【技术实现步骤摘要】
一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法
[0001]本专利技术涉及IGBT
,具体为一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]IGBT作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。
[0003]在现有技术中,随着应用功率不断增加,导致IGBT导通功耗也不断升高,使得难以实现对内部有效改进的同时,达到IGBT降低导通功耗作用。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构及其制造方法,具备增加深p型阱以及n型载流子存储层的作用使得降低沟槽底部电场、导通功耗的优点,解决了传统技术上存在IGBT导通功耗较高的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案:一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,包括集电极金属和p+集电极:
[0006]所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,其特征在于,包括集电极金属(1)和p+集电极(2):所述集电极金属(1)的上方设有n型衬底(3),所述n型衬底(3)的内部设有有规律排布的沟槽(5),所述沟槽(5)的侧边设有深p型阱(9)以及n型载流子存储层(6),所述沟槽(5)的中上位置附近设有浅p型阱(9),且浅p型阱(9)内置有n+发射区(10)与p+型短路区(11),所述p型阱(9)的上方设有栅极氧化层(7)与保护氧化层(12)以及发射极金属(13),所述栅极氧化层(7)的上方设有栅极多晶层(8),所述保护氧化层(12)与发射极金属(13)位于栅极氧化层(7)的上方。2.根据权利要求1所述的一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构,其特征在于:所述沟槽(5)的底部设有深p型阱(9),所述n型载流子存储层(6)位于沟槽(5)的中下部位置。3.一种带载流子存储层沟槽式IGBT制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,n型衬底(3)表面生长5000A氧化层;S2,第一次光刻,通过光刻、刻蚀工艺在n型衬底(3)内部n型漂移区的顶部光刻出第一层p型块注入窗口,通过离子注入法注入到n型漂移区后,退火形成第一层p型块;S3,第二次光刻,通过光刻、刻蚀工艺在n型漂移区的顶部光刻出第二层n...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丕龙,张永利,王新强,刘文,
申请(专利权)人:青岛佳恩半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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