一种监测温度变化器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种监测温度变化器件，其特征在于，包括：支撑层，所述支撑层具有相对设置的第一表面以及第二表面；监测电极，所述支撑层第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成监测电极；搭接电极，所述监测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述监测电极电性连接；其中，所述支撑层至少可耐高温100℃，可耐低温至少为

【技术实现步骤摘要】
一种监测温度变化器件


[0001]本技术涉及电子器件制造
，更具体的说，涉及一种监测温度变化器件。

技术介绍

[0002]目前随着工业的发展，很多领域对于生产的安全温度以及加工温度的要求越来越高，尤其一些对于温度比较敏感的产业，要求对于温度的检测要求更加高，而常见的热电阻温度的测量，核心电阻材料通常采用物理气相沉积制备形成，成本较高，产品稳定性和可靠性较差；而且，由于监测电极或者微热板的电阻很难控制，导致生产工艺冗长，良率不高，成本增加。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术技术方案提供了一种监测温度变化器件，具有较好的稳定性和可靠性，制作工艺简单，制作成本低。
[0004]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种监测温度变化器件，其特征在于，包括：
[0006]支撑层，所述支撑层具有相对设置的第一表面以及第二表面；
[0007]监测电极，所述支撑层第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成监测电极；
[0008]搭接电极，所述监测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述监测电极电性连接；
[0009]其中，所述支撑层至少可耐高温100℃，可耐低温至少为
‑
100℃。
[0010]在其中一实施例中，所述支撑层第二表面一侧还设有支撑台，所述支撑台设于所述支撑层的两端，使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。
[0011]在其中一实施例中，所述支撑层的第二表面为非平面结构，所述支撑层至少存在两相对设置的边缘厚度大于其他区域使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。
[0012]在其中一实施例中，所述搭接电极嵌设于所述支撑层中，且所述搭接电极的电阻小于监测电极电阻，其中所述监测电极的电阻值为所述搭接电极的电阻值至少一倍。
[0013]在其中一实施例中，所述搭接电极凸设于所述支撑层表面，且所述搭接电极的电阻小于监测电极电阻，其中所述监测电极的电阻值为所述搭接电极的电阻值至少一倍。
[0014]在其中一实施例中，所述凹陷结构的深度H等于所述支撑层的厚度，或者所述深度H小于所述支撑层的厚度。
[0015]在其中一实施例中，所述监测电极表面设有保护层，所述保护层的厚度不大于100μm。
[0016]在其中一实施例中，所述凹陷结构的宽度变化设置，且所述凹陷结构构成的监测电极形成预设形状。
[0017]在其中一实施例中，所述凹陷结构的宽度为0.2μm~20μm，深度为1μm~20μm，且所述深度与宽度比不小于0.8。
[0018]在其中一实施例中，所述导电材料为Pt、Au、Ag、Cu、Al、Ni、W、Ag/Pd合金以及Pt/A u合金中的任一种。
[0019]通过上述描述可知，本技术技术方案提供的一种监测温度变化器件，所述监测电极通过凹陷结构形成，通过控制凹陷结构的宽度以及深度可以有效的控制监测电极的电阻，这样可以很大程度上简化制备工艺，监测电极的检测准确性更高，而且通过凹陷结构可以将宽度做的很小，这样可以节约材料，可以做到器件的体积更小。同时，通过对应浆料或者墨水烧结形成监测电极的设备相对于昂贵的化学气相沉积以及物理气相沉积设备，设备成本较低，降低了制作成本。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例提供的一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例提供的一种监测温度变化器件的一种结构示意图；
[0023]图3为本技术实施例提供的另一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0024]图4为本技术实施例提供的另一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0025]图5为本技术实施例提供的另一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0026]图6为本技术实施例提供的另一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0027]图7为本技术实施例提供的另一种监测温度变化器件的结构示意图；
[0028]图8a~图8c为本技术实施例提供的一种监测温度变化器件俯视图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0031]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0032]一种监测温度变化器件，其特征在于，包括：
[0033]支撑层，所述支撑层具有相对设置的第一表面以及第二表面； 所述支撑层至少可耐高温100℃，所耐高温可以为300℃，400℃，500℃，700℃，800℃，900℃，使的所述支撑层在100℃以上的工作环境中还能继续工作，不影响器件的性能，可承受的最低温度至少为
‑
100℃，
‑
200℃，
‑
300℃，
‑
400℃；所述支撑层可以为玻璃、陶瓷、硅片、微晶玻璃等可以耐高温的材料，所述支撑层主要提供支撑或者附着的作用；
[0034]监测电极，所述支撑层第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成监测电极；所述凹陷结构中的导电材料可以通过电镀、印刷填充等方式设于其中，可以通过烧结的方式让导电材料融化烧结，让其导电性能更加稳定，再者，对于凹陷结构的设计可以根据电阻的需求来设计凹陷结构的宽度以及深度，这样可以通过设计来预设电阻，这样制备出来的电阻和预设的目标电阻会更加接近，更加准确，可控性更好；可以大大的减少生产的工艺，提高良率节约成本；所述凹陷结构的截面可以是三角形、长方形、正方形、梯形、异形结构等；
[0035]搭接电极，所述监测电极的两端分别设有搭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种监测温度变化器件，其特征在于，包括：支撑层，所述支撑层具有相对设置的第一表面以及第二表面；监测电极，所述支撑层第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成监测电极；搭接电极，所述监测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述监测电极电性连接；其中，所述支撑层至少可耐高温100℃，可耐低温至少为
‑
100℃。2.根据权利要求1所述的一种监测温度变化器件，其特征在于，所述支撑层第二表面一侧还设有支撑台，所述支撑台设于所述支撑层的两端，使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。3.根据权利要求1所述的一种监测温度变化器件，其特征在于，所述支撑层的第二表面为非平面结构，所述支撑层至少存在两相对设置的边缘厚度大于其他区域使的检测区域所对应的第二表面形成空腔。4.根据权利要求1~3任一所述的一种监测温度变化器件，其特征在于，所述搭接电极嵌设于所述支撑层中，且所述搭接电极的电阻小于监测电极电阻，其中所述监测电极的电阻值为所述搭接电极的电阻值至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张克栋，崔铮，周健，陈晓跃，郭兵，周姣，
申请(专利权)人：苏州纳格光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：