一种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及IGBT技术领域，且公开了一种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法，包括：集电极金属和p+集电极，所述集电极金属的内部底面设置有p+集电极，所述集电极金属的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的内部均匀设置有沟槽，所述沟槽上分别设置有n型载流子存储层和浅p型阱。该种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法，通过利用光刻、刻蚀工艺进行两步沟槽刻蚀，第一步沟槽刻蚀3

【技术实现步骤摘要】
一种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及IGBT
，具体为一种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGBT作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。
[0003]在现有技术中，随着应用功率不断增加，导致IGBT导通功耗也不断升高，使得难以实现对内部有效改进的同时，达到IGBT降低导通功耗作用。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种带载流子存储层的IGBT结构及其制造方法，具备能够通过第一次沟槽刻蚀后，进行零角度注入12次方剂量磷杂质，退火后形成存储层，提高沟道跨导，降低IGBT导通功耗的优点，解决了
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种带载流子存储层的IGBT结构，包括：集电极金属和p+集电极，所述集电极金属的内部底面设置有p+集电极，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带载流子存储层的IGBT结构，其特征在于，包括：集电极金属(1)和p+集电极(2)，所述集电极金属(1)的内部底面设置有p+集电极(2)，所述集电极金属(1)的上方设置有n型衬底(3)，所述n型衬底(3)的内部均匀设置有沟槽(5)，所述沟槽(5)上分别设置有n型载流子存储层(6)和浅p型阱(9)，所述浅p型阱(9)的内部分别设置有n+发射区(10)和p+型短路区(11)，所述浅p型阱(9)的上端分别设置有栅极氧化层(7)、氧化层(12)和发射极金属(13)，所述栅极氧化层(7)的上方分别设置有栅极多晶层(8)、氧化层(12)和发射极金属(13)。2.根据权利要求1所述的一种带载流子存储层的IGBT结构，其特征在于：所述n型载流子存储层(6)设置在沟槽(5)的中下位置处，所述浅p型阱(9)设置在沟槽(5)的中上位置处。3.一种带载流子存储层的IGBT制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，n型漂移区表面生长5000A氧化层；S2，第一次光刻，通过光刻、刻蚀工艺在n型衬底(3)的顶部光刻出第一层p型块注入窗口；退火形成第一层终端p型阱；S3，第二次光刻，通过光刻、刻蚀工艺在n型衬底(3)的顶部光刻、刻蚀有源区区域；S4，n型衬底(3)顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永利，王新强，王丕龙，刘文，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：