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本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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