IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法技术

一种IC封装件，包括：第一管芯，包括正面和背面，正面包括第一信号路由结构，背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，正面包括第二信号路由结构，背面包括第二配电结构。IC封装件包括第三配电结构，位于第一配电结构和第二配电结构之间，并且电连接至第一配电结构和第二配电结构中的每一个。本申请的实施例提供了IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。中分配电源的方法。中分配电源的方法。

【技术实现步骤摘要】
IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法


[0001]本申请的实施例涉及IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。

技术介绍

[0002]分隔开的晶圆上的集成电路(IC)通常组合在IC封装件中。IC封装组件通常包括单个管芯、晶圆、衬底、印刷电路板(PCB)、插件、焊料凸块、贯穿通孔、金属互连件、以及电介质和模制材料的组合。IC封装组件有时在3DIC封装件中布置成堆叠件，或者在扇出配置中并排布置，通常称为集成扇出(InFO)2.5D封装件。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种集成电路(IC)封装件，所述IC封装件包括：第一管芯，包括正面和背面，所述正面包括第一信号路由结构，所述背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，所述正面包括第二信号路由结构，所述背面包括第二配电结构；以及第三配电结构，位于所述第一配电结构和所述第二配电结构之间，并且电连接至所述第一配电结构和所述第二配电结构中的每一个。
[0004]本申请的实施例提供一种形成集成电路(IC)封装件的方法，所述方法包括：将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装件，所述集成电路封装件包括：第一管芯，包括正面和背面，所述正面包括第一信号路由结构，所述背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，所述正面包括第二信号路由结构，所述背面包括第二配电结构；以及第三配电结构，位于所述第一配电结构和所述第二配电结构之间，并且电连接至所述第一配电结构和所述第二配电结构中的每一个。2.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：第三管芯，包括正面和背面，所述正面包括电连接至所述第一信号路由结构的第三信号路由结构，所述背面包括第四配电结构；第四管芯，包括正面和背面，所述正面包括第四信号路由结构，所述背面包括第五配电结构；以及第六配电结构，位于所述第四配电结构和所述第五配电结构之间，并且电连接至所述第四配电结构和所述第五配电结构中的每一个。3.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：第三管芯，包括正面和背面，所述正面包括第三信号路由结构，所述背面包括电连接至所述第三配电结构的第四配电结构。4.根据权利要求3所述的集成电路封装件，还包括：第一衬底，电连接至所述第一信号路由结构和所述第三信号路由结构中的每一个。5.根据权利要求4所述的集成电路封装件，还包括：第二衬底，电连接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，邱德馨，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：