量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括：相对设置的阳极和阴极；设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层；设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层；设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间的聚合物修饰层；其中，所述聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。本发明专利技术提供的量子点发光二极管，发光效率和使用寿命得到提高。到提高。到提高。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点电致发光显示技术，由于其波长可调，色彩饱和度高，材料稳定性高，和制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管(QLED)已经相当接近有机发光二极管(OLED)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前器件的性能仍未完全达到产业化的要求，特别是对于蓝色QLED器件来说。
[0003]目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入，达到发光的效果。由于蓝色量子点的带隙较红绿色量子点带隙宽，电子空穴更加难以注入，启动电压进一步增大，界面电荷积累更加严重，对器件的寿命和效率造成了很大影响。特别是当电子传输层材料为氧化锌时，氧化锌和量子点界面间存在电荷转移现象且量子点对电子束缚能力低于对空穴的束缚，导致氧化锌和量子点界面出的严重的电荷转移现象，而且伴随着蓝色量子点的导带能级的提高，这种电荷转移更加严重。界面间的激发电子的转移不仅导致了界面处的电荷积累，而且极大提高了非辐射俄歇复合的概率，严重影响了器件的发光效率和使用寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的量子点发光二极管中，电子传输层与量子点界面存在电荷积累，影响器件发光效率和使用寿命的问题。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]本专利技术第一方面提供一种量子点发光二极管，包括：
[0007]相对设置的阳极和阴极；
[0008]设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层；
[0009]设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层；
[0010]设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间的聚合物修饰层；
[0011]其中，所述聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。
[0012]本专利技术第二方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0013]提在基板的一侧表面上依次层叠设置第一电极和第一功能层；
[0014]在所述第一功能层远离所述第一电极的一侧表面上沉积聚合物溶液，以制备聚合物修饰层；
[0015]在所述聚合物修饰层远离所述第一功能层的一侧表面上依次层叠设置第二功能层和第二电极；
[0016]其中，所述第一电极为阳极，所述第一功能层为量子点发光层，所述第二功能层为电子传输层，所述第二电极为阴极；或
[0017]所述第一电极为阴极，所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为量子点发光层，所述第二电极为阳极。
[0018]本专利技术提供的量子点发光二极管，在电子传输层和量子点发光层之间设置能够提高电子传输材料能级的聚合物修饰层。所述聚合物修饰层通过氨基偶极子和界面偶极子降低电子传输层的功函数，从而使电子传输层的能级向上偏移，进而抑制量子点和电子传输材料之间的电荷转移，同时提高电子注入效率，促进电子自电子传输层向量子点发光层转移。与此同时，远离量子点的一侧空穴传输未受影响，能级保持在原来的水平，在这种情况下，电子传输层与量子点发光层之间的倒带能级更加匹配，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子注入，进而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
[0019]本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，只需要在电子传输层和量子点发光层之间引入聚合物修饰层即可。该方法工艺简单，可操作性强，且采用溶液加工方式，易于实现产业化生产。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备工艺流程图。
具体实施方式
[0023]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0024]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0025]本专利技术实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本专利技术实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本专利技术实施例说明书公开的范围之内。具体地，本专利技术实施例说明书中的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
[0026]本专利技术实施例第一方面提供一种量子点发光二极管，包括：
[0027]相对设置的阳极和阴极；
[0028]设置在阳极和阴极之间的量子点发光层；
[0029]设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层；
[0030]设置在电子传输层和量子点发光层之间的聚合物修饰层；
[0031]其中，聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。
[0032]本专利技术实施例提供的量子点发光二极管，在电子传输层和量子点发光层之间设置能够提高电子传输材料能级的聚合物修饰层。聚合物修饰层通过氨基偶极子和界面偶极子降低电子传输层的功函数，从而使电子传输层的能级向上偏移，进而抑制量子点和电子传输材料之间的电荷转移，同时提高电子注入效率，促进电子自电子传输层向量子点发光层转移。与此同时，远离量子点的一侧空穴传输未受影响，能级保持在原来的水平，在这种情况下，电子传输层与量子点发光层之间的倒带能级更加匹配，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子注入，进而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
[0033]本专利技术实施例通过在量子点发光二极管的电子传输层和量子点发光层之间设置含有胺基官能团的聚合物修饰层，在不影响空穴传输的基础上，来提升电子传输层材料的能级，使量子点发光二极管形成更加合理的阶级梯度，促进电子自电子传输层注入量子点发光层中。在一些实施例中，聚合物修饰层由一种聚合物制成。即聚合物修饰层为单层薄膜，且单层薄膜中的材料为相同的聚合物。在一些实施例中，聚合物修饰层由两种或两种以上的聚合物形成的混合材料制成。即聚合物修饰层为单层薄膜，且单层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：相对设置的阳极和阴极；设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层；设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层；设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间的聚合物修饰层；其中，所述聚合物修饰层中的聚合物选自含有胺基官能团的聚合物。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚合物修饰层由一种聚合物制成；或所述聚合物修饰层由两种或两种以上的聚合物形成的混合材料制成。3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚合物选自：聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺和聚[(9,9-二(3'-(N,N-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴]中的至少一种。4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚合物修饰层的厚度为2～10nm。5.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料选自：纳米氧化锌、掺镁氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。6.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极和所述量子点发光层之间设置空穴功能层；和/或所述阴极和所述电子传输层之间设置电子注入层。7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板的一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：