Micro-LED芯片巨量转移方法与系统、以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
Micro
‑
LED芯片巨量转移方法与系统、以及显示装置


[0001]本专利技术涉及Micro
‑
LED
，更具体地，涉及一种Micro
‑
LED芯片巨量转移方法与系统、以及显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Micro light emitting diode，即微型发光二极管)通常是指在传统LED倒装芯片结构基础上，将LED芯片尺寸规格缩小到100微米甚至50微米以内的尺寸，即得到Micro
‑
LED芯片，将Micro
‑
LED芯片按照一定规则排列在TFT板或COMS板上，使每个芯片可定址控制并单独驱动发光，从而实现显示的微器件。Micro
‑
LED和目前的LCD和OLED显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势，其功耗约为LCD的10％、OLED的50％。
[0003]Micro
‑
LED通常的制造流程是：首先形成Micro
‑
LED阵列，然后将Micro
‑
LED阵列批量转移至电路基板(例如，TFT板或COMS板等)上，最后进行封装。其中，如何实现批量转移，即巨量转移技术，是此流程的关键难点。
[0004]巨量转移技术是指将生长在原生衬底上的巨量Micro
‑
LED芯片批量转移到电路基板上的技术，每个Micro
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LED芯片对应电路基板上的一个亚像素，由于Micro
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LED尺寸小，定位精度要求高，一个电路基板上往往需要数以十万、百万计的Micro
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LED芯片，如何高效率、高成品率的将Micro
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LED芯片批量转移到电路基板上成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种Micro
‑
LED芯片巨量转移方法与系统、以及显示装置，用热解导电膜代替临时基板，热解导电膜直接用于电连接电极与电路基板，无需临时基板，简化制造工序。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种Micro
‑
LED芯片转移方法，包括以下过程：
[0008]提供转移基板，所述转移基板包括热解导电膜和粘合至所述热解导电膜上的多个Micro
‑
LED芯片，所述Micro
‑
LED芯片包括粘合至所述热解导电膜的电极和层叠于所述电极的Micro
‑
LED柱，所述热解导电膜包括受热后具有粘合性的聚合物基底和分散于所述聚合物基底中的导电粒子；
[0009]将所述转移基板间隔设置在电路基板上方，使所述热解导电膜与所述电路基板相对设置，并且所述Micro
‑
LED芯片位于所述转移基板远离所述电路基板的一面；
[0010]在所述转移基板上方照射激光，使未被所述Micro
‑
LED芯片遮挡的所述热解导电膜熔化，从而使所述Micro
‑
LED芯片从所述转移基板掉落至所述电路基板；
[0011]将掉落至所述电路基板的所述Micro
‑
LED芯片压紧至所述电路基板，使得所述电极被压进所述聚合物基质内部，所述电极通过所述导电粒子与所述电路基板电连接，固化后，所述聚合物基质粘结所述电路基板与所述Micro
‑
LED芯片。
[0012]本专利技术还公开了一种Micro
‑
LED芯片巨量转移系统，包括：
[0013]转移基板，所述转移基板包括热解导电膜和粘合至所述热解导电膜上的多个Micro
‑
LED芯片，所述Micro
‑
LED芯片包括粘合至所述热解导电膜的电极和层叠于所述电极的Micro
‑
LED柱，所述热解导电膜包括受热后具有粘合性的聚合物基底和分散于所述聚合物基底中的导电粒子；
[0014]电路基板，用于为每个所述Micro
‑
LED芯片提供电连接；
[0015]运动装置，所述运动装置将所述转移基板转移至所述电路基板上方，使所述热解导电膜与所述电路基板相对设置，并且使所述Micro
‑
LED芯片位于所述转移基板远离所述电路基板的一面；
[0016]激光装置，所述激光装置从所述Micro
‑
LED芯片上方照射所述热解导电膜，使未被所述Micro
‑
LED芯片遮挡的所述热解导电膜熔化，从而使所述Micro
‑
LED芯片从所述热解导电膜掉落至所述电路基板；
[0017]压紧装置，所述压紧装置用于将掉落至所述电路基板的所述Micro
‑
LED芯片压紧至所述电路基板，使得所述电极被压进所述聚合物基质内部，所述电极通过所述导电粒子与所述电路基板电连接。
[0018]本专利技术还公开了一种显示装置，包括电路基板、间隔设置于所述电路基板上的多个热解导电膜和分别设置于每个所述热解导电膜上的Micro
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LED芯片；
[0019]所述Micro
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LED芯片包括Micro
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LED柱和设置于所述Micro
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LED柱上的电极，所述电极与所述热解导电膜相连接；
[0020]所述热解导电膜包括受热后具有粘合性的聚合物基底和分散于所述聚合物基底中的导电粒子；
[0021]所述Micro
‑
LED芯片的所述电极深入所述聚合物基底内部，所述电极通过所述导电粒子与所述电路基板电连接，所述聚合物基质粘结所述电路基板与所述Micro
‑
LED芯片。
[0022]实施本专利技术实施例，将具有如下有益效果：
[0023]本专利技术实施例通过采用热解导电膜转移巨量Micro
‑
LED芯片，热解导电膜包括聚合物基底和分散于聚合物基底中的导电粒子，聚合物基底受热后具有粘合性，具有固定连接的作用，导电粒子具有电连接的作用，因此，用热解导电膜转移巨量Micro
‑
LED芯片时，不必去除热解导电膜，简化现有技术中需提供临时基板以及解胶的复杂工序，提高效率，节约成本。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]其中：
[0026]图1是本专利技术一具体实施例的Micro
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LED阵列基板的侧视结构示意图。
[0027]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED芯片转移方法，其特征在于，包括以下过程：提供转移基板，所述转移基板包括热解导电膜和粘合至所述热解导电膜上的多个Micro
‑
LED芯片，所述Micro
‑
LED芯片包括粘合至所述热解导电膜的电极和层叠于所述电极的Micro
‑
LED柱，所述热解导电膜包括受热后具有粘合性的聚合物基底和分散于所述聚合物基底中的导电粒子；将所述转移基板间隔设置在电路基板上方，使所述热解导电膜与所述电路基板相对设置，并且所述Micro
‑
LED芯片位于所述转移基板远离所述电路基板的一面；在所述转移基板上方照射激光，使未被所述Micro
‑
LED芯片遮挡的所述热解导电膜熔化，从而使所述Micro
‑
LED芯片从所述转移基板掉落至所述电路基板；将掉落至所述电路基板的所述Micro
‑
LED芯片压紧至所述电路基板，使得所述电极被压进所述聚合物基质内部，所述电极通过所述导电粒子与所述电路基板电连接，固化后，所述聚合物基质粘结所述电路基板与所述Micro
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LED芯片。2.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED芯片转移方法，其特征在于，形成所述转移基板的方法包括以下过程：形成Micro
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LED阵列基板，所述Micro
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LED阵列基板包括衬底和并列设置在所述衬底上的多个所述Micro
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LED芯片；提供所述热解导电膜；加热熔化所述热解导电膜，使所述Micro
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LED阵列基板的所述电极的一面粘合至所述热解导电膜，冷却固化所述热解导电膜，去除所述衬底，得到所述转移基板。3.根据权利要求1所述的Micro
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LED芯片转移方法，其特征在于，所述导电粒子包括金属粒子或具有单向导电性的粒子。4.根据权利要求3所述的Micro
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LED芯片转移方法，其特征在于，所述金属粒子包括银粒子、金粒子、镍粒子、金镀层粒子或镍镀层粒子，所述聚合物基底包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚氨酯树脂。5.根据权利要求1～4中任意一种所述的Micro
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LED芯片转移方法，其特征在于，所述导电粒子的体积占所述热解导电膜的总体积为20％～50％，所述导电粒子的尺寸为1.5μm～3.5μm，所述热解导电膜的厚度为10μm～30μm。6.根据权利要求1～4中任意一种所述的Micro
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LED芯片转移方法，其特征在于，所述电路基板上设有突出所述电路基板表面的电连接端，所述电连接端的数量与所述Micro
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LED芯片的数量一致，压紧过程中，所述电连接端也进入所述聚合物基质内部，所述电连接端与所述电极对应设置，共同挤压所述导电粒子实现电连接。7.一种Micro<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，邱成峰，刘斌芝，姜建兴，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：