一种短波红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供的短波红外探测器的制备方法，包括下述步骤：在基底上制备底电极，在所述底电极上制备吸收层，在所述吸收层上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备窗口层，其中，在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100

【技术实现步骤摘要】
一种短波红外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电
，特别涉及一种短波红外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]近红外波段的探测器成像具有更高的清晰度和细节分辨率，并且具有微光夜视和较强的水雾穿透能力，因此在手机、无人机、安防、医疗等领域表现出广阔的市场。目前的铟镓砷探测器工作需要低温下进行，加上制备工艺的不可替代性，导致成本居高不下。在追求低成本高效率的时代下，探索新材料、优化生产工艺是解决目前商用探测器昂贵成本的主要问题。
[0003]基于Cu2
‑
II
‑
IV
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VI4族光电薄膜吸收材料Cu2Cd
x
Zn1‑
x
SnSe4后面简称(CCZTSe)，实现了可见光及近红外波段的响应，而CCZTSe短波红外探测器结构中重要的一部分
‑‑‑‑
缓冲层，用来与吸收层之间形成P
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N结，现阶段一般用化学水浴法(CBD)沉积硫化镉制备而成，主要步骤是将硫酸镉与氨水的混合溶液，和硫脲溶液一起倒入反应器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种短波红外探测器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在基底上制备底电极；在所述底电极上制备吸收层；在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100
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150摄氏度退火2
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3min，得到所述缓冲层；及在所述缓冲层上制备窗口层。2.如权利要求1所述的短波红外探测器的制备方法，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃或Si片。3.如权利要求1所述的短波红外探测器的制备方法，其特征在于，所述底电极为钼电极或金或钛或不锈钢或ITO。4.如权利要求3所述的短波红外探测器的制备方法，其特征在于，在基底上制备底电极的步骤中，具体包括：将所述基底放入真空钼腔室中，通入Ar气控制腔内气压在1.0
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3.0Pa，300
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350W功率直流溅射8
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10圈，再在0.3
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0.5Pa的气压下用800
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1000W的功率溅射4
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6圈，关闭Ar气，冷却5
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10min后取出，得到Mo衬底作为底电极。5.如权利要求1所述的短波红外探测器的制备方法，其特征在于，在所述底电极上制备吸收层的步骤中，具体包括下述步骤：将带有基底的底电极送入MBE真空镀膜腔体中，控制真空度为2x10
‑5‑
5x10
‑5Pa，采用五源同时蒸镀的方法，用Cu，Zn，Cd，Sn，Se作为靶材，使用一步法生长前驱体，作为所述吸收层。6.如权利要求1所述的短波红外探测器的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉萍，冯叶，杨春雷，张陈斌，彭燕君，杨佳伟，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：