一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法技术

技术编号:30514007 阅读:76 留言:0更新日期:2021-10-27 22:56
本发明专利技术提供一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、Ta=20.6靶;合金表达式为Zr

【技术实现步骤摘要】
一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种兼具低中子吸收截面和优异力学性能的难熔高熵合金及其制备方法,属于金属材料


技术介绍

[0002]高熵合金与传统合金不同,是一种新型的多主元合金,其易形成单一的固溶体相,进而使得高熵合金表现出优异的性能,如高硬度、良好的耐腐蚀性、良好的耐磨性、良好的耐高温性、高加工硬化性能等。
[0003]以难熔元素为主的高温高熵合金也逐渐引起业内的广泛关注。2007年哈尔滨工业大学苏彦庆教授选取Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、Ta及W等7种高熔点元素开发出了具有较高的高温强度的合金,采用电弧熔炼技术制备出了几种等摩尔五元合金Ti Zr Hf Ta Nb、Ti Zr Hf Ta、Ti Zr Hf Nb Mo、Ti Zr Ta Hf Mo、Ti Zr Ta Nb Mo、Ti Hf Ta Nb Mo、Zr Ta Mo Hf Nb、Ti Zr Ta Ta Mo。难熔高熵合金因大多数组成元素为高熔点元素而具有较高的熔点,同时合金具有高熵合金的特性,表现出优异的高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金,其特征在于,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、Ta=20.6靶;合金表达式为Zr
a
Ti
b
Nb
c
Al
d
Ta
e
,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=20

40at.%,b=20

35at.%,c=10

30at.%,d=2

25at.at.%,e=2

25at.%,a+b+c+d+e=100;该难熔高熵合金的制备方法包括下述步骤:(1)高熵合金的冶炼与铸造;(2)冷轧;(1)退火。2.根据权利要求1所述的ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)按照高熵合金中各元素的原子百分...

【专利技术属性】
技术研发人员:张洋马亚玺张中武吴广传郁永政杜康黄涛
申请(专利权)人:哈尔滨工程大学
类型:发明
国别省市:

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