卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片制造技术

本发明专利技术公开了一种卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片的制备方法。将前驱体硒源、铁盐和卤素源溶解于高沸点胺类有机溶剂中，高温反应硒化，通过极性有机液体沉淀得到超薄铁硒化合物纳米片。其中超薄六方相FeSe纳米片厚度仅为5层，相当于2.9纳米，径向尺寸0.6

【技术实现步骤摘要】
卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片


[0001]本专利技术属于材料
，特别涉及超薄铁硒化合物纳米片的制备。

技术介绍

[0002]自旋电子学同时利用电子的自旋和电荷的性质实现电子学的功能，很大程度上降低了磁存储的功耗。从应用的角度而言，高质量本征二维磁性材料是自旋电子学器件的首选。目前，二维本征磁性材料的制备主要依靠分子束外延和固相机械剥离，成本高且产量小，限制了其推广应用。相比于现有的方法，液相合成本征磁性二维材料凭借其高产量和低成本，具有一定的应用前景。
[0003]目前，已通过液相方法合成了多种二维本征磁性材料。由于对反应机理认识不够深入，液相合成本征磁性二维材料仍然具有一定的挑战。因此，发展具有合成简便和成本低廉的方法制备本征二维磁性材料在科学和工程上均具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种制备超薄铁硒化合物纳米片的方法，其在自旋电子学领域具有潜在应用价值。制备的超薄六方相FeSe纳米片厚度仅为5层，相当于2.9纳米，径向尺寸 0.6-2.2微米。该材料表现出本征反铁磁性，奈尔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片的方法。2.如权利要求1所述的超薄六方相FeSe二维材料，其特征在于，材料的厚度仅为2.90纳米。3.如权利要求1所述的超薄六方相FeSe二维材料，其特征在于，材料的径向尺寸为0.6-2.2微米。4.如权利要求1所述的超薄六方相FeSe二维材料，其特征在于，材料具备本征的反铁磁性和半导体性能。5.如权利要求1所述的超薄Fe7Se8二维材料，其特征在于，材料具备本征磁性。6.如权利要求1～5所述的制备的超薄铁硒化合物二维材料，不限于六方相FeSe和Fe7Se8。7.权利要求1～6的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯仰龙，徐俊杰，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：