一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及IGBT技术领域，且公开了一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，包括集电极金属，所述集电极金属的内部设有P+集电极，所述P+集电极的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的内部设置有规律排布的下沟槽和上沟槽，所述下沟槽的顶部两侧设置有n型存储(CS)层，所述下沟槽的内部有发射极栅氧化层和下沟槽发射极多晶层，所述下沟槽的顶部设置有隔离氧化层，所述隔离氧化层上方设置有n型外延层，所述n型外延层的内部设置上沟槽。该发明专利技术，通过此沟槽式带CS层分离栅IGBT结构中，下沟槽内部多晶层与发射极短接，可有效降低沟槽IGBT米勒电容，同时增加n型存储(CS)层，降低IGBT开关、导通损耗。导通损耗。导通损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及IGBT
，具体为一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGBT作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。
[0003]随着应用功率不断增加，IGBT关断损耗也随之上升，沟槽式分离栅IGBT通过独特的分离栅设计，明显降低IGBT开关损耗。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，具备IGBT通过独特的上下结构分离栅设计，降低IGBT器件米勒电容，同时增加n型存储(CS)层，有效地降低开关、导通损耗的优点，解决了IGBT
技术介绍
中所提出的问题。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构，包括集电极金属，所述集电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构，其特征在于：包括集电极金属(1)，所述集电极金属(1)的内部设有P+集电极(2)，所述P+集电极(2)的上方设置有n型衬底(3)，所述n型衬底(3)的内部设置有规律排布的下沟槽(5)和上沟槽(10)，所述下沟槽(5)的顶部两侧设置有n型存储(CS)层(8)，所述下沟槽(5)的内部有发射极栅氧化层(6)和下沟槽发射极多晶层(7)，所述下沟槽(5)的顶部设置有隔离氧化层(9)，所述隔离氧化层(9)上方设置有N型外延层(11)，所述N型外延层(11)的内部设置上沟槽(10)，所述浅p阱分布于上沟槽(10)左右两侧，所述浅p阱内置n+型发射极与P+型短路区(18)，所述上沟槽(10)的内部设置有栅氧氧化层，所述上沟槽(10)的内部设置有栅极多晶层，所述上沟槽(10)的内部设置有保护氧化层(17)，所述上沟槽(10)的内部设置有发射极金属(19)。2.根据权利要求1所述的一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构，其特征在于：所述下沟槽(5)利用两次沟槽刻蚀及一次外延形成分离栅结构，且利用离子注入形成CS层。3.一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT制造方法，其特征在于包括以下步骤：S1，n型衬底(3)表面淀积5000A致密氧化层作为硬掩膜一(4)；S2，第一次光刻，通过光刻、刻蚀工艺在硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，张永利，王新强，杨玉珍，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：