一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法，所述检测方法包括：将碳化硅碳靶材组件置于液槽中，之后采用超声探头向所述碳化硅碳靶材组件的背板表面发射超声波并接收回波的强度，将所得回波的强度图转化为黑白色度图，计算所述黑白色度图中对应低强度的颜色的面积占比，得到所述碳化硅碳靶材组件的焊接结合率；所述低强度为所述回波的波高TH≤60。通过将碳化硅碳靶材组件置于特定的环境下并结合特定的回波强度来检测靶材组件的结合率，能够为碳化硅碳靶材组件的生产提供科学管控的依据。控的依据。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法


[0001]本专利技术涉及靶材领域，具体涉及一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体溅射用的靶材通常采用焊接方式连接靶坯与背板。背板在靶材溅射中主要起到支撑及传导热量、降低靶材温度作用。
[0003]如CN103692041A公开了一种硅靶材组件的钎焊方法。本专利技术硅靶材组件的钎焊方法以铟为钎焊材料，在硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层，之后将涂覆有铟钎料层的硅靶材和背板的焊接面相贴合，进行钎焊，形成靶材组件。其制得的硅靶材组件中，硅靶材和背板的结合率达到95％以上，其完全满足磁控溅射过程中，对于硅靶材和背板高强度结合的要求。
[0004]CN104862655A公开了一种大尺寸溅射硅靶材，所述的硅靶材为圆形靶材，直径为300
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500毫米，所述的硅靶材由三层结构组成：硅靶层、钼背靶层及位于硅靶层和钼背靶层中间的焊接层，所述的硅靶层的成分为高纯多晶硅或单晶硅，所述的钼背靶层的成分为高纯钼，所述的焊接层的成分为金属铟。具有：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅碳靶材组件焊接结合率的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：将碳化硅碳靶材组件置于液槽中，之后采用超声探头向所述碳化硅碳靶材组件的背板表面发射超声波并接收回波的强度，将所得回波的强度图转化为黑白色度图，计算所述黑白色度图中对应低强度的颜色的面积占比，得到所述碳化硅碳靶材组件的焊接结合率；所述低强度为所述回波的波高TH≤60。2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述碳化硅碳靶材组件的背板表面的粗糙度Ra＜1.5μm。3.如权利要去1或2所述的检测方法，其特征在于，所述碳化硅碳靶材组件的背板表面的平面度＜1mm。4.如权利要求1
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3任一项所述的检测方法，其特征在于，所述液槽中的介质包括水。5.如权利要求1
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4任一项所述的检测方法，其特征在于，所述超声探头和所述碳化硅碳靶材组件的背板表面垂直设置。6.如权利要求1
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5任一项所述的检测方法，其特征在于，所述超声波探头的频率为15
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20MHz。7.如权利要求1
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6任一项所述的检测方法，其特征在于，所述超声探头的发射端面和所述碳化硅碳靶材组件的背板表面的垂直距离为50
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65mm。8.如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，杨慧珍，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：