一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法技术

技术编号:30440590 阅读:23 留言:0更新日期:2021-10-24 18:27
本发明专利技术涉及IGBT技术领域,且公开了一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法,包括集电极金属和p+集电极:集电极金属的上方设有n型衬底,n型衬底的内部设有有规律排布的沟槽,沟槽的侧边设有深p型阱以及n型载流子存储层,沟槽的中上位置附近设有浅p型阱。该带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法,通过两次注入和一次退火的有效作用下,使得在沟槽底部增加深p型阱,以及沟槽中下位置增加n型载流子存储层,能够有效提高沟道跨导的效果,并使得通过沟槽零度角注入十一次方剂量硼杂质,小角度注入十二次方剂量磷杂质的共同作用下,能够在退火后形成n型载流子存储层,使得整体相互作用下,起到降低IGBT导通功耗的作用。起到降低IGBT导通功耗的作用。起到降低IGBT导通功耗的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及IGBT
,具体为一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGBT作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。
[0003]在现有技术中,随着应用功率不断增加,导致IGBT导通功耗也不断升高,使得难以实现对内部有效改进的同时,达到IGBT降低导通功耗作用。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法,具备增加深p型阱以及n型载流子存储层的作用使得降低沟槽底部电场、导通功耗的优点,解决了传统技术上存在IGBT导通功耗较高的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案:一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,包括集电极金属和p+集电极:
[0006]所述集电极金属的上方设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,其特征在于,包括集电极金属(1)和p+集电极(2):所述集电极金属(1)的上方设有n型衬底(3),所述n型衬底(3)的内部设有有规律排布的沟槽(5),所述沟槽(5)的侧边设有深p型阱(9)以及n型载流子存储层(6),所述沟槽(5)的中上位置附近设有浅p型阱(9),且浅p型阱(9)内置有n+发射区(10)与p+型短路区(11),所述p型阱(9)的上方设有栅极氧化层(7)与保护氧化层(12)以及发射极金属(13),所述栅极氧化层(7)的上方设有栅极多晶层(8),所述保护氧化层(12)与发射极金属(13)位于栅极氧化层(7)的上方。2.根据权利要求1所述的一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,其特征在于:所述沟槽(5)的底部设有深p型阱(9),所述n型载流子存储层(6)位于沟槽(5)的中下部位置。3.一种带载流子存储层沟槽式IGBT制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,n型衬底(3)表面生长5000A氧化层;S2,第一次光刻,通过光刻、刻蚀工艺在n型衬底(3)内部n型漂移区的顶部光刻出第一层p型块注入窗口,通过离子注入法注入到n型漂移区后,退火形成第一层p型块;S3,第二次光刻,通过光刻、刻蚀工艺在n型漂移区的顶部光刻出第二层n...

【专利技术属性】
技术研发人员:王丕龙张永利王新强刘文
申请(专利权)人:青岛佳恩半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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