一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法技术

本发明专利技术公开了一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法，涉及隧穿磁电阻领域，步骤包括：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；构建混合式重金属层；构建剩余隧穿磁隧道结膜层结构；构建加工隧穿磁隧道结。所述方法通过在底层衬底结构上表面构建混合式重金属层，在不同材质金属层上表面溅射生成完整磁隧道结，针对重金属层通入电流，利用不同材质的自旋霍尔角角度和大小不同的性质，使所述重金属层在通入电流时实现多模态翻转动作。结合其磁性随机存储器本身良好的存储性能，可实现计算机的“逻辑存储一体化”，从而实现对计算机运算速度的提升。算速度的提升。算速度的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法


[0001]本专利技术涉及磁性电子器件领域，特别是一种磁性随机存储器的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备软硬件性能的不断更新升级，市场针对计算机的运行速度和存储速度提出了更高的要求。在传统的冯
·
诺伊曼计算机架构中，处理器和存储器是两个单独的器件，现阶段技术中处理器的计算速度比存储器的读写速度快很多，而要将存储器中的信息进行运算，就需要不断地在处理器和存储器进行信息传输，这样极大限制了计算机的运算速度，即通常意义上所讲的“存储墙”问题。
[0003]为解决上述问题，现阶段所公开可提高计算机运算速度的系统结构，如图1所示，该系统结构包括：根组件201，和三个芯片202，203，204以及转换器205，其中：至少两个芯片中的芯片上设有两个PCIe(peripheral component interconnect express，高速串行计算机扩展总线标准)接口，至少两个芯片通过PCIe接口与转换器连接，并且至少两个芯片中的芯片或转换器与跟组件连接。该实施方式通过至少两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性随机存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S1：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；S2：构建混合式重金属层；S3：构建隧穿磁隧道结膜层结构；S4：构建加工隧穿磁隧道结。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性随机存储器制备方法，适用于重金属层为Via式连接结构和接触连接式结构的SOT
‑
MRAM单元。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合式重金属层结构为统一层面具备至少两种可产生自旋流结构的材料。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述混合式重金属层材料类别选取包括：重金属单质，重金属氧化物，重金属氮化物，合金，反铁磁磁性材料，晶体薄膜，多晶薄膜，非晶薄膜，外尔半金属，二维电子气。5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述混合式重金属层中，构成材料应保持选取的材料彼此间自旋霍尔角方向相反，自旋霍尔角绝对值大小不同。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述构建混合式重金属层步骤中，包括步骤：G1：于底层结构上表面构建第一部分重金属层；G2：于底层结构上表面清除多余所述构建的第一部分重金属层，预留后续待构建重金属层区域；G3；于底层结构上表面构建后续部分重金属层；G4：清除各金属层上表面无相关构建废料。7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述构建混合式重金属层步骤中，所述重金属层构建可采用溅射方式进行。...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢世阳，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，赵巍胜，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：