一种多晶硅表面织构化工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，包括以下步骤：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀；预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；S3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在HF和H2O2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。氮气保护。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅表面织构化工艺


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是一种多晶硅表面织构化工艺。

技术介绍

[0002]众所周知，太阳能是解决环境污染与能源短缺最理想能源。晶体硅太阳电池占据着国际 光伏市场的主导地位，其中多晶硅太阳电池在近几年光伏市场中所占比重已经超过50％，成 为应用最广泛的太阳电池之一。多晶硅太阳电池发电能否取代常规能源，关键在于其成本能 否下降到可与常规能源相竞争。多晶硅太阳电池降低成本的有效途径之一是提高其光电转换 效率。目前，提高多晶硅太阳电池光电转换效率的方法很多，其中多晶硅的表面织构化减少 了光在太阳电池表面的反射损失，是提高光电转换效率的重要方法之一。表面织构即制备绒 面是指经过一定表面处理后，太阳电池表面呈现凹凸不平的孔洞状形态，使光在太阳电池表 面形成多次反射和吸收，降低了表面反射，增加了光的吸收，从而提高了光电转换效率。其 中绒面的孔径与孔深是衡量绒面优良程度的重要参数，孔径、孔深的大小与绒面的反射率、 少子寿命、电阻率有关。为了制备具有低反射率、高少子寿命和高电阻率的绒面，对适应于 多晶硅太阳电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，其特征在于，包括以下步骤：S1：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；其中无水乙醇的主要作用是降低溶液的表面张力，利于腐蚀过程中产生的H2顺利逸出，而不粘附于硅片表面，保证电化学腐蚀顺利进行，得到腐蚀均匀的多晶硅绒面；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀，在线监测多晶硅腐蚀过程中的E-t曲线变化规律，通过Autolab PGSTAT30电化学工作站控制输入的电流密度，腐蚀时间为300s，在线监测硅片腐蚀过程的E-t曲线变化...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊选东，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：