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本发明提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量...
该专利属于河南大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南大学授权不得商用。

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