光记录介质制造技术

一种光记录介质，包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ和Ｌａ组成的组中选择的一种金属Ｍ和元素Ｘ，此元素Ｘ能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属Ｍ化合，从而形成元素Ｘ和金属Ｍ的化合物晶体。根据此结构的光记录介质，有可能以预期的方式在离光入射面最远的记录层中记录数据和再现数据，并且有可能以预期的方式在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中记录数据和再现数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光记录介质，特别是涉及一种光记录介质，其包括多个记录层，并且其中数据能够以一种预期的方式从离光入射面最远的记录层被记录和再现，并且数据能够以一种预期的方式从除了离光入射面最远的记录层之外的记录层被记录和再现。
技术介绍
光记录介质例如CD、DVD等已经被广泛地用作用于记录数字数据的记录介质。此光记录介质要求在记录大量数据的能力方面得到改善，并且已经提供各种建议以便提高其数据记录容量。这些中的一种是具有两个记录层的光记录介质，并且此光记录介质已经被实际用作适合于仅仅能够数据读取的光记录介质，例如DVD视频和DVD-ROM。仅仅适合于读取数据并且提供具有两个记录层的光记录介质是经过中间层，通过层压两个基底而形成的，其中每个基底在其表面上具有组成记录层的预置凹坑。此外，最近已经提出关于光记录介质，其中数据能够通过用户被记录的具有两个记录层的光记录介质(见日本专利申请公开号No.2001-243655等)。在日本专利申请公开号为No.2001-243655的申请中所公开的光记录介质中，每一个记录层包括一记录薄膜和把记录薄膜夹在中间的电介质膜(保护膜)，并且每一个具有此结构的两个记录层通过一中间层被层压。在数据将要被记录在具有多个其中数据能够通过用户被记录的记录薄膜的光记录介质中的情况下，一激光光束被聚焦到其中一个记录层上并且被照射在上面，其中此激光光束的功率已经被调制到等于记录功率Pw，其高于再现功率Pr，因此改变了包括在使用激光光束照射的记录层中的记录薄膜的状态，并且在记录薄膜中形成记录标记。由于其中形成记录标记的记录薄膜区域和其中没有形成记录标记的记录薄膜空白区域之间的反射系数不同，所以通过照射一激光光束到记录层并且检测由记录层反射的激光光束的数量，数据能够被再现，其中此激光光束的功率被设定为再现功率Pr。在包括多个记录层的光记录介质中，在离光入射面最远的记录层中进行数据记录和数据再现是通过经过比离光入射面最远的记录层更接近于光入射面的记录层而把激光光束照射到该记录层上来实现的。所以，为了以预期的方式在离光入射面最远的记录层中记录和再现数据，比最远记录层更接近于光入射面的每一记录层具有足够高的透光度是必需的。另一方面，为了再现记录在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的数据，以便获得具有高C/N比率的信号，必需选择一种物质，用于形成除了离光入射面最远的记录层之外的每一个记录层，因此其中形成记录标记的区域和其中没有形成记录标记的空白区域之间的反射系数的区别变得很大。然而，尚末开发一种包括多个记录层的光记录介质，并且该光记录介质被形成以便数据通过用户被记录其中，除了离光入射面最远的记录层之外的记录层对于激光束具有充足足够高的透光度，并且其中形成记录标记的区域和其空白区域之间的反射系数的区别是很大的。
技术实现思路
所以本专利技术的一个目的是提供一种光记录介质，其中包括多个记录层，并且其中数据以一种预期的方式在离光入射面最远的记录层中被记录和再现，并且数据能够以一种预期的方式在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中被记录和再现。通过一种光记录介质，能够实现本专利技术上述和其它的目的，其中此光记录介质包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，至少在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。在本专利技术专利技术者所做的研究中，发现在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，其中此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X与金属M化合物的晶体的情况下，记录层关于激光光束具有很高的透光度。所以，根据本专利技术，由于在激光光束到达离光入射面最远的记录层所需的期间，有可能把激光光束的功率的减小抑制到最小，所以有可能以一种预期的方式把数据记录在离光入射面最远的记录层中。另一方面，当数据将要从离光入射面最远的记录层中被再现时，由于在通过最远记录层反射的激光光束到达光入射面所需的期间，有可能把激光光束的功率的减小抑制到最小，所以有可能以一种预期的方式再现记录在离光入射面最远的记录层中的数据。此外，根据本专利技术，由于通过照射用于记录数据的激光光束以及化合金属M和元素X以便形成金属M和元素X的化合物的晶体可把数据记录在包括金属M和元素X的记录层中，所以有可能增加其中金属M和元素X的化合物被结晶的区域和其它区域之间的关于激光光束的反射系数的差别，因此有可能以一种预期的方式不但在离光入射面最远的记录层而且在除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中记录和再现。在本专利技术的一个优选方面中，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X和金属M的化合物的晶体。根据本专利技术的此优选方面，有可能总体上大大地改善除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的透光率。在本专利技术的一个进一步优选方面中，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物的晶体，并且以此方法形成以致接近于光入射面的记录层变薄。根据本专利技术的此优选方面，由于有可能总体上大大改善除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的透光率，所以有可能以预期方式在离光入射面最远的记录层中记录和再现数据。此外，在本专利技术专利技术者所做的研究中，发现在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，其中此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X与金属M化合物的晶体，并且以如此方式形成以致接近于入射面的记录层变薄的情况下，远离光入射面的记录层的关于激光光束的反射系数变高，因此有可能以一种预期的方式再现来自除了离光入射面最远的记录层之外的记录层的数据。在本专利技术的一个进一步优选方面中，光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70。在本专利技术专利技术者所做的研究中，发现在光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光记录介质，包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ和Ｌａ组成的组中选择的一种金属Ｍ和元素Ｘ，此元素Ｘ能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属Ｍ化合，从而形成元素Ｘ和金属Ｍ的化合物晶体。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-8 001753/2003;JP 2003-10-2 344865/2003;J1.一种光记录介质，包括一基底和经由至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的记录层中的至少一个包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物晶体。2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，以便形成元素X和金属M的化合物的晶体。3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括至少从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的一种金属M和元素X，此元素X能够在用于记录数据的激光光束的照射下与金属M化合，从而形成元素X和金属M的化合物的晶体，并且以这样的一种方法形成，以致较接近于光入射面的记录层较薄。4.根据权利要求3所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层和第三记录层，并且第一记录层、第二记录层和第三记录层被形成以致第二记录层具有15nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.40至0.70。5.根据权利要求3所述的光记录介质，其中此光记录介质包括在基底上的以此顺序的第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层，并且第一记录层、第二记录层、第三记录层和第四记录层被形成以致第二记录层具有20nm至50nm的厚度，并且第三记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.48至0.93，并且第四记录层的厚度与第二记录层的厚度的比率为0.39至0.70。6.根据权利要求1-5所述的任何一种光记录介质，其中元素X至少由从S、O、C和N组成的组中选择的一种元素组成。7.根据权利要求1-6所述的任何一种光记录介质，其中包括金属M和元素X的至少一个记录层进一步包括从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。8.一种光记录介质，包括一个基底和经过至少中间层被层压的多个记录层，在多个记录层中的除了离光入射面最远的记录层之外的至少一个记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La组成的组中选择的至少一种金属和作为基本成分的从由S、O、C和N组成的组中选择的一个元素，并且此记录层被加入了从由Mg、Al和Ti组成的组中选择的至少一种金属。9.根据权利要求8所述的光记录介质，其中在多个记录层中除了离光入射面最远的记录层之外的所有记录层包括从由Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、...

【专利技术属性】
技术研发人员：三岛康儿，井上弘康，小卷壮，由德大介，新井均，山家研二，柿内宏宪，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]