一种MircoOLED的PDL结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种应用于Micro OLED技术领域的Mirco OLED的PDL结构，所述的Mirco OLED的PDL结构包括CMOS基板层(a)、Anode层(b)、PDL遮光隔离层(c)、OLED层(d)、TFE层(e)、OC1层(f)、RGB层(g)、OC2层(h)，所述的PDL遮光隔离层(c)选用黑色有机材料，本实用新型专利技术所述的MircoOLED的PDL结构，通过对PDL结构的改进，有效解决因PDL角度容易导致阴极断裂的问题，能够改善混色，避免横向导通造成串扰的问题，提高Mirco OLED整体性能。OLED整体性能。OLED整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种Mirco OLED的PDL结构


[0001]本技术属于Micro OLED
，更具体地说，是涉及一种Mirco OLED的PDL结构。

技术介绍

[0002]Micro OLED显示技术是指以自发光的微米量级的OLED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度OLED阵列的显示技术。现有Mirco OLED的PDL工艺使用有机PDL或无机PDL，工艺难度大，稳定性要求高，无法控制阳极反射光区域及存在阴极断裂等问题，严重影响Micro OLED使用性能，故需要寻找新的PDL方案改善工艺。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，通过对PDL结构的改进，能够有效解决因PDL角度容易导致阴极断裂的问题，并且能够改善混色，避免了横向导通造成串扰的问题，提高Mirco OLED整体性能的Mirco OLED的PDL结构。
[0004]要解决以上所述的技术问题，本技术采取的技术方案为：
[0005]本技术为一种Mirco OLED的PDL结构，所述的Mirco OLED的PDL结构包括CMOS基板层、Anode层、PDL遮光隔离层、OLED层、TFE层、OC1层、RGB层、OC2层，所述的PDL遮光隔离层选用黑色有机材料。
[0006]所述的CMOS基板层一侧表面设置Anode层。
[0007]所述的Anode层一侧表面设置PDL遮光隔离层。
[0008]所述的Anode层一侧表面设置OLED层，OLED层一侧表面设置TFE层。
[0009]所述的TFE层一侧表面设置OC1层。
[0010]所述的OC1层一侧表面设置RGB层。
[0011]所述的RGB层一侧表面设置OC2层。
[0012]所述的PDL遮光隔离层设置多个。
[0013]采用本技术的技术方案，能得到以下的有益效果：
[0014]本技术所述的Mirco OLED的PDL结构，CMOS基板层、Anode层、PDL遮光隔离层、OLED层、TFE层、OC1层、RGB层、OC2层这些不同层粘连在一起，形成Mirco OLED的PDL结构。而PDL遮光隔离层c选用黑色有机材料后，整个Mirco OLED的PDL结构的性能得到提升，可以达到如下预期：PDL遮光隔离层的厚度Margin可根据需求调整，且角度调整Margin增大；使用PDL遮光隔离层后避免横向串扰问题的产生；通过使用黑色有机材料制成的PDL遮光隔离层c可以起到遮光作用，可控制阳极出射光的面积及角度，从而达到改善混色的效果。本技术所述的Mirco OLED的PDL结构，通过对PDL结构的改进，有效解决因PDL角度容易导致阴极断裂的问题，能够改善混色，避免横向导通造成串扰的问题，提高Mirco OLED整体性能。
附图说明
[0015]下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
[0016]图1为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作Anode层后的结构示意图；
[0017]图2为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作PDL遮光隔离层后的结构示意图；
[0018]图3为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作OLED层和TFE层后的结构示意图；
[0019]图4为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作OC1层后的结构示意图；
[0020]图5为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作RGB层后的结构示意图；
[0021]图6为本技术所述的Mirco OLED的PDL结构制作OC2层后的结构示意图；
[0022]附图中标记分别为：a、CMOS基板层；b、Anode层；c、PDL遮光隔离层；d、OLED层；e、TFE层；f、OC1；g、RGB层；h、OC2层。
具体实施方式
[0023]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
[0024]如附图1
‑
附图6所示，本技术为一种Mirco OLED的PDL结构，所述的Mirco OLED的PDL结构包括CMOS基板层a、Anode层b、PDL遮光隔离层c、OLED层d、TFE层e、OC1层f、RGB层g、OC2层h，所述的PDL遮光隔离层c选用黑色有机材料。上述结构，针对现有技术中存在的问题提出技术改进，有效解决技术问题，提升整体性能。CMOS基板层a、Anode层b、PDL遮光隔离层c、OLED层d、TFE层e、OC1层f、RGB层g、OC2层h这些不同层粘连在一起，形成Mirco OLED的PDL结构。而PDL遮光隔离层c选用黑色矩阵(BM)有机材料。整个Mirco OLED的PDL结构的性能得到提升，可以达到如下预期：PDL遮光隔离层c的厚度Margin可根据需求调整，且角度调整Margin增大；使用PDL遮光隔离层c后避免横向串扰问题的产生；通过使用黑色有机材料制成的PDL遮光隔离层c可以起到遮光作用，可控制阳极出射光的面积及角度，达到改善混色的效果。本技术所述的Mirco OLED的PDL结构，结构简单，通过对PDL结构的改进，能够有效解决因PDL角度容易导致阴极断裂的问题，并且能够改善混色，避免了横向导通造成串扰的问题，提高Mirco OLED整体性能。
[0025]所述的Anode层b一侧表面设置PDL遮光隔离层c。所述的Anode层b一侧表面设置OLED层d，OLED层d一侧表面设置TFE层e。所述的TFE层e一侧表面设置OC1层f。所述的OC1层f一侧表面设置RGB层g。所述的RGB层g一侧表面设置OC2层h。所述的PDL遮光隔离层c设置多个。本技术所述的Mirco OLED的PDL结构，制作步骤如下：制作Anode层；制作PDL遮光隔离层；OLED层和TFE层制作；OC1层制作；RGB层制作；OC2层制作。上述结构，针对现有技术中存在的问题提出技术改进，有效解决技术问题，提升整体性能。CMOS基板层a、Anode层b、PDL遮光隔离层c、OLED层d、TFE层e、OC1层f、RGB层g、OC2层h这些不同层粘连在一起，形成Mirco OLED的PDL结构。而PDL遮光隔离层c选用黑色有机材料后，整个Mirco OLED的PDL结构的性能得到提升，可以达到如下预期：PDL遮光隔离层c的厚度Margin可根据需求调整，且角度调整Margin增大；使用PDL遮光隔离层c后避免横向串扰问题的产生；通过使用黑色有机材料
制成的PDL遮光隔离层c可以起到遮光作用，可控制阳极出射光的面积及角度，从而达到改善混色的效果。
[0026]上面结合附图对本技术进行了示例性的描述，显然本技术具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mirco OLED的PDL结构，其特征在于：所述的Mirco OLED的PDL结构包括CMOS基板层(a)、Anode层(b)、PDL遮光隔离层(c)、OLED层(d)、TFE层(e)、OC1层(f)、RGB层(g)、OC2层(h)，所述的PDL遮光隔离层(c)选用黑色有机材料。2.根据权利要求1所述的Mirco OLED的PDL结构，其特征在于：所述的CMOS基板层(a)一侧表面设置Anode层(b)。3.根据权利要求2所述的Mirco OLED的PDL结构，其特征在于：所述的Anode层(b)一侧表面设置PDL遮光隔离层(c)。4.根据权利要求3所述的Mirco OLED的P...

【专利技术属性】
技术研发人员：任艳刚，李雪原，韩旭，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：