一种高压抗单粒子辐照的PSOILDMOS器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明专利技术提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si

【技术实现步骤摘要】
一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS(局部硅
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绝缘体横向双扩散金属氧化物半导体)器件结构。

技术介绍

[0002]随着航天器在军用和民用航天事业的普遍运用，越来越多的电子器件被应用于空间环境,如星载北斗系统、卫星通信系统、遥感系统等。当航天器在宇宙空间中工作时,辐射环境中的辐射粒子对航天器上的电子元器件产生不利的辐射效应，因此对航天器的可靠性提出了更高的要求。
[0003]当LDMOS器件运用在航天器的开关电源、LDO、充电电路上时，必然受扰辐照的影响。宇宙空间中存在大量的带电粒子和宇宙射线，当空间中的高能粒子束对器件进行“轰击”，高密度非平衡的电子空穴对沿着重离子轨道产生，并且在强电场作用下进行漂移，一旦寄生双极晶体管被打开，其正反馈将导致大电流和低电压。如果瞬态电流通过数字电路的组合逻辑传播并锁存在存储器元件中，则单粒子电流可能导致单粒子扰动。
[0004]单粒子效应可以分为可恢复的和不可恢复的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的P型衬底(1)；位于P衬底(1)右上方的深N型阱区(2)；位于P衬底(1)左上方的P型埋层(3)；位于P型埋层(3)和深N型阱区(2)之间的N型漂移区(4)；深N型阱区(2)的深度大于N型漂移区(4)的深度；位于P型埋层(3)左上方的P型阱区(5)；位于P型埋层(3)右上方的局部埋氧层(6)；位于P型阱区(5)内部左上方的源区P+注入(7)；位于源区P+注入(7)右侧的源区N+注入(8)；位于P型阱区(5)右上方的栅氧化层(9)；位于局部埋氧层(6)上方的源区Ptop注入(10)；位于Ptop注入(10)上方的局部场氧化层(11)；位于局部埋氧层(6)右上方...

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，刘颖，雷一博，王腾磊，魏亚瑞，江秋亮，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：