一种温度检测器件制造技术

本发明专利技术公开了一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；搭接电极，所检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接。本发明专利技术技术方案提供的一种温度检测器件，所述检测电极通过凹陷结构形成，通过控制凹陷结构的宽度以及深度可以有效的控制检测电极的电阻，这样可以很大程度上简化制备工艺，检测电极的检测准确性更高，而且通过凹陷结构可以将宽度做的很小，这样可以节约材料，可以使得器件的体积更小。件的体积更小。件的体积更小。

【技术实现步骤摘要】
一种温度检测器件


[0001]本专利技术涉及电子器件制造
，更具体的说，涉及一种温度检测器件。

技术介绍

[0002]温度检测和我们的生活息息相关，在我们周围随处可见。常规的温度检测主要分为红外热电堆、热电偶温度检测、热电阻温度检测、热敏电阻温度检测，其中红外热电堆为非接触式测温，热电偶温度检测适合高温环境下的测量而且测温误差较大，剩余的热电阻和热敏电阻温度检测具有较高的测温精度。
[0003]基于硅微加工技术的微热板（Micro Hotplate,MHP）是微电子机械系统（MEMS）中常用的加热和测试平台，已广泛应用于微型热式流量计、微型红外探测器以及气压计等微器件。将微热板和热电阻温度检测结合起来，可以使得温度检测具有较快的响应速度。
[0004]目前常见的热电阻温度检测，核心电阻材料通常采用物理气相沉积制备形成，成本较高，产品稳定性和可靠性较差；而且，由于检测电极或者微热板的电阻很难控制，导致生产工艺冗长，良率不高，成本增加。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术技术方案提供了一种温度检测器件，具有较好的稳定性和可靠性，制作工艺简单，制作成本低。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；搭接电极，所述检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接；其中，检测电极满足如下公式：T =(P
T *L
‑ꢀ
R0(W*(H
‑
h)))/ R0(W*(H
‑
h))*A,T为待测温度，L为检测电极长度，P
T
为单位面积内物质对电子阻碍参量，R0为0℃检测电极的电阻，W为凹陷结构的宽度，H为凹陷结构的深度，h为凹陷结构没有设导电材料的深度，A为常数。
[0007]在其中一实施例中，所述基底第二表面一侧还设有支撑台，所述支撑台设于所述基底的两端，使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。
[0008]在其中一实施例中，所述基底的第二表面为非平面结构，所述基底至少存在两相对设置的边缘厚度大于其他区域，并使得检测区域所对应的第二表面形成空腔。
[0009]在其中一实施例中，所述检测电极嵌设于所述基底中，且所述检测电极的电阻大于搭接电极的电阻，其中所述检测电极的电阻值为所述搭接电极的电阻值至少一倍。
[0010]在其中一实施例中，所述搭接电极凸设于所述基底表面，且所述搭接电极的电阻小于检测电极电阻，其中所述检测电极的电阻值为所述搭接电极的电阻值至少一倍。
[0011]在其中一实施例中，所述凹陷结构的深度H等于所述基底的厚度，或者所述深度H小于所述基底的厚度。
[0012]在其中一实施例中，所述凹陷结构通过印刷的方式填充导电浆料或者导电墨水，然后将所述导电浆料或者导电墨水通过高温烧结形成检测电极。
[0013]在其中一实施例中，所属印刷方式有丝网印刷、喷墨打印、凹版印刷、凸版印刷、刮涂、喷涂、微注射等方法。
[0014]在其中一实施例中，所述凹陷结构的宽度变化设置，且所述凹陷结构构成的检测电极形成预设形状。
[0015]在其中一实施例中，所述凹陷结构的宽度为0.2μm~30μm，深度为1μm~30μm，且所述深度与宽度比不小于0.8。
[0016]在其中一实施例中，所述导电材料为Pt、Au、Ag、Cu、Al、Ni、W、Ag/Pd合金以及Pt/A u合金中的任一种。
[0017]通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的一种温度检测器件，所述检测电极通过凹陷结构形成，通过控制凹陷结构的宽度以及深度可以有效的控制检测电极的电阻，这样可以很大程度上简化制备工艺，检测电极的检测准确性更高，而且通过凹陷结构可以将宽度做的很小，这样可以节约材料，可以做到器件的体积更小。同时，通过对应浆料或者墨水烧结形成检测电极的设备相对于昂贵的化学气相沉积以及物理气相沉积设备，设备成本较低，降低了制作成本。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例提供的一种温度检测器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种温度检测器件的一种结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种温度检测器件的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种温度检测器件的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种温度检测器件的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种温度检测器件的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种温度检测器件的结构示意图；图8a~图8c为本专利技术实施例提供的一种温度检测器件俯视图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上
或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0022]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0023]一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面； 所述基底至少可耐高温100℃，使的所述基底在100℃以上的工作环境中还能继续工作，不影响器件的性能，可承受的最低温度至少为
‑
100℃；所述基底可以为玻璃、陶瓷、硅片、微晶玻璃等可以耐高温的材料，所述基底主要提供支撑或者附着的作用；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；所述凹陷结构中的导电材料可以通过电镀、印刷填充等方式设于其中，可以通过烧结的方式让导电材料融化烧结，让其导电性能更加稳定，再者，对于凹陷结构的设计可以根据电阻的需求来设计凹陷结构的宽度以及深度，这样可以通过设计来预设电阻，这样制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；搭接电极，所述检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接；其中，检测电极满足如下公式：T =(P
T *L
‑ꢀ
R0(W*(H
‑
h)))/ R0(W*(H
‑
h))*A,T为待测温度，L为检测电极长度，P
T
为单位面积内物质对电子阻碍参量，R0为0℃检测电极的电阻，W为凹陷结构的宽度，H为凹陷结构的深度，h为凹陷结构没有设导电材料的深度，A为常数。2.根据权利要求1所述的一种温度检测器件，其特征在于，所述基底第二表面一侧还设有支撑台，所述支撑台设于所述基底的两端，使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。3.根据权利要求1所述的一种温度检测器件，其特征在于，所述基底的第二表面为非平面结构，所述基底至少存在两相对设置的边缘厚度大于其他区域使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。4.根据权利要求1~3任一所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张克栋，崔铮，周健，陈晓跃，郭兵，周姣，
申请(专利权)人：苏州纳格光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：