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本发明提供一种ZrTiNbAlTa低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法，该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面：Zr＝0.185靶、Ti＝6.09靶、Nb＝1.15靶、Al＝0.231靶、Ta＝20.6靶；合金表达式为Zr
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该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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