太赫兹能量芯片制造技术

本发明专利技术公开了七脉轮太赫兹能量芯片，涉及能量芯片技术领域，包括内层和外层；内层包括衬底层、反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层和防水膜，防水膜的四侧边沿对应密封安装在衬底层的外侧表面，反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层密封连接在衬底层和防水膜之间，衬底层的外侧表面固定安装有母魔术贴，母魔术贴设置在防水膜的外侧；外层包括铁磁层、第二金属层和覆盖层，覆盖层的内侧表面固定安装有子魔术贴，子魔术贴设置在第二金属层的外侧，母魔术贴和子魔术贴之间形成可拆卸连接；反铁磁性钉扎层和铁磁层上均设置有平面方向的磁场，第一金属层、铁磁层、第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。

【技术实现步骤摘要】
太赫兹能量芯片


[0001]本专利技术涉及能量芯片
，尤其是涉及太赫兹能量芯片。

技术介绍

[0002]THz波（太赫兹波）是指频率在0.1THz到10THz范围、波长大概在0.03到3mm之间的电磁波，介于微波与红外之间。太赫兹主要有改善人体磁场、增强细胞活性、促进新陈代谢、延缓衰老等功效和作用。太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源,其应用十分广泛。
[0003]使用太赫兹波放射到七轮上能够促使构成细胞的体内酵素、DNA、酶和其它有机高分子的振动活跃化，从而强化DNA的修复机制，使细胞活性化，促进毛细血管的微循环，进而提高体温，增强人体免疫功能，进而达到保健的目的。
[0004]市面上的太赫兹能量芯片一般镶嵌安装于衣服、鞋等随身物品中；在中国的授权专利技术专利中（公告号：CN109300922A，申请日：2018.10.15）公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，其利用逆自旋霍尔效应在设计的有铁磁钉扎层的复合膜结构中产生强太赫兹辐射；但是却存在无法控制太赫兹波启闭的问题，太赫兹能量芯片处于长期开启太赫兹波的状态，导致太赫兹能量芯片的使用寿命短，无法稳定持久有效的发射出太赫兹波。

技术实现思路

[0005]本专利技术为克服上述情况不足，提供了一种能解决上述问题的技术方案。
[0006]太赫兹能量芯片，包括内层和外层；
[0007]内层包括依次从内到外固定安装的衬底层、反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层和防水膜，衬底层的外侧四边沿均对应延伸出反铁磁性钉扎层设置，防水膜的四侧边沿对应密封安装在衬底层的外侧表面，反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层密封连接在衬底层和防水膜之间，衬底层的外侧表面固定安装有母魔术贴，母魔术贴设置在防水膜的外侧；
[0008]外层包括依次从内到外固定安装的铁磁层、第二金属层和覆盖层，覆盖层的外侧四边沿均对应延伸出第二金属层设置，覆盖层的内侧表面固定安装有子魔术贴，子魔术贴设置在第二金属层的外侧，母魔术贴和子魔术贴之间形成可拆卸连接；反铁磁性钉扎层和铁磁层上均设置有平面方向的磁场，第一金属层、铁磁层、第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：铁磁层的内侧表面与防水膜的外侧表面相互接触。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：铁磁层的内侧表面设置有防刮镀膜。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：防刮镀膜和防水膜之间相互接触。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：异质结构的太赫兹波发射波长在4～20μm之间。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：衬底层的材料采用高阻硅片、石英片、氧化镁、蓝宝石之中的任意一种。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：反铁磁性钉扎层的材料采用MnIr、MnAu、CoMnSi、CoFeAl之中的任意一种。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：氧化物势垒层的材料采用MgO。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：第一金属层的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一种，第二金属层的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一种。
[0017]作为本专利技术进一步的方案：铁磁层材料采用NdFeB、NiFe、CoPt、Co2MnSn、CoFeB之中的任意一种。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过母魔术贴和子魔术贴之间的可拆卸配合，让外层能够分离内层，从而断开太赫兹波的发射，起到增加太赫兹能量芯片寿命的效果；安装时，将衬底层镶嵌安装在衣服、鞋子等随身物品上，且其位置对应人体的设置；使用时，通过母魔术贴和子魔术贴将外层安装在内层的外侧表面，第一金属层、铁磁层、第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构，异质结构发射太赫兹波，能够起到保健的效果；清洗时，通过母魔术贴和子魔术贴将外层拆出，内层通过防水膜来实现防水的效果，能够有效避免进水损坏。
[0019]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术的结构示意图。
[0022]图2是本专利技术的爆炸结构示意图。
[0023]图中所示：1、内层；2、外层；1
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1、衬底层；1
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2、反铁磁性钉扎层；1
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3、经钉扎层；1
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4、氧化物势垒层；1
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5、第一金属层；1
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6；防水膜；3、母魔术贴；2
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1、铁磁层；2
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2、第二金属层；2
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3、覆盖层；4、子魔术贴；5、防刮镀膜。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]请参阅图1
‑
2，太赫兹能量芯片，包括内层1和外层2；
[0026]内层1包括依次从内到外固定安装的衬底层1
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1、反铁磁性钉扎层1
‑
2、经钉扎层1
‑
3、氧化物势垒层1
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4、第一金属层1
‑
5和防水膜1
‑
6，衬底层1
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1的外侧四边沿均对应延伸出反铁磁性钉扎层1
‑
2设置，防水膜1
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6的四侧边沿对应密封安装在衬底层1
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1的外侧表面，反铁磁性钉扎层1
‑
2、经钉扎层1
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3、氧化物势垒层1
‑
4、第一金属层1
‑
5密封连接在衬底层1
‑
1和防水膜1
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6之间，衬底层1
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1的外侧表面固定安装有母魔术贴3，母魔术贴3设置在防水膜
1
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6的外侧；
[0027]外层2包括依次从内到外固定安装的铁磁层2
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1、第二金属层2
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2和覆盖层2
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3，覆盖层2
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3的外侧四边沿均对应延伸出第二金属层2
‑
2设置，覆盖层2
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3的内侧表面固定安装有子魔术贴4，子魔术贴4设置在第二金属层2
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：包括内层和外层；内层包括依次从内到外固定安装的衬底层、反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层和防水膜，衬底层的外侧四边沿均对应延伸出反铁磁性钉扎层设置，防水膜的四侧边沿对应密封安装在衬底层的外侧表面，反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层密封连接在衬底层和防水膜之间，衬底层的外侧表面固定安装有母魔术贴，母魔术贴设置在防水膜的外侧；外层包括依次从内到外固定安装的铁磁层、第二金属层和覆盖层，覆盖层的外侧四边沿均对应延伸出第二金属层设置，覆盖层的内侧表面固定安装有子魔术贴，子魔术贴设置在第二金属层的外侧，母魔术贴和子魔术贴之间形成可拆卸连接；反铁磁性钉扎层和铁磁层上均设置有平面方向的磁场，第一金属层、铁磁层、第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。2.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：铁磁层的内侧表面与防水膜的外侧表面相互接触。3.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：铁磁层的内侧表面设置有防刮镀膜。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：许小平，
申请(专利权)人：许小平，
类型：发明
国别省市：