一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池技术

本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离硅片的方向，在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层；激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散，以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层，激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散，使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子，由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层，本征多晶硅层的沉积速度很快，所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下，制备时间缩短。制备时间缩短。制备时间缩短。

【技术实现步骤摘要】
一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池


[0001]本申请涉及光伏
，特别是涉及一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。

技术介绍

[0002]在太阳能电池中，TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池在背面有隧穿氧化层和掺杂多晶硅薄膜形成的钝化接触结构，可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。目前，在制备掺杂多晶硅薄膜时，一种制备方式是采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积)方法沉积原位掺杂多晶硅薄膜，并进行热处理激活掺杂原子，但是沉积原位掺杂多晶硅薄膜的沉积速率相当慢，沉积速率不到沉积本征多晶硅薄膜的一半，严重影响太阳能电池的产能，过慢的沉积速率极大限制了LPCVD方法沉积原位掺杂多晶硅薄膜在光伏行业的应用。
[0003]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，以缩短钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，包括：在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离所述硅片的方向，在所述隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；所述层叠膜层的最后一层为所述掺杂多晶硅层；激活所述掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使所述掺杂原子向所述本征多晶硅层扩散，以使所述层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。2.如权利要求1所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，在所述层叠膜层中，距离所述硅片最远的所述掺杂多晶硅层中的掺杂浓度大于其他所述掺杂多晶硅层中的掺杂浓度。3.如权利要求1所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，在所述层叠膜层中，距离所述硅片最远的所述掺杂多晶硅层的厚度大于其他所述掺杂多晶硅层的厚度。4.如权利要求1至3任一项所述的背部钝化接触结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树德，刘玉申，况亚伟，连维飞，倪志春，
申请(专利权)人：常熟理工学院，
类型：发明
国别省市：