【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在宽的线速度范围内可记录和可再现的相变光记录介质。
技术介绍
可在日本专利申请特开(JP-A)No.2002-237096中得到在通过DVD-ROM驱动器的再现中具有高兼容性的相变光记录介质的实例。然而，这一光记录介质没有考虑到高速记录和良好的向下兼容性(在低线速度下记录的兼容性)。在日本专利(JP-B)No.3150267、JP-A Nos.2001-56958和2002-96560(其中详举了记录层的组成为适于高速记录的组成)中；在JP-ANos.2002-237095、06-195747、11-339314、2001-167475和2002-222543中(其中主要旨在加速结晶的层与记录层相邻排列)；和在JP-A Nos.2002-10075和2002-237088(其中提供含Ag或Ag合金的反射层)中，可得到在高速度下实现满意记录的方式的实例。这些光记录介质通过增加记录层的结晶速率拟实现高速记录。然而，这些技术单独不可能提供如本专利技术一样的能高速记录且具有良好向下兼容性的光记录介质。JP-A No.2002-190138公开了具有两层上...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光记录介质，包括透明基片；位于透明基片上方的下保护层；含相变材料的记录层，它位于下保护层上方；位于记录层上方的上保护层；以及位于记录层与下保护层之间和记录层与上保护层之间这两种位置中的至少一种位置处的界面层，其中该光记录介质的过渡线速度范围为8m/s至11m/s，这是通过用数值孔径为0.65的拾取头，照射功率为11±1mW且波长为660±10nm的连续光而测量的，且满足下述条件ΔR＝|Rb-Ra|≤3％其中ΔR是Ra与Rb之差的绝对值；Rb是未记录区域的反射率，且Ra是10个记录循环之后眼孔图样顶部的反射率，以及其中对于至少第一记录模式和第二记录模式这两种记录模式，该光记录介质是可记录的，其中第一记录模式是，光记录介质以恒定的角速度旋转，以致于当在光记录介质的最内部轨道上记录时具有3m/s至4m/s的线速度，且当在光记录介质的最外部轨道上记录时具有8m/s至9m/s的线速度，第二记录模式是，光记录介质以恒定的角速度旋转，以致于当在光记录介质的最内部轨道上记录时具有5m/s至6m/s的线速度，且当在光记录介质的最外部轨道上记录时具有13m/s至14m/s的线速度。2.如权利要求1的光记录介质，还包括位于上保护层上方的硫化抑制层；以及位于硫化抑制层上方的反射层，其中摆动槽形成在透明基片上，该摆动槽的轨道间距为0.74+0.03微米，槽深度为22nm至40nm，且槽宽度为0.17微米至0.30微米，下保护层含有ZnS和SiO2的混合物，记录层内的相变材料含有Sb和Te(作为主要成分)，上保护层含有ZnS和SiO2的混合物，硫化抑制层含有Si和SiC中的至少一种，反射层含有Ag和Ag合金中的至少一种。3.如权利要求1的光记录介质，其中下保护层的厚度为40nm至220nm。4.如权利要求1的光记录介质，其中上保护层的厚度为2nm至20nm。5.如权利要求1的光记录介质，其中记录层内的相变材料的Sb对Sb和Te总量的原子比[Sb/(Sb+Te)]是0.74-0.85，其中相变材料还含有Ag、In和Ge中的至少一种，其中Ag、In和Ge总量对相变材料内的总原子的原子比是0.04至0.10，以及其中Ag、In和Ge对相变材料内的总原子的原子比满足下述条件0≤Ag≤0.01、0.02≤In≤0.06和0.02≤Ge≤0.06。6.如权利要求1的光记录介质，其中记录层内的相变材料的Sb...
【专利技术属性】
技术研发人员：出口浩司，让原肇，日比野荣子，三浦裕司，安部美树子，鸣海慎也，木边刚，山田胜幸，谷口贤史，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：
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