一种瓦片式射频前端组件非植球垂直堆叠结构制造技术

本发明专利技术为一种瓦片式射频前端组件非植球垂直堆叠结构，适用于瓦片式射频前端组件，尤其适用于大功率瓦片式射频前端组件。本发明专利技术的非植球垂直堆叠结构由冷却板、一块印制板母板、多块印制板子板，多块金属子板，金属框架，多块金属盖板组成。与SIP工艺相比，本发明专利技术工艺要求低，主要工艺包括回流焊、激光封焊、键合。方便维修，在打开盖板后，给整件加适当底温并使用热烘枪局部加热印制板子板表面，即可打开非植球垂直堆叠结构最内层部分，维修完毕后，按同样方法给整件加适当底温并使用热烘枪局部加热印制板子板表面装回。大功率放大器等发热量大的芯片紧贴冷却板焊接，装配后热阻小，散热效果好。散热效果好。散热效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种瓦片式射频前端组件非植球垂直堆叠结构


[0001]本专利技术属于雷达
，特别涉及一种射频前端组件。

技术介绍

[0002]相控阵雷达瓦片式射频前端组件的各个射频前端模块水平铺开，与后端组件垂直互连，具有小型、轻薄、扁平的特点。射频前端组件，包含多个射频前端模块，每个射频前端模块可以包含功率驱动放大器、大功率放大器、限幅器、滤波器、开关、低噪声放大器等。瓦片式射频前端组件的每个射频前端模块在水平面所占面积很小，又要包含多个芯片，通常需要将多个芯片进行三维堆叠。SIP工艺是三维堆叠的重要方法，能够把多个芯片堆叠成芯片组。但是SIP工艺较为复杂，维修困难，大功率放大器等发热量大的芯片堆叠后由于热阻大，散热效果差。

技术实现思路

[0003]本专利技术主要用于解决SIP工艺较为复杂，维修困难，大功率放大器等发热量大的芯片堆叠后热阻大，散热效果差的问题。
[0004]本专利技术涉及一种瓦片式射频前端组件非植球垂直堆叠结构，包括冷却板、一块印制板母板、多块印制板子板，多块金属子板，金属框架，多块金属盖板。其中所述瓦片式射频本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瓦片式射频前端组件非植球垂直堆叠结构，其特征在于：包括冷却板、一块印制板母板、多块印制板子板，多块金属子板，金属框架，多块金属盖板组成；所述瓦片式射频前端组件功能上包含多个射频前端模块，每个射频前端模块为一个基本单元，结构上每个射频前端模块内部布局完全相同，在冷却板上焊接一块印制板母板，然后在印制板母板上焊接金属框架，金属框架上包含射频连接器固定孔，印制板母板有多级盲槽，外形尺寸与冷却板相同或小于冷却板，在印制板母板镂空处将各射频前端模块的共晶后器件焊接于冷却板，同时将各射频前端模块的无需共晶芯片粘接与冷却板，键合连接各射频前端模块的芯片与位于印制板母板第一级台阶高度的键合点，将各射频前端模块的印制板子板与金属子板焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋朋，张金良，王洪李，荆晓超，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所，
类型：发明
国别省市：