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本发明公开了一种卤素诱导生长超薄铁硒化合物纳米片的制备方法。将前驱体硒源、铁盐和卤素源溶解于高沸点胺类有机溶剂中，高温反应硒化，通过极性有机液体沉淀得到超薄铁硒化合物纳米片。其中超薄六方相FeSe纳米片厚度仅为5层，相当于2.9纳米，径向尺...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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