【技术实现步骤摘要】
一种温度感应电路
[0001]本专利技术属于电子
,涉及一种温度感应电路。
技术介绍
[0002]在相关技术中,芯片集成温度感应电路如图1所示,需要芯片输出具有一定正温度系数的模拟电压信号反馈给信号处理器,处理器根据模拟电压信号判断芯片温度,从而在过温时控制输入信号的关断。处理器接收到的温度感应电压变化范围有一定的要求,但是单靠工艺提供的具有正温度系数的电阻温度变化系数较小。且电阻本身也存在非常大的工艺偏差,实际做出来随温度变化的电压范围也会存在非常大的偏差造成信号处理器对温度的误判断。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种温度感应电路,解决相关技术中温度感应电路受电阻工艺偏差的影响及温度变化系数小造成的温度检测不准确的问题。
[0004]为了解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:
[0005]本专利技术提供一种温度感应电路,所述温度感应电路包括偏置电流单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元;
[0006]所述偏置电流单元将电流偏置给所述负温度 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温度感应电路,其特征在于,所述温度感应电路包括偏置电流单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元;所述偏置电流单元将电流偏置给所述负温度系数产生单元和正温度系数产生单元,所述负温度系数产生单元根据偏置电流产生一路负温度系数电流,所述正温度系数产生单元根据所述偏置电流产生一路正温度系数电流,所述整合输出单元将所述正温度系数电流、所述负温度系数电流相减得到温度系数电流变化范围增加的输出电压。2.根据权利要求1所述的温度感应电路,其特征在于,所述温度感应电路还包括:启动开关单元,所述启动开关单元在输入电压高于预设电压阈值时导通。3.根据权利要求2所述的温度感应电路,其特征在于,所述偏置电流单元包括电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接于外部低压电源,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的漏极并接到所述电流源一端,所述电流源另一端接地,所述第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的漏极连接于后级电路。4.根据权利要求3所述的温度感应电路,其特征在于,所述负温度系数产生单元包括第一三极管和第一电阻;所述第一三极管的集电极连接于所述第二PMOS管的漏极、基极连接于所述第一电阻输入端。5.根据权利要求4所述的温度感应电路,其特征在于,所述正温度系数产生单元包括第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻、第三电阻;所述第二三极管的集电极、基极和所述第三三极管的基极连接于所述第三PMOS管的漏极,所述第二三极管的发射极和所述第四三极管的发射极连接于...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳婧,傅俊寅,汪之涵,黄辉,王伟,
申请(专利权)人:深圳青铜剑技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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