发光器件及制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:30544890 阅读:26 留言:0更新日期:2021-10-30 13:23
本公开的实施例提供了一种发光器件及制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用以解决在保证发光器件的电性能和/或微腔效应的基础上,使得发光器件可以激发SPP耦合出光的问题。该发光器件包括相对设置的第一电极、第二电极,第二电极包括第一表面,第一表面具有第一区域和除了第一区域以外的第二区域,第二电极的第一表面为第二电极远离所述第一电极的表面中的至少一部分。发光器件还包括位于第二电极的第一表面上的成核抑制图案层和金属图案层。成核抑制图案层覆盖第二电极的第一表面的第一区域,且包括间隔分布的多个成核抑制微图案;述金属图案层覆盖第二电极的第一表面的第二区域,且露出成核抑制微图案的至少一部分。且露出成核抑制微图案的至少一部分。且露出成核抑制微图案的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及制作方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种发光器件及制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,可以简称为OLED)具有轻便、响应速度快、工作电压低、色域宽、视角广、高亮度、低功耗等众多优点,在固态照明和显示领域都有着巨大的应用前景和市场价值。
[0003]然而,OLED器件的耦合出光效率较低,限制了OLED器件的应用。具体地,在OLED器件中,激子发光只有不足20%的光子能够辐射出器件,即大于80%的能量由于被金属吸收、或以基底、波导、金属电极表面等离子体激元(Surface Plasmon Polariton,可以简称为SPP)等模式被损耗。普遍来说,超过40%的光因为SPP模式而被局限在OLED器件中,此外,还有波导模式及基板模式各占15%与23%,4%为由于金属吸收造成的损耗。
[0004]SPP存在于金属和介质的界面(例如OLED器件中的金属电极层和与该金属电极相邻的介质层之间的界面)上,是光场和金属表面自本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括:相对设置的第一电极和第二电极,所述第二电极包括第一表面,所述第一表面具有第一区域和除了所述第一区域以外的第二区域,所述第二电极的第一表面为所述第二电极远离所述第一电极的表面中的至少一部分;位于所述第二电极的第一表面上的成核抑制图案层,所述成核抑制图案层覆盖所述第二电极的第一表面的第一区域,且包括间隔分布的多个成核抑制微图案;位于所述第二电极的第一表面上的金属图案层,所述金属图案层覆盖所述第二电极的第一表面的第二区域,且露出所述成核抑制微图案的至少一部分。2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述金属图案层为金属光栅。3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,至少一个成核抑制微图案为点状图案。4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述多个成核抑制微图案中,至少两个成核抑制微图案为大小不同的点状图案。5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述成核抑制图案层包括有机分子,所述有机分子包括一核心部分以及键结至所述核心部分的一终端部分,且所述终端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或伸苯基部分。6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述成核抑制图案层是透明的。7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述金属图案层包括镁。8.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,还包括:位于所述金属图案层和所述成核抑制图案层远离所述第一电极一侧的光耦合层。9.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述金属图案层的厚度大于或等于5nm且小于或等于10nm。10.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述金属图案层的厚度大于或等于所述成核抑制图案层的厚度。11.一种发光器件,其特征在于,包括:相对设置的第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊燕李鑫
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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