钴铬薄膜中具有高硼或高碳添加剂的多层垂直介质制造技术

技术编号:3060717 阅读:144 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
将碳或硼添加到多层垂直磁介质结构的钴铬层中可以减少介质噪音。这种垂直磁介质结构在Co合金层和Pd或Pt层之间拥有明显的分界面并且明显减少结合交换。根据本发明专利技术的一个具体实施例,添加有碳或硼的垂直磁介质结构具体为:700*FeCo↓[30.8]B↓[12]/20*TaOx/700*FeCo↓[30.8]B↓[12]/20*TaOx/700*FeCo↓[30.8]B↓[12]/20*TaOx/158*FeCo↓[30.8]B↓[12]/17*Ta/49*ITO/33*CoCr↓[37]Ru↓[10]/2.5*CO↓[y]/2.5*C/[(CoCr↓[9])C↓[6.8]/Pd]↓[19]/50*CHN。[(CoCr↓[9])C↓[6.8]/Pd]↓[19]表示19个双层(CoCr↓[9])C↓[6.8]/Pd的叠层结构。TaO↓[x]表示表面经过氧化处理的钽。CO↓[y]表示碳的氧化物。ITO表示铟锡氧化物,分别由80%克分子的In↓[2]O↓[3]和20%克分子的Sn↓[2]O↓[5]组成。CHN表示经过氢化氮化处理过的碳。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
本申请要求美国临时申请的优先权,序号为60/368,601,2002年3月29日申请。
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及磁盘驱动器存储领域,更具体是涉及一种多层垂直磁介质。2.现有技术描述传统的磁盘驱动器利用磁性进行记录、存储和读取数字数据。数据在一张或几张由马达带动旋转的磁盘进行记录和读取,磁盘以每分钟1000转(rpm)的速度旋转。数据通过垂直排列的读/写头组件在磁盘上进行记录和读取,由执行器组件控制其从一个数据磁道移动到另一个数据磁道。组成传统硬盘驱动器的三大部件是磁介质,读/写头组件和马达。磁介质是用于磁性记录数字数据的媒介,一般包括层状结构,其中至少含有一个磁性材料层,如CoCrPtB,拥有很高的矫顽磁力以及残余力矩。读/写头组件一般包括读传感器和由附在执行器上的空气轴承滑块支撑的写线圈。该滑块配合薄的空气层以流体动力学关系动作,该空气层被旋转的磁盘牵引,使头组件靠近磁盘表面飞转。执行器用来将头组件从一个磁道移动到另一个磁道,常用的是旋转音圈执行器。一种典型的旋转音圈执行器包括回转轴,该轴固定连接在与磁盘外径紧密相临的磁盘驱动器上。驱动马达用来以高于每分钟1000转的速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质,包括:非磁性材料的衬底;喷涂在所述衬底上的含有钴(Co)、铬(Cr)和硼(B)的第一层;选自钯(Pd)和铂(Pt)的第二层X,被喷涂到所述的第一层上,从而形成双层结构,所述的CoCrB层与X层接触,所 述的次级层拥有垂直的磁各向异性和低噪音。

【技术特征摘要】
US 2002-3-29 60/368,6011.一种磁记录介质,包括非磁性材料的衬底;喷涂在所述衬底上的含有钴(Co)、铬(Cr)和硼(B)的第一层;选自钯(Pd)和铂(Pt)的第二层X,被喷涂到所述的第一层上,从而形成双层结构,所述的CoCrB层与X层接触,所述的次级层拥有垂直的磁各向异性和低噪音。2.如权利要求1中所述的磁记录介质,其特征在于,所述的双层结构包括CoCrB/X的结构,其中所述的X层直接喷涂到所述CoCrB层上,并与其相接触。3.如权利要求1中所述的磁记录介质,其特征在于,所述的双层结构包括X/CoCrB结构,其中所述的CoCrB层直接喷涂到所述X层上,并与其相接触。4.如权利要求1中所述的磁记录介质,还包括若干个所述的双层结构连续相互向上叠加,构成低噪音的垂直磁记录介质。5.如权利要求1中所述的磁记录介质,其特征在于所述的CoCrB层包含4到30的硼(B)原子百分数。6.如权利要求1中所述的磁记录介质,其特征在于所述的低噪音包括比11.3dB大的信噪比。7.一种磁记录介质,包括非磁性材料的衬底;直接喷涂在所述衬底上的含有钴(Co)、铬(Cr)和碳(C)的第一层;选自钯(Pd)和铂(Pt)的第二层X,被喷涂到所述的第一层上,从而形成双层结构,所述的CoCrC层与X层接触,所述的次级层具有垂直的磁各向异性和低噪音。8.如权利要求7中所述的磁记录介质,其特征在于,所述的双层结构包括CoCrC/X的结构,其中所述的X层直接喷涂到CoCrC层上,并与其相接触。9.如权利要求7中所述的磁记录介质,其特征在于,所述的双层结构包括X/CoCrC结构,其中所述的CoCrC层直接喷涂到X层上,并与其相接触。10.如权利要求7中所述的磁记录介质,还包括若干个所述的双层结构连续相互向上叠加,构成低噪音的垂直磁记录介质。11.如权利要求7中所述的磁记录介质,其特征在于所述的CoCrC层包含4到30的碳(C)原子百分数。12.如权利要求7中所述的磁记录介质,其特征在于所述的低噪音包括比11.3dB大的信噪比。13.一种磁记录介质,包括非磁性材料的衬底;底层,它包含软磁材料层,或者被非磁性隔离层隔离的若干软磁材料层;至少一个非磁性夹层;垂直各向异性记录层,由含有钴、铬和从硼、碳、硅、磷组成的组中选出的一种元素构成的第一层。14.如权利要求13所述的磁记录介质,其特征在于所述的软磁材料包括钴、铁、硼。15.如权利要求13所述的磁记录介质,其特征在于所述的非磁性隔离层...

【专利技术属性】
技术研发人员:Q陈C布鲁克RY兰简
申请(专利权)人:希捷科技有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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