磁记录媒体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁记录媒体的制造方法，该制造方法能够高效率地制造具有以凹凸图案形成的记录层、且记录.再现特性良好的磁记录媒体。其构成为：包括非磁性材料填充工序（Ｓ１０４）和平坦化工序，而且平坦化工序包括前段平坦化工序（Ｓ１０６）和用于精加工的后段平坦化工序（Ｓ１０８）；该非磁性材料填充工序（Ｓ１０４）中，在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层上形成非磁性材料的膜，而填充凹凸图案的凹部；该平坦化工序中，将记录层上的剩余的非磁性材料用干刻法除去，并平坦化表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记录层以凹凸图案形成的。
技术介绍
一直以来，硬盘等磁记录媒体都是力求通过记录层磁性颗粒的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等的改良，实现显著提高面记录密度的目的，以后仍然期待着进一步提高面记录密度。然而，由磁头的加工限度、磁场扩大引起的干扰条纹(サイドフリンジ/sidefringe)、交调矢真(クロスト一ク/cross talk)等问题也突显出来，由现有的改良方法的面记录密度的提高已达到了极限，因此，作为可实现进一步提高面记录密度的磁记录媒体的候补，提出有将记录层由规定的凹凸图案形成的离散(discrete)磁道媒体和模式化(patterned；晶格)媒体等的磁记录媒体(例如参考日本专利特开平9-97419号公报)。一方面，由于如果媒体表面是凹凸图案则磁头·滑触头的漂浮高度变得不稳定，记录·再现特性恶化，因此有必要在凹凸图案的记录层上形成非磁性材料的膜而填充凹部，除去记录层上的多余的非磁性材料并使表面平坦化。作为将记录层加工成凹凸图案的方法，可利用干蚀刻的方法。此外，作为形成非磁性材料的膜的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的溅蚀法等的成膜技术。此外，关于除去记录层上的多余的非磁性材料并使其平坦化的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的CMP(化学机械抛光法/ChemicalMechanical Polishing)等加工技术。然而，CMP方法有在为除去料浆而在洗净等方面上需要多时间、成本的问题。进一步，CMP方法因为是湿处理过程，所以存在如果与记录层的加工过程等的干处理过程组合，则被加工物体的搬运等变得烦杂，制造过程整体的效率降低的问题。也就是说，如果在平坦化过程中采用CMP方法，则存在生产效率低的问题。另外，CMP方法对加工量的控制不容易，使加工终点(end point)收敛于数nm的范围是困难的。所以，存在记录层的上面残留非磁性材料，或加工记录层的一部分的情况，由此，会有记录·再现特性恶化。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的问题而成，其课题在于提供一种，该方法能够效率良好地制造磁记录媒体，该磁记录媒体具有以凹凸图案形成的记录层，可得到磁头·滑触头的漂浮稳定性，且记录·再现特性良好。专利技术人在想到该专利技术的过程中，试过了利用离子束蚀刻等干刻方法而除去记录层上的多余的非磁性材料，使其平坦化。离子束蚀刻等干刻法，因为具有将膜的突出了的部位比其它部位选择性地快速除去的倾向，所以平坦化效果高。此外，不用如CMP方法的湿处理，而利用干刻法，由此不需要料浆的清洗，同时与其它干处理组合，由此提高制造工序整体的效率。进而，干刻法比较容易使加工终点收敛在数nm范围。所以，考虑到了能够效率良好地制造表面充分平坦的磁记录媒体。然而，虽然通过利用离子束蚀刻等干刻法可达到将表面充分平坦化到所需的水平，但为了达到所需水平的平坦化、使加工终点收敛在数nm范围，就必须按照蚀刻率变低的方式设定蚀刻条件，不能实现生产效率的充分的提高。并且，虽然通过调整蚀刻条件可提高蚀刻率，但该情况下，将表面充分平坦化到所需水平是有困难的，同时，使加工终点收敛在数nm范围也是困难的。也就是说，使充分的平坦化和精密的加工量的控制，和生产效率的提高，这两者都能实现是困难的。所以，专利技术人进一步专心研究的结果，想到了下述的本专利技术，即平坦化工序为包括前段平坦化工序和后段平坦化工序的构成，在以生产效率高的蚀刻条件下执行前段平坦化工序后，在后段平坦化工序中精密地控制加工终点，同时使表面加工成为充分平坦化。并且，平坦化工序与其它工序相比，加工时间容易变长，但通过将平坦化工序分割为前段平坦化工序和后段平坦化工序，将各平坦化工序所需的时间，接近于平坦化工序的前工序和后工序的至少一个的工序中所需的时间，由此可以抑制平坦化工序成为制造工序整体的关键的问题，从而可以提高生产效率。即，通过如下的本专利技术，能够实现解决上述课题。(1)一种，其特征在于，该制造方法构成为包括非磁性材料填充工序和平坦化工序，并且该平坦化工序包含前段平坦化工序和用于精加工的后段平坦化工序；该非磁性材料填充工序中，在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料膜，由此填充前述凹凸图案的凹部；该平坦化工序中，通过干刻法除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。(2)根据前述(1)的，其特征在于，前述平坦化工序，前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率比前述后段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率高。(3)根据前述(2)的，其特征在于，前述平坦化工序，与前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的加工量相比，前述后段平坦化工序中的前述非磁性材料的加工量少。(4)根据前述(1)至(3)中的任意一项所述的，其特征在于，前述平坦化工序，与将前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率用前述记录层的蚀刻率除算而得的值相比，将前述后段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率用前述记录层的蚀刻率除去而得的值接近于1。(5)根据前述(1)至(4)中的任意一项所述的，其特征在于，前述平坦化工序，与前述前段平坦化工序得到的表面粗糙度相比，前述后段平坦化工序得到的表面粗糙度小。(6)根据前述(1)至(3)中的任意一项所述的，其特征在于，前述非磁性材料填充过程采用在前述基板上附加偏置功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。并且，本申请中的“以凹凸图案形成的记录层”是以包含下述意义上采用的，即除了分割为多个记录要素的记录层以外，还有部分地分割而使得一部分连续的记录层，如螺旋状的涡卷状的记录层那样在基板上的一部分连续而形成的记录层，形成凸部和凹部两方的连续的记录层。此外，本申请中的“蚀刻率”是以下述意义上采用的，即由蚀刻产生的每单位时间的加工量。此外，本申请中的“磁记录媒体”是以包含下述意义上采用的，即不限于信息的记录、读取中只使用磁盘、软盘(登录商标)、磁带等，还包括磁和光并用的MO(Magneto Optical)等的光磁记录媒体、磁和热并用的热辅助型记录媒体。本专利技术中，以生产率高的蚀刻条件执行前段平坦化工序后，在后段平坦化工序中充分平坦地精整工表面，从而能够精密地控制加工终点的同时效率良好地充分平坦化表面。此外，将前段平坦化工序、后段平坦华工序所需的时间与平坦化工序的前工序和后工序的至少一个工序中所需的时间接近，从而能够使生产效率提高。附图说明图1是典型地表示与本专利技术的第1实施方式相关的被加工体的加工毛胚的构造的侧断面图；图2是典型地表示加工同一被加工体而得到的磁记录媒体的构造的侧断面图；图3是表示同一磁记录媒体的制造工序的概要的流程图；图4是典型地表示表面上形成了记录要素的前述被加工体的形状的侧断面图；图5是典型地表示记录要素上形成非磁性材料的膜，凹部用非磁性材料填充后的前述被加工体的形状；图6是表示利用Ar气体的离子束蚀刻中的入射角和蚀刻率之间的关系的曲线图；图7是典型地表示前段平坦化工序后的前述被加工体的形状的侧断面图；图8是典型地表示后段平坦化工序后的前述被加工体的形状的侧断面图；图9是表示利用Ar气体和C2F6气体的离子束蚀刻中的Ar气体的流量比率和蚀刻率之间的关系的曲线图。具体实施例方式下面，参照附图，详细说明本专利技术的优选实施方式。本专利技术的第一实施方式涉及制造，其在非磁性材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于，该制造方法构成为包括非磁性材料填充工序和平坦化工序，并且该平坦化工序包含前段平坦化工序和用于精加工的后段平坦化工序；该非磁性材料填充工序中，在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料膜，由此填充前述凹凸图案的凹部；该平坦化工序中，通过干刻法除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。

【技术特征摘要】
JP 2004-2-10 2004-0328561.一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于，该制造方法构成为包括非磁性材料填充工序和平坦化工序，并且该平坦化工序包含前段平坦化工序和用于精加工的后段平坦化工序；该非磁性材料填充工序中，在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料膜，由此填充前述凹凸图案的凹部；该平坦化工序中，通过干刻法除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。2.根据权利要求1的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率比前述后段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率高。3.根据权利要求2的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，与前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的加工量相比，前述后段平坦化工序中的前述非磁性材料的加工量少。4.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，与将前述前段平坦化工序中的前述非磁性材料的蚀刻率用前述记录层的蚀刻率除算而得的值相比，将前述后段平坦化工序中的前述非...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，大川秀一，诹访孝裕，日比干晴，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]