相变光记录媒体制造技术

提供一种高线速度时的擦除率高、记录灵敏度更高、ＯＷ周期特性及耐环境性优良的相变光记录媒体。利用记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其中，保护层由下述膜来形成，该膜由Ｔａ或Ａｌ的氧化物、和至少１种碳化物构成，碳化物的含量是１～４０ｍｏｌ％。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可改写的光信息记录媒体中、通过激光束等使记录层产生相变来进行信息的记录、再生及擦除的相变光记录媒体。
技术介绍
相变型光记录盘是可改写的光记录盘，通过记录层的可逆的相变(多在晶体-非晶体间)来记录信息。可以通过单头在单层记录膜上进行光调制盖写，并且通过反射率随着相变的变化来读取信号，所以具有与CD-ROM等现有光记录盘之间的兼容性高等特征，因此作为可改写的光记录盘，近年来被广泛地研究开发，被应用于可改写的DVD。相变型光记录盘等相变光记录媒体一般是在记录层的晶相(擦除状态)上通过激光束形成非晶相的记录标记来进行记录，通过检测晶相和非晶相之间的反射率之差来得到再生信号。此外，通过在非晶化的强度(峰值功率)和结晶的强度(偏置功率)之间对信号记录时的激光束的强度进行强度调制(参照附图说明图1)，可以以单光束、单层记录膜的组合来进行光调制盖写(直接盖写)，能够得到大容量而且高传送速率的记录盘。相变光记录媒体可以如上所述进行直接盖写(DOW)。然而，如果为了实现高速传送而加快线速度，则在盖写(OW)后，初始信号不会完全消失，产生所谓的漏擦，擦除率恶化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在高线速度时减少漏擦、提高擦除率、记录灵敏度更高、OW周期耐久性及耐气候性也好的相变光记录媒体。本专利技术人等鉴于上述现状，反复潜心钻研后发现，在将包含保护层及记录层的多层膜形成于基板上、并利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变来进行信息的记录、擦除的相变光记录媒体中，通过将保护层做成由特定成分构成的膜，能提高高线速度时的擦除率、耐久性，进而，通过使保护层的成分比处于特定的范围内，能进一步提高上述效果，从而完成本专利技术。即，本专利技术涉及一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层由Ta的氧化物、和至少1种碳化物构成，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。此外，本专利技术涉及一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层由Al的氧化物、和至少1种碳化物构成，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。此外，本专利技术涉及一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层含有Ta的氧化物、至少1种碳化物、以及从由In、Si、Ti、Hf及Zr构成的组中选出的元素的氧化物的1种以上，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。再者，本专利技术涉及一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层含有Al的氧化物、至少1种碳化物、以及从由In、Si、Ti、Hf及Zr构成的组中选出的元素的氧化物的1种以上，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。上述保护层最好包含从Si、Ti、Ta、Nb的碳化物中选出的1种以上的碳化物。此外，上述相变光记录媒体的记录层最好由Ge、Sb及Te的合金、或以该合金为主成分的材料构成。再者，本专利技术的相变光记录媒体的特征在于，在激光束直径为d(＝λ/NA，λ是激光波长，NA是物镜的数值孔径)、线速度为v时d/v的值低于1.5×10-7秒(d/v＜1.5×10-7[s])的高传送速度范围内使用。附图的简单说明图1是记录再生装置的激光功率的关系图。图2是本专利技术的相变光记录媒体的一例的结构的部分剖面图。图3是本专利技术的实施例及比较例的相变光记录媒体的结构的部分剖面图。图4是0.6μm的标记记录使用的激光功率的关系图。图5是实施例1及比较例1的样本的擦除率对线速度的依赖性的图。图6是实施例1的样本的CNR对峰值功率的依赖性的图。实施专利技术的最好形式以下，进一步详细说明本专利技术。图2是本专利技术的相变光记录媒体的一例的结构的部分剖面图。图2的相变光记录媒体在基板21上叠层有第一保护层22、记录层23、第二保护层24、反射层25。作为基板21，只要在使用的激光的波长范围内足够透明，满足机械特性等作为媒体基板的特性即可，没有特别的限制，可以使用玻璃、聚碳酸酯、非晶态聚烯烃等。第一保护层22、及第二保护层24由下述膜构成，该膜由Ta的氧化物或Al的氧化物、和至少1种碳化物构成，碳化物的含量为1～40mol％。用只含Ta的氧化物或Al的氧化物的保护层也可以得到足够高的擦除率特性，但是通过使其含有碳化物，能够在保持高擦除率特性的同时，提高记录灵敏度，高线速度时的记录再生擦除特性优良。上述保护层最好包含从Si、Ti、Ta、Nb的碳化物中选出的1种以上的碳化物。保护层中包含的碳化物的总量处于1mol％～40mol％的范围内，较好的是处于5mol％～35mol％的范围内，更好的是处于10mol％～30mol％的范围内。如果碳化物的含量超过50mol％，则膜的消光系数(k)会增大，透明度恶化，作为相变光记录媒体是不现实的。此外，也可以将下述膜作为第一保护层22、及第二保护层24，该膜含有Ta的氧化物或Al的氧化物、至少1种碳化物、以及从由In、Si、Ti、Hf及Zr构成的组中选出的元素的氧化物的1种以上，碳化物的含量是1～40mol％。通过使保护层含有1种以上的In、Si、Ti、Hf、Zr的氧化物，能进一步促进提高记录灵敏度的效果。在使用含有Ta的氧化物或Al的氧化物、至少1种碳化物、以及从由In、Si、Ti、Hf及Zr构成的组中选出的元素的氧化物的1种以上的保护层的情况下，该保护层也最好包含从Si、Ti、Ta、Nb的碳化物中选出的1种以上的碳化物。保护层中包含的碳化物的总量处于1mol％～40mol％的范围内，较好的是处于5mol％～35mol％的范围内，更好的是处于10mol％～30mol％的范围内。如果碳化物的含量超过50mol％，则膜的消光系数(k)会增大，透明度恶化，作为相变光记录媒体是不现实的。记录层23可以使用GeSbTe系薄膜、InSbTe系薄膜等具有可逆相变的膜，但是最好使用Ge、Sb及Te的合金、或以该合金为主成分的材料。至少一个保护层与记录层相接来形成。通过将记录层和上述保护层相接来形成，能在接触面(界面)上促进晶核生成，使结晶更快地进行。作为记录层，可以使用GeSbTe系薄膜、InSbTe系薄膜等，但是由于GeSbTe系薄膜的结晶是以核生成为主体来发生的，所以特别适于作为具有上述保护层的本专利技术的相变光记录媒体的记录层。反射层25由使用Al合金或Ag合金、在激光的波长范围内反射率高的膜构成。上述第一、第二保护层除了保护记录层的作用之外，还具有提高记录层的光吸收效率、或者增大记录前后的反射光的变化量的作用，所以它们的厚度应考虑使用的激光波长、和记录层的膜厚等来最佳地设计。在本专利技术中，除了上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层由Ｔａ的氧化物、和至少１种碳化物构成，该保护层的上述碳化物的含量在１ｍｏｌ％以上、４０ｍｏｌ％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。

【技术特征摘要】
JP 2001-1-17 9463/01;JP 2001-6-12 177013/011.一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层由Ta的氧化物、和至少1种碳化物构成，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。2.如权利要求1所述的相变光记录媒体，其特征在于，保护层包含从Si、Ti、Ta、Nb的碳化物中选出的1种以上的碳化物。3.一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之间的可逆的相变，来进行信息的记录、擦除，其特征在于，上述保护层由Al的氧化物、和至少1种碳化物构成，该保护层的上述碳化物的含量在1mol％以上、40mol％以下，而且上述保护层与上述记录层相接来形成。4.如权利要求3所述的相变光记录媒体，其特征在于，保护层包含从Si、Ti、Ta、Nb的碳化物中选出的1种以上的碳化物。5.一种相变光记录媒体，在基板上形成包含保护层及记录层的多层膜，利用该记录层在晶相和非晶相之...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻生俊雄，饭草仁志，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]