【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在此引用的2001年3月29日提交的专利技术名称为“能减少径向倾斜的介质(Radial Tilt Reduced Media)”的临时申请第60/279887号的优先权。
技术介绍
本专利技术涉及应用于存储介质的聚合物。更具体地讲，本专利技术涉及通过测量聚合物水致形变来减少存储介质的倾斜(tilt)。对光学数据存储介质的改进，包括提高数据存储密度，是非常有必要的，并且人们期望这样的改进能提高已成体系的和新发展起来的计算机技术，例如只读光盘、一次写入光盘、可重写光盘、数字通用光盘和磁光(MO)盘。随着光学数据存储介质中的数据存储密度的不断增加，为了适应越来越新的技术，比如数字通用光盘(DVD)和用于短时间或长时间数据存档的更高密度数据光盘如数字录象机(DVR)，对光学数据存储器件中透明塑料元件的设计要求变得越来越严格。研制具有日益缩短的“读和写”波长的光盘，已经成为光学数据存储器件领域中迫切的努力目标。对于光学数据存储介质领域所用材料的设计要求包括低水致形变/吸水率、低双折射率、高透明度、耐热性、延展性、高纯度和很少出现不均匀或微粒。我们发现目...
【技术保护点】
一种数据存储介质，包含多个层：ａ）包含聚合物的衬底层，以及ｂ）至少一个位于该衬底上的数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下，具有由下式（Ⅰ）计算得出的水致形变：水致形变（％）＜最大径向倾斜度 （°）．ｔ．π／３．４６Δｒｈ．ｒ其中，ｔ为衬底厚度；ｒ为预定的存储介质半径；Δｒｈ为相对湿度变化值。
【技术特征摘要】
US 2001-8-31 09/943,7671.一种数据存储介质，包含多个层a)包含聚合物的衬底层，以及b)至少一个位于该衬底上的数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下，具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。2.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的半径为53mm。3.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。4.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。5.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。6.如权利要求5所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚(如聚醚砜和聚醚酰亚胺)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。7.如权利要求6所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。8.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的衬底厚度范围在0.4mm和2.5mm之间。9.如权利要求8所述的存储介质，其中所述的衬底厚度为1.2mm。10.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.06％。11.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.04％。12.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.015％。13.如权利要求8所述的存储介质，其中所述的衬底厚度为0.6mm。14.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.03％。15.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.02％。16.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.0008％。17.一种数据存储介质，包含多个层a)包含聚碳酸酯的衬底层，以及b)至少一个位于所述衬底上的数据层；其中，在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(I)测得的水致形变 其中，t为1.2mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。18.一种包括多个层的数据存储介质，包括a)包含聚碳酸酯的衬底层，以及b)至少一个位于该衬底上的数据层；其中在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(I)测得的水致形变 其中，t为0.6mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。19.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚合物的衬底层，b)至少一个位于该衬底上的数据层；以及c)至少一个位于该数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与聚合物相同；并且其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；ρρ预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。20.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的半径为53mm。21.如权利要求19所述的存储介质，其中厚度比值为0.068，衬底厚度为1.1mm。22.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.095％。23.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.064％。24.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.024％。25.如权利要求19所述的存储介质，其中厚度比值为0.091，衬底厚度为1.1mm。26.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.117％。27.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.078％。28.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.029％。29.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。30.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。31.如权利要求30所述的存储介质，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。32.如权利要求31所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。33.如权利要求32所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。34.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的5％至25％之间。35.如权利要求34所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的10％至20％之间。36.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于该衬底上的数据层；以及c)至少一个位于该数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；其中在最大倾斜度为1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(II)测得的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.068；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。37.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；其中在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(II)测得的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.091；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。38.一种测量多层制品从一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，并且通过下式(I)计算得出其水致形变 其中，t为制品厚度；r为预定的制品半径；Δrh为相对湿度变化值。39.如权利要求38所述的方法，其中该制品包括数据存储介质。40.如权利要求39所述的方法，其中所述的数据存储介质包含a)一个包含聚合物的衬底层，以及b)至少一个数据层。41.如权利要求40所述的方法，其中所述的半径为53mm。42.如权利要求38所述的方法，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。43.如权利要求40所述的方法，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。44.如权利要求43所述的方法，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。45.如权利要求44所述的方法，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。46.如权利要求45所述的方法，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。47.如权利要求40所述的方法，其中所述的衬底厚度范围在0.4mm和2.5mm之间。48.如权利要求47所述的方法，其中所述的衬底厚度为1.2mm。49.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.06％。50.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.04％。51.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.015％。52.如权利要求47所述的方法，其中所述的衬底厚度为0.6mm。53.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.03％。54.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.02％。55.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.0008％。56.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中该数据存储介质包含一个包含聚合物的衬底层，以及至少一个数据层；该方法包括用下式(I)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为1.2mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。57.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中该数据存储介质包含一个包含聚合物的衬底层，以及至少一个数据层；该方法包括用下式(I)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为0.6mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。58.一种通过测量多层制品从多于一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，用下式(II)计算水致形变 其中，t为衬底厚度；ρ为预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。59.如权利要求58所述的方法，其中该制品包括数据存储介质。60...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉米什哈里哈兰，托马斯P费斯特，格兰特海，凯瑟琳L朗利，维特C布什科，艾琳德里斯，阿扎阿利扎德，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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