基板和材料表征方法及装置制造方法及图纸

装置包括具有导电形成结构的平面基板，该导电形成结构限定基板集成波导测试谐振器；测试谐振器包括至少部分地形成在基板内的三维区域，该区域具有平行于基板的平面延伸的第一和第二平面导电层，以及一个或多个垂直于基板的平面的导电侧壁形成结构，限定绕三维区域延伸的谐振器侧壁围；其中，第一和第二平面导电层中的一个包括测试端口，该测试端口包括与该平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板和材料表征方法及装置


[0001]本公开涉及基板和材料表征方法以及装置。

技术介绍

[0002]本文中提供的“
技术介绍
”描述是为了总体上呈现本公开的上下文的目的。在该
技术介绍
部分中描述的范围内的目前指定的专利技术人的工作以及在提交时可能未被限定为现有技术的描述的各方面不被明确地或默认地承认为本公开的现有技术。
[0003]微波或其他高频信号处理组件利用波导形成结构(formation)来提供信号处理功能。
[0004]在基板上提供微波或其他高频组件的情况下，它们的性能可以取决于基板的电介质和其他特性。因此，需要检测那些特性，或者换句话说，需要“表征”基板或至少基板的材料形成部分(例如层)。

技术实现思路

[0005]本公开提供了装置，包括：
[0006]具有导电形成结构的平面基板，限定基板集成波导测试谐振器；
[0007]测试谐振器，包括至少部分地形成在基板内的三维区域，三维区域具有平行于基板的平面延伸的第一和第二平面导电层，以及垂直于基板的平面的一个或多个导电侧壁形成结构，限定围绕三维区域延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：具有导电形成结构的平面基板，所述导电形成结构限定基板集成波导测试谐振器；所述测试谐振器包括至少部分地形成在所述基板内的三维区域，所述三维区域具有平行于所述基板的平面延伸的第一平面导电层和第二平面导电层，以及垂直于所述基板的平面的一个或多个导电侧壁形成结构，所述导电侧壁形成结构限定围绕所述三维区域延伸的谐振器侧壁；其中，所述第一平面导电层和第二平面导电层中的一个包括测试端口，所述测试端口包括与所述平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述三维区域是长方体形成结构，所述第一平面导电层和第二平面导电层是矩形导电层。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述测试端口包括形成在所述第一平面导电层和第二平面导电层中的一个中的孔，所述导电测试连接形成在所述孔内。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述孔是矩形孔。5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述导电测试连接是矩形测试连接。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板由一层或多层电介质材料形成。7.根据权利要求6所述的装置，其中：所述基板包括具有由一个或多个电介质层隔开的两个或多个金属层的电介质板；并且限定所述测试谐振器的所述第一和第二导电层被形成为两个或更多个所述金属层的至少各部分。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述基板包括从以下各项组成的列表中选择的电介质基板：(i)印刷电路板；(ii)低温共烧陶瓷(LTCC)基板；(iii)高温共烧陶瓷(HTCC)基板；(iv)液晶聚合物(LCP)基板以及(v)苯并环丁烯(BCB)基板。9.根据权利要求1所述的信号电平控制装置，其中，所述基板包括半导体基板。10.根据权利要求9所述的信号电平控制装置，其中，所述半导体基板是硅(Si)、GaAs、GaN或InP基板。11.根据权利要求2所述的装置，其中，一个或多个所述导电侧壁形成结构包括以下中的一个：(i)沿着侧壁路径间隔开的两个或更多个导电形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡迈勒，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：