一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明专利技术提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层和第二空穴注入层分别为NiO层和PEDOT:PSS层。本发明专利技术提供的正型QLED器件采用NiO/PEDOT:PSS双层空穴注入层，不仅能够解决对ITO电极的腐蚀问题，还能够有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，平衡载流子，进而提高正型QLED器件的效率和使用寿命。用寿命。用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diodes，简称QLED)具有在可见光范围内发射波长可调，半峰宽较窄，亮度高，可用溶液法制备等优点，近年来，其相关领域的研究受到广泛的关注，同时，QLED在下一代平板显示和固态照明等领域也显示了极大的应用潜力。
[0003]目前，在构筑QLED器件时，最常采用的空穴注入材料是PEDOT:PSS(即聚(3,4
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乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐)。但是，PEDOT:PSS不稳定，自身容易被空气氧化，而且PEDOT:PSS由于PSS链的吸湿性和酸性会腐蚀ITO电极，进而影响器件的性能和寿命。NiO作为p型半导体，凭借着良好的环境稳定性，成为了PEDOT:PSS的替代材料，以解决对ITO电极的腐蚀问题。然而，因NiO的势垒高，替换PEDOT:PSS后通常造成QLED器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件，其特征在于，包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层为NiO层，厚度为10～20nm；所述第二空穴注入层为PEDOT:PSS层，厚度为20～40nm。2.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为PVK、TFB、poly
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TPD、TCTA和CBP
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V中的一种或几种；所述空穴传输层的厚度为20～35nm。3.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点发光层、CdZnSe/ZnSe/ZnS红光量子点发光层和CdSe/ZnS蓝光量子点发光层中的一种或几种；所述量子点发光层的厚度为20～30nm。4.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述电子传输层为ZnO层，所述电子传输层的厚度为25～35nm。5.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述顶电极层为Al、Ag、Cu或Au电极层；所述顶电极层的厚度为80～100nm。6.权利要求1～5任意一项所述基于双层空穴注入层的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将带ITO透明电极的玻璃基底进行紫外臭氧预处理，得到预处理玻璃基底；将四水合醋酸镍、单乙醇胺和乙醇混合进行溶胶
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凝胶化，得到NiO前驱体溶液；在所述预处理玻璃基底表面依次旋涂所述NiO前驱体溶液和PEDOT:PSS后进行第一退火，在玻璃基底表面形成第一空穴注入层和第二空穴注入层；所述第一退火的温度为90～170℃；在所述第二空穴注入层表面旋涂空...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜祖亮，杜佳佳，蒋晓红，王啊强，王帅冰，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：