一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及IGBT技术领域，且公开了一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，包括集电极金属和p+集电极：集电极金属的上方设有n型衬底，n型衬底的内部设有有规律排布的沟槽体，沟槽体的底部设有下沟槽发射极栅氧化层与下沟槽发射极多晶层，下沟槽发射极多晶层的顶部设有隔离氧化层，隔离氧化层的上方设有上沟槽栅极栅氧化层。该沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，通过进行独特的两次刻蚀沟槽工艺，能够形成上下结构分离栅，从而降低IGBT器件米勒电容的同时，起到有效地降低开关损耗效果，使得对现有沟槽时分离栅IGBT结构有效改进的作用下，起到克服现有中随着应用功率不断增加，从而导致IGBT关断损耗也随之上升的问题。而导致IGBT关断损耗也随之上升的问题。而导致IGBT关断损耗也随之上升的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及IGBT
，具体为一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGBT作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。
[0003]在现有技术中，随着应用功率不断增加，导致IGBT关断损耗也随之上升，使得现有沟槽式分离栅IGBT结构难以实现对内部有效改进的同时，达到明显降低IGBT开关损耗的效益。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，具备通过独特的两次刻蚀沟槽工艺起到有效地降低开关损耗的优点，解决了传统技术上IGBT开关损耗较高的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，包括集电极金属和p+集电极：
[0006]所述集电极金属的上方设有n型衬底，所述n本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，其特征在于，包括集电极金属(1)和p+集电极(2)：所述集电极金属(1)的上方设有n型衬底(3)，所述n型衬底(3)的内部设有有规律排布的沟槽体(7)，所述沟槽体(7)的底部设有下沟槽发射极栅氧化层(8)与下沟槽发射极多晶层(9)，所述下沟槽发射极多晶层(9)的顶部设有隔离氧化层(10)，所述隔离氧化层(10)的上方设有上沟槽栅极栅氧化层(5)，所述上沟槽栅极栅氧化层(5)的上方设有上沟槽栅极多晶层(11)，所述沟槽体(7)中部的两侧分布有p型阱(12)，所述p型阱(12)的内部设有n+型发射区(13)与p+型短路区(14)，所述沟槽体(7)的顶部设有保护氧化层(15)与发射极金属(16)，所述发射极金属(16)位于保护氧化层(15)的上方。2.根据权利要求1所述的一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，其特征在于：所述沟槽体(7)经过两次刻蚀形成本体沟槽式分离栅IGBT结构。3.一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，n型衬底(3)表面淀积5000A致密氧化层作为硬掩膜(4)；S2，第一次光刻，通过光刻、刻蚀工艺在硬掩膜(4)顶部光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，张永利，杨玉珍，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：