具有屏蔽功能的芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开具有屏蔽功能的芯片封装结构，包括：芯片封装用基底，包括第三衬底、位于第三衬底一侧的金属屏蔽层以及若干嵌入至第三衬底和金属屏蔽层内的导电柱，导电柱一端与第三衬底一面平齐，另一端凸出于金属屏蔽层形成凸台；还包括位于金属屏蔽层上的介电层和嵌入至介电层内的具有若干凹槽的第一重布线层以及位于第一重布线层上的铜材质的第一种子层，凸台与凹槽对应连接，介电层开有供第一重布线层的焊盘区外露的孔位；若干芯片组，倒装于第三衬底上并与导电柱电连接；塑封层，位于第三衬底上并覆盖芯片组：若干金属凸块，植入焊盘区与第一重布线层电连接。本实用新型专利技术可有效降低芯片封装产生的翘曲，增强芯片电磁屏蔽功能，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
具有屏蔽功能的芯片封装结构


[0001]本技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种具有屏蔽功能的芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展，尤其是手机、笔记本、智能穿戴设备等产品的发展，芯片向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。
[0003]在封装过程中，由于塑胶、硅及金属等材料的热膨胀系数的差别，导致这几种材料的体积变化不同步，从而产生应力并导致翘曲。其中，芯片与注塑材料热膨胀系数的差别使注塑材料冷却过程中产生的应力是封装技术中翘曲产生的最主要原因。
[0004]此外，在芯片扇出型封装过程中，通常需要对包覆的倒装芯片的塑封层钻孔处理在电镀制作导电柱，从而实现将倒转芯片电性引出。在开孔过程中，开孔的深度不易控制，容易损伤芯片或者击穿其他导电线路，影响芯片封装结构的良率。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种具有屏蔽功能的芯片封装结构，可以有效降低芯片封装产生的翘曲，并能使芯片具有电磁屏蔽功能，提高了芯片封装结构的良率。
[0006]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]提供一种具有屏蔽功能的芯片封装结构，包括：
[0008]芯片封装用基底，包括第三衬底、位于所述第三衬底一侧的金属屏蔽层以及若干嵌入至所述第三衬底和所述金属屏蔽层内的导电柱，所述导电柱的一端与所述第三衬底远离所述金属屏蔽层的一面平齐，另一端凸出于所述金属屏蔽层形成凸台；还包括位于所述金属屏蔽层远离所述第三衬底一侧的介电层和嵌入至所述介电层内的具有若干凹槽的第一重布线层以及位于所述第一重布线层远离介电层一侧的铜材质的第一种子层，所述凹槽的开口位于所述第一重布线层靠近所述金属屏蔽层的一侧，所述凸台与所述凹槽一一对应连接，所述介电层开设有供所述第一重布线层的焊盘区外露的孔位；
[0009]若干芯片组，倒装于所述第三衬底远离所述金属屏蔽层的一侧并与所述导电柱电连接；
[0010]塑封层，位于所述第三衬底上并覆盖所述芯片组：
[0011]若干金属凸块，植入所述焊盘区与所述第一重布线层电连接。
[0012]本技术的金属屏蔽层位于芯片封装结构的内部，并位于第三衬底的一侧，可以有效降低芯片封装过程中产生的翘曲现象，增强了芯片封装结构的电磁屏蔽效果，提高了芯片封装用基底结构的良率。
[0013]作为具有屏蔽功能的芯片封装结构的一种优选方案，还包括位于所述第三衬底上的第二种子层和位于所述第二种子层上的第二重布线层，所述第二重布线层与所述导电柱
电连接，若干所述芯片组倒装于所述第二重布线层上并与所述第二重布线层电连接，所述塑封层位于所述第三衬底远离所述金属屏蔽层的一侧并覆盖所述芯片组。
[0014]作为具有屏蔽功能的芯片封装结构的一种优选方案，所述芯片封装用基底还包括金属连接层，所述金属连接层填充于所述导电柱与所述凹槽之间，以连接导电柱和凹槽。
[0015]进一步地，所述金属连接层、所述导电柱和所述第一重布线层的材质相同，以提高连接稳定性。
[0016]更进一步地，所述金属连接层、所述导电柱和所述第一重布线层均为铜材质，可以进一步提高连接稳定性，使电信号传输更稳定。
[0017]作为具有屏蔽功能的芯片封装结构的一种优选方案，所述凸台为半球形结构或者锥形结构，所述凹槽为与所述凸台相配合的半球面结构或者锥形结构。
[0018]作为具有屏蔽功能的芯片封装结构的一种优选方案，所述金属屏蔽层为铜、银、钛化钨材质中的任一种，以提高芯片封装结构的电磁屏蔽效果。
[0019]作为具有屏蔽功能的芯片封装结构的一种优选方案，所述第三衬底为玻璃材质。
[0020]本技术的有益效果：本技术直接在玻璃材质的第二衬底上成型具有凹槽结构的第一重布线层，并在玻璃材质的第三衬底上制作具有凸台的导电柱，通过导电柱插入凹槽内与第一重布线层连接以制得用于封装芯片的芯片封装用基底，避免了贴装芯片后再开孔制作导电柱产生的不良影响，同时降低了芯片封装过程中产生的翘曲现象，金属屏蔽层位于芯片封装结构的内部并位于芯片组的一侧，可以有效增强芯片封装结构的电磁屏蔽效果，提高产品良率。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本技术实施例一所述的第一感光干膜贴于第一衬底上的剖视示意图。
[0023]图2是本技术实施例一所述的第一感光干膜曝光显影后的剖视示意图。
[0024]图3是本技术实施例一所述的在第一衬底上制作第一重布线层后的剖视示意图。
[0025]图4是本技术实施例一所述的去除残留的第一感光干膜后的剖视示意图。
[0026]图5是本技术实施例一所述的介电层贴于第一衬底上并覆盖第一重布线层后的剖视示意图。
[0027]图6是本技术实施例一所述的去除第一衬底并将介电层贴于第二衬底后的剖视示意图。
[0028]图7是本技术实施例一所述的第三衬底上制作金属屏蔽层后的剖视示意图。
[0029]图8是本技术实施例一所述的第三衬底和金属屏蔽层开设TGV通孔后的剖视示意图。
[0030]图9是本技术实施例一所述的TGV通孔内电镀制作导电柱后的剖视示意图。
[0031]图10是本技术实施例一所述的第一子基底和第二子基底贴合后的剖视示意
图。
[0032]图11是本技术实施例一所述的芯片组倒装于芯片封装用基底上并与导电柱一端面电连接后的剖视示意图。
[0033]图12是本技术实施例一所述的芯片组塑封后的剖视示意图。
[0034]图13是本技术实施例一所述的植入金属凸块后的剖视示意图。
[0035]图14是本技术实施例二所述的在第三衬底上制作第二重布线层后的剖视示意图。
[0036]图15是本技术实施例二所述的芯片组倒装于第二重布线层上的剖视示意图。
[0037]图16是本技术实施例二所述的芯片组塑封后的剖视示意图。
[0038]图17是本技术实施例二所述的植入金属凸块后的剖视示意图。
[0039]图中：
[0040]11、第一衬底；12、凸点；13、第一感光干膜；14、第一重布线层；15、介电层；16、第二衬底；17、凹槽；21、第三衬底；22、金属屏蔽层；23、TGV通孔；24、导电柱；25、第二重布线层；31、芯片组；32、塑封层；33、金属凸块。
具体实施方式
[0041]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有屏蔽功能的芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片封装用基底，包括第三衬底、位于所述第三衬底一侧的金属屏蔽层以及若干嵌入至所述第三衬底和所述金属屏蔽层内的导电柱，所述导电柱的一端与所述第三衬底远离所述金属屏蔽层的一面平齐，另一端凸出于所述金属屏蔽层形成凸台；还包括位于所述金属屏蔽层远离所述第三衬底一侧的介电层和嵌入至所述介电层内的具有若干凹槽的第一重布线层以及位于所述第一重布线层远离所述介电层一侧的铜材质的第一种子层，所述凹槽的开口位于所述第一重布线层靠近所述金属屏蔽层的一侧，所述凸台与所述凹槽一一对应连接，所述介电层开设有供所述第一重布线层的焊盘区外露的孔位；若干芯片组，倒装于所述第三衬底远离所述金属屏蔽层的一侧并与所述导电柱电连接；塑封层，位于所述第三衬底上并覆盖所述芯片组：若干金属凸块，植入所述焊盘区与所述第一重布线层电连接。2.根据权利要求1所述的具有屏蔽功能的芯片封装结构，其特征在于，还包括位于所述第三衬底上的第二种子层和位于所述第二种子层上的第二重布线层，所述第二重布线...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔成强，杨斌，罗绍根，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，
类型：新型
国别省市：