磁记录媒体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够效率良好地制造磁记录媒体的制造方法，该磁记录媒体具有以凹凸图案形成的记录层、表面充分平坦且记录再现精度良好。其构成为包括下述工序：非磁性材料填充工序（Ｓ１０４），其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序（Ｓ１０６），其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记录层以凹凸图案形成的。
技术介绍
一直以来，硬盘等磁记录媒体都是力求通过记录层磁性颗粒的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等的改良，实现显著提高面记录密度的目的，以后仍然期待着进一步提高面记录密度。然而，由磁头的加工限度、磁场扩大引起的干扰条纹(サイドフリンジ/sidefringe)、交调矢真(クロスト一ク/cross talk)等问题也突显出来，由现有的改良方法的面记录密度的提高已达到了极限，因此，作为可实现进一步提高面记录密度的磁记录媒体的候补，提出有将记录层由规定的凹凸图案形成的离散(discrete)磁道媒体和离散位(discrete bit)媒体等所谓的模式化(patterned；晶格)媒体等的磁记录媒体(例如参考日本专利特开平9-97419号公报)。一方面，由于如果媒体表面是凹凸图案则磁头·滑触头的漂浮高度变得不稳定，记录·再现特性恶化，因此有必要在凹凸图案的记录层上形成非磁性材料的膜而填充凹部，除去记录层上的多余的非磁性材料并使表面平坦化。作为将记录层加工成凹凸图案的方法，可利用干蚀刻的方法。此外，作为形成非磁性材料的膜的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的溅蚀法等的成膜技术。此外，关于除去记录层上的多余的非磁性材料并使其平坦化的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的CMP(化学机械抛光法/ChemicalMechanical Polishing)等加工技术。日本专利特开平9-97419号公报然而，CMP方法以1～2nm程度的毫微量级精密地控制加工量是有困难的，因此存在加工不充分在记录层上残留非磁性材料，或加工过大而除去记录层的一部分的情况，由此，就会发生记录层的磁特性会恶化的情况。此外，使用CMP方法后，也会出现料浆与记录层反应而导致记录层磁特性的恶化的情况。进而，如果使用CMP方法，则会存在为除去料浆的清洗等需要大量时间、成本的问题。此外，CMP方法为湿处理过程，因此当与记录层的加工工序等的干处理过程组合时，会存在被加工物的搬运等变得烦杂，或作为制造工序整体会降低效率的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的问题而成，其课题在于，提供一种能够高效率地制造下述磁记录媒体的，该磁记录媒体具有以凹凸图案形成的记录层、表面充分平坦且记录再现精度良好。本专利技术，通过在除去记录层上的剩余的非磁性材料并平坦化的工序中，利用比CMP方法更容易控制加工量的离子束蚀刻法，解决了上述课题。这样，可以抑制平坦化工序中的记录层的加工。并且，不依赖于如CMP方法的湿处理，而利用干刻法的干处理，因此不需要料浆的清洗的同时，与其它干处理组合，从而能够提高制造工序整体的效率。进而，离子束蚀刻法具有将膜的突出部位比其它部位相比选择性地快速除去的倾向，可得到高的平坦化效果。并且，利用了这样的离子束蚀刻法的情况下，如果想要完全地除去记录层上的非磁性材料，则会有与非磁性材料一起除去记录层的很少一部分的情况。针对于此，专利技术者当初，尝试在记录层上形成比非磁性材料对离子束蚀刻的蚀刻率更低的终止膜。这样的话，在防止除去记录层的同时记录层上的非磁性材料能够被完全除去，但是由于追加形成终止膜的工序降低生产性降低，而且由于记录层上残留终止膜，降低记录·再现的灵敏度。所以，专利技术人进一步专心研究的结果，看出了下述结果，通过适当地设定离子束的入射角、加工用的气体的种类等的蚀刻条件，将记录层的蚀刻率，与非磁性材料的蚀刻率相比，抑制得更低，由此，能够将记录层的加工抑制在1nm程度以下，并且除去剩余的非磁性材料。即，依据如下述的本专利技术，能够实现解决上述课题。(1)一种，其特征在于包括下述工序非磁性材料填充工序，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。(2)根据前述(1)所述的，其特征在于，前述平坦化工序设定蚀刻条件，使得与对前述非磁性材料的蚀刻率相比，对前述记录层的蚀刻率低。(3)根据前述(1)或(2)所述的，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用惰性气体，同时将相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在规定的范围。(4)根据前述(1)或(2)所述的，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用卤素系气体。(5)根据前述(1)至(4)中任意一项所述的，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。(6)根据前述(1)至(5)中任意一项所述的，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。此外，本申请中，“以凹凸图案形成的记录层”是在下述的意义上所采用的，即除了分割为多记录要素的记录层以外，还包括部分地分割而使得一部分连续的记录层、以螺旋状的涡卷状的记录层在基板上部分连续的形成的记录层、形成凸部和凹部两方的连续记录层。此外，本申请中，“剩余的非磁性材料”是在下述意义上采用的，即比记录层的上面更靠上的上侧(基板的相反一侧)上存在的非磁性材料。此外，本申请中，“离子束蚀刻”这一用语是在下述的意义上采用的，即例如离子研磨等的、离子化后的气体照射到被加工体而除去的加工方法的总称。此外，本申请中，“离子束的入射角”是在下述意义上采用的，即离子束相对于被加工体的表面入射的角度，被加工体表面与离子束平均的照射方向所形成的角度。比如，离子束的中心轴与被加工体的表面平行的时候，入射角为0°，离子束的中心轴与被加工体的表面垂直的时候，入射角为+90°。此外，本申请中，“蚀刻率”是下述的意义上采用的，即由蚀刻产生的每单位时间的加工量。此外，本申请中，“磁记录媒体”是在下述的意义上采用的，即不只是限定于信息的记录、读取只使用磁性的硬盘、软盘(注册商标)、磁带等，还包括并用磁和光的MO(Magneto Optical)等的光磁记录媒体、并用磁和热的热辅助型记录媒体。本专利技术，通过利用离子束蚀刻，能够抑制平坦化工序中的记录层的加工。另外，将离子束的入射角限定在规定的范围，作为离子束蚀刻的加工用气体使用卤素系气体，从而可以在抑制记录层的除去的同时，能选择性地除去非磁性材料。这样，能够防止记录层的磁特性的恶化。此外，通过利用所谓离子束蚀刻的干处理，变得不需要料浆的清洗，进而与其它干处理组合，从而能够提高制造工序整体的效率。并且，通过利用离子束蚀刻，与比其它部位相比，可以选择性地快速除去膜的突出部位，能够得到高的平坦化效果。附图说明图1是典型地表示与本专利技术的第1实施方式有关的被加工体的加工毛胚的构造的侧面剖视图；图2是典型地表示加工同一被加工体而得到的磁记录媒体的构造的侧面剖视图；图3是表示同一磁记录媒体的制造工序的概要的流程图；图4是典型地表示表面上形成记录要素的前述被加工体的形状的侧面剖视图；图5是典型地表示记录要素上形成非磁性材料的膜，用非磁性材料填充凹部的前述被加工体的形状的侧面剖视图；图6是典型地表示前述被加工体的平坦化工序的侧面剖视图；图7是表示在作为同一平坦化工序中的加工用气体采用Ar气体的情况下的离子束的入射角和蚀刻率之间的关系的曲线图；图8是典型地表示平坦化工序后的前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于包括下述工序：非磁性材料填充工序，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。

【技术特征摘要】
JP 2004-2-23 2004-0469251.一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于包括下述工序非磁性材料填充工序，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。2.根据权利要求1所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序设定蚀刻条件，使得与对前述非磁性材料的蚀刻率相比，对前述记录层的蚀刻率低。3.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用惰性气体，同时将相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在规定的范围。4.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用卤素系气体。5.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。6.根据权利要求3所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，大川秀一，诹访孝裕，日比干晴，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]