一种铜箔及其加工方法技术

本发明专利技术提供一种铜箔及其加工方法。本发明专利技术的铜箔加工方法，包括：对初始铜箔依次进行粗化处理、第一固化处理、第二固化处理和第三固化处理，得到所述铜箔；其中，所述第一固化处理的电流密度小于所述第二固化处理的电流密度，所述第二固化处理的电流密度小于等于所述第三固化处理的电流密度；所述第二固化处理和/或所述第三固化处理的电流密度为50~80A/dm2。由于在第一固化处理的基础上，又进行了两次高电流密度的固化处理，能够形成具有牢固镀层的铜箔，进而使该铜箔在使用过程中，几乎不会产生铜粉，可以用于制备多层精细线路板。可以用于制备多层精细线路板。可以用于制备多层精细线路板。

【技术实现步骤摘要】
一种铜箔及其加工方法


[0001]本专利技术涉及电子铜箔制造
，特别涉及一种铜箔及其加工方法。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术的发展，多层精细线路板在高精度小型化电子产品中的用量日益增多。目前常使用铜箔压制成线路板，然而在使用铜箔压制形成线路板时，铜箔会脱落铜粉，脱落后的铜粉容易夹杂在基材中，会出现蚀刻不净和基材污染的问题，尤其是在使用铜箔压制多层精细线路板时，脱落的铜粉还容易造成多层精细线路板短路，严重影响线路板的产品质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种铜箔的加工方法，该加工方法可以获得在使用过程中不容易产生铜粉的铜箔。
[0004]本专利技术提供一种铜箔，该铜箔的表面镀层更牢固，在使用过程中不容易产生铜粉。
[0005]本专利技术提供一种铜箔的加工方法，包括：对初始铜箔依次进行粗化处理、第一固化处理、第二固化处理和第三固化处理，得到所述铜箔；其中，所述第一固化处理的电流密度小于所述第二固化处理的电流密度，所述第二固化处理的电流密度小于等于所述第三固化处理的电流密度；所述第二固化处理和/或所述第三固化处理的电流密度为50~80A/dm2。
[0006]如上所述的加工方法，其中，所述粗化处理包括：利用粗化液对所述初始铜箔进行电镀，得到粗化铜箔；所述粗化处理中：电流密度为20~70A/dm2，温度为15~40℃；所述粗化液中：硫酸的浓度为50~200g/L，铜离子的浓度为5~20g/ L，氯离子的浓度为10~40mg/ L。
[0007]如上所述的加工方法，其中，所述第一固化处理中：电流密度为10~40A/dm2，温度为40~50℃；和/或，所述第二固化处理中：温度为40~50℃；和/或，所述第三固化处理中：温度为40~50℃。
[0008]如上所述的加工方法，其中，所述第一固化处理包括：利用第一固化液对所述粗化铜箔进行电镀得到第一固化铜箔；所述第二固化处理包括：利用第二固化液对所述第一固化铜箔进行电镀得到第二固化铜箔；所述第三固化处理包括：利用第三固化液对所述第二固化铜箔进行电镀得到所述铜箔；所述第一固化液中铜离子的浓度小于所述第二固化液中铜离子的浓度，所述第二固化液中铜离子的浓度小于等于所述第三固化液中铜离子的浓度。
[0009]如上所述的加工方法，其中，所述第一固化液中：铜离子的浓度为30~50g/l，硫酸的浓度为50~150g/ L；和/或，所述第二固化液中：铜离子的浓度为60~90g/ L，硫酸的浓度为50~150g/ L ；和/或，所述第三固化液中：铜离子的浓度为60~90g/ L，硫酸的浓度为50~150g/ L。
[0010]如上所述的加工方法，其中，所述第一固化处理中：电流密度为20~40A/dm2，温度为40~45℃；所述第一固化液中：铜离子的浓度为40~50g/l，硫酸的浓度为80~150g/ L；和/或，所述第二固化处理中：电流密度为60~80A/dm2，温度为40~45℃；所述第二固化液中：铜离子的浓度为70~90g/ L，硫酸的浓度为80~150g/ L；和/或，所述第三固化处理中：电流密度为60~80A/dm2，温度为40~45℃；所述第三固化液中：铜离子的浓度为70~90g/ L，硫酸的浓度为80~150g/ L。
[0011]如上所述的加工方法，其中，在所述粗化处理之前还包括酸洗处理；所述酸洗处理的温度为30~40℃；用于所述酸洗处理的酸洗溶液中：硫酸的浓度为110~190g/ L，铜离子的浓度为20~30g/ L。
[0012]如上所述的加工方法，其中，在所述第三固化处理之后还包括防腐蚀处理；所述防腐蚀处理中：电流密度为3~8A/dm2，温度为30~60℃；用于所述防腐蚀处理的防腐蚀溶液中：锌离子的浓度为2~20g/ L，焦磷酸钾的浓度为70~350g/ L，且所述防腐蚀溶液的pH为9.0~10.0。
[0013]如上所述的加工方法，其中，在所述防腐蚀处理之后还包括防氧化处理；所述防氧化处理中：电流密度为5~8A/dm2, 温度为30~40℃；用于所述防氧化处理的防氧化剂中：六价铬离子的浓度为2~7g/L，且所述防氧化剂的pH为10.0~12.0。
[0014]本专利技术还提供一种铜箔，其中，通过如上所述的加工方法加工得到。
[0015]本专利技术提供一种铜箔的加工方法，该加工方法在第一固化处理的基础上，又进行了第二固化处理和第三固化处理，其中，第二固化处理的电流密度大于第一固化处理的电流密度，第三固化处理的电流密度大于等于第二固化处理的电流密度，第二固化处理和/或第三固化处理的电流密度为50~80A/dm2，由于在第一固化处理的基础上，又进行了两次高电流密度的固化处理，能够形成具有牢固镀层的铜箔，进而使该铜箔在使用过程中，几乎不会产生铜粉，可以用于制备多层精细线路板。
[0016]本专利技术提供一种铜箔，该铜箔的表面镀层牢固，在使用过程中，几乎不会产生铜粉，能够用于制备高质量的多层精细线路板。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或相关技术中的技术方案，下面对本专利技术实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0018]图1为本专利技术一些实施方式中加工铜箔的装置；图2为本专利技术实施例1中制得的铜箔的表面扫描电子显微镜（SEM）图；图3为本专利技术实施例2中制得的铜箔的SEM图；图4为本专利技术对比例1中制得的铜箔的表面SEM图；图5为本专利技术对比例2中制得的铜箔的表面SEM图；图6为本专利技术对比例3中制得的铜箔的表面SEM图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]本专利技术的第一方面提供一种铜箔的加工方法，包括：对初始铜箔依次进行粗化处理、第一固化处理、第二固化处理和第三固化处理，得到铜箔；其中，第一固化处理的电流密度小于第二固化处理的电流密度，第二固化处理的电流密度小于等于第三固化处理的电流密度；第二固化处理和/或第三固化处理的电流密度为50~80A/dm2。
[0021]本专利技术的铜箔加工方法，首先对初始铜箔进行粗化处理，提高初始铜箔的表面粗糙度，使初始铜箔易于加工；接着对粗化后的初始铜箔进行第一固化处理，使粗化后的初始铜箔表面形成镀层，镀层中具有好多的细小颗粒；接着对经第一固化处理后的初始铜箔进行第二固化处理，由于第二固化处理的电流密度大于第一固化处理的电流密度，可以使镀层中的细小颗粒更加精细，提高镀层的牢固性；最后对经第二固化处理的初始铜箔进行第三固化处理，由于第三固化处理的电流密度大于等于第二固化处理的电流密度，可以更进一步精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜箔的加工方法，其特征在于，包括：对初始铜箔依次进行粗化处理、第一固化处理、第二固化处理和第三固化处理，得到所述铜箔；其中，所述第一固化处理的电流密度小于所述第二固化处理的电流密度，所述第二固化处理的电流密度小于等于所述第三固化处理的电流密度；所述粗化处理包括：利用粗化液对所述初始铜箔进行电镀，得到粗化铜箔；所述粗化处理中：电流密度为20~70A/dm2，温度为15~40℃；所述粗化液中：硫酸的浓度为50~200g/L，铜离子的浓度为5~20g/ L，氯离子的浓度为10~40mg/ L；所述第一固化处理中：电流密度为10~40A/dm2，温度为40~50℃；所述第二固化处理中：电流密度为50~80A/dm2，温度为40~50℃；所述第三固化处理中：电流密度为50~80A/dm2，温度为40~50℃。2.根据权利要求1所述的一种铜箔的加工方法，其特征在于，所述第一固化处理包括：利用第一固化液对所述粗化铜箔进行电镀得到第一固化铜箔；所述第二固化处理包括：利用第二固化液对所述第一固化铜箔进行电镀得到第二固化铜箔；所述第三固化处理包括：利用第三固化液对所述第二固化铜箔进行电镀得到所述铜箔；所述第一固化液中铜离子的浓度小于所述第二固化液中铜离子的浓度，所述第二固化液中铜离子的浓度小于等于所述第三固化液中铜离子的浓度。3.根据权利要求2所述的一种铜箔的加工方法，其特征在于，所述第一固化液中：铜离子的浓度为30~50g/l，硫酸的浓度为50~150g/ L；和/或，所述第二固化液中：铜离子的浓度为60~90g/ L，硫酸的浓度为50~150g/ L ；和/或，所述第三固化液中：铜离子的浓度为60~90g/ L，硫酸的浓度为50~150g/ L。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾亮，李帅，闫瑞刚，周建华，顾凯越，
申请(专利权)人：江东电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：