二栅电极，其中所述第二绝缘膜包括与所述第一绝缘膜相同的材料。11.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，进一步包括：第二绝缘膜，设置在所述多个第二栅电极中的所述一个上方，并且设置在所述多个第二栅电极中的另一个上并与所述多个第二栅电极中的所述另一个接触，其中所述第二绝缘膜的顶表面是平坦的。12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述第二绝缘膜包括与所述第一绝缘膜相同的材料。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑基容，金浩珍，权永振，殷东锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：