半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置，包括：引线框；管芯，其利用第一焊料附接到引线框；夹片，其利用第二焊料附接到管芯，其中，夹片包括用于检查第二焊料的过量而布置的切口。查第二焊料的过量而布置的切口。查第二焊料的过量而布置的切口。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种形成半导体装置的方法。本专利技术还涉及一种制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]已知半导体装置(例如，MOSFET装置)具有分配在管芯的顶部上的过量焊料的问题。如在图1a和图1b中示出的。焊料10由于源极夹片与管芯之间的非常窄的间隙而到达管芯边缘。可以仅利用x
[0003]射线检查、利用电气测试或利用截面来检测该问题。图1a示出了x射线检查的结果。在图2中，示出了封装件的典型的截面，其中，源极夹片下面的材料层和过量的焊料是可见的。由于过量的焊料将漏极12桥接到源极电势，该装置将无法正常起作用，并且将导致电流泄漏。
[0004]该已知问题是不受控制的焊料分配在源极可焊接的顶部触点上，导致过量的焊料，这导致MOSFET装置的漏极与源极/栅极的桥接。
[0005]存在一些解决上述问题的已知方法。这些方法中的一些要求管芯设计的重大改变，这非常昂贵且低效。其它可能性是提供额外的过量的焊料检测设备，这也将是一种昂贵且低效的选择。此外，可以完成MOSFET装置封装外形尺寸的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：引线框，管芯，其利用第一焊料附接到所述引线框，夹片，其利用第二焊料附接到所述管芯，其中，所述夹片包括用于检查所述第二焊料的过量而布置的切口。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述切口的形状为矩形或半圆形。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述切口通过铜冲压工艺或蚀刻工艺制成。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述切口的形状是半圆形，并且其中，所述半圆形的半径与所述夹片的厚度具有相同或相似的尺寸。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述半圆形的半径和所述夹片的厚度为大约0.2mm。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是晶体管(MOSFET装置)，所述晶体管(所述MOSFET装置)包括源极、栅极和漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：里卡多，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：