通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法及自支撑薄膜技术

本发明专利技术公开了通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法及通过该方法得到的自支撑薄膜，自支撑薄膜转移方法为将目标基底与待转移薄膜通过铝制夹具夹紧，实现待转移薄膜与目标衬度的充分贴合，之后将夹具于去离子水中浸泡，得到吸附在目标基底上的自支撑薄膜；将夹具置于氮气流中，去除夹具及目标基底附近的水渍；拆下夹具，将所得的附于目标基底上的自支撑薄膜于丙酮、异丙醇、去离子水中各超声处理，得到自支撑薄膜；本发明专利技术的二维超薄钙钛矿薄膜以钛酸锶衬底，薄膜为钛酸钡，目标基底为硅衬底；本发明专利技术提出的方法能改善自支撑薄膜的平整度，大大提高自支撑薄膜转移的面积。大大提高自支撑薄膜转移的面积。大大提高自支撑薄膜转移的面积。

【技术实现步骤摘要】
通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法及自支撑薄膜


[0001]本专利技术涉及自支撑氧化物薄膜转移
，尤其涉及一种通过外加压力实现的平整自支撑薄膜转移方法及通过该方法得到的自支撑薄膜。

技术介绍

[0002]对于过渡金属氧化物钙钛矿而言，其d轨道的强相互作用电子产生的包括巨磁阻、多铁性等丰富性质在过去近一个世纪引起广泛关注。通过借助水溶牺牲层，可以实现自支撑二维钙钛矿薄膜的制备。这种二维材料所表现的新的基本性质，为多功能电子器件的开发提供支持。以自支撑钛酸锶(SrTiO3)二维薄膜为例，转移得到钛酸锶二维薄膜在外加应力条件下可以表现出纯面内的铁电极化，具有成为下一代铁电存储器的潜力。
[0003]前述的这类自支撑二维钙钛矿材料的制备通常包含水溶牺牲层溶解与转移的环节，常采用氧化物Sr3Al2O6(SAO)作为水溶牺牲层，这是由于此种材料具有匹配于钙钛矿薄膜的晶格结构。同时将尽可能大尺寸的平整二维铁电薄膜转移至硅片等基底，以实现与金属氧化物半导体(CMOS)工艺的兼容，仍面临许多问题。针对目前遇到的问题，目前的解决方法主要为借助PM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、用氧化物分子束外延生长方法在衬底上生长水溶性的牺牲层，在牺牲层表面生长钙钛矿型薄膜，将衬底、牺牲层、钙钛矿型薄膜作为待转移薄膜；步骤S2、将步骤S1得到的待转移薄膜的薄膜表面与目标基底的表面相贴合，并用夹具夹紧；步骤S3、将夹具夹紧后的待转移薄膜与目标基底置于去离子水中进行牺牲层溶解；步骤S4、将溶解了牺牲层的待转移薄膜、目标基底、夹具一起取出进行干燥，干燥后取下夹具得到复合膜；步骤S5、将复合膜进行超声处理，得到最终的自支撑薄膜。2.根据权利要求1所述的一种通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法，其特征在于：所述步骤S5中将复合膜置于丙酮、异丙醇、去离子水中分别进行超声处理5
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8分钟。3.根据权利要求2所述的一种通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法，其特征在于：所述步骤S3中，在去离子水浸泡溶解牺牲层的环境温度为室温，且溶解时磁力搅拌，时间不少于10小时；所述步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂越峰，杨江枫，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：