引线框架以及半导体产品制造技术

本公开的实施例涉及引线框架以及半导体产品。一种用于半导体器件的引线框架，该引线框架包括裸片焊盘部分，裸片焊盘部分具有第一平面裸片安装表面和与第一表面相对的第二平面表面，第一表面和第二表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘，其中该裸片焊盘包括至少一个封装模塑化合物接纳开口，该至少一个封装模塑化合物接纳开口在所述第一平面表面的外围处。利用本公开的实施例，促进了裸片焊盘到模塑化合物的经改善锚定。了裸片焊盘到模塑化合物的经改善锚定。了裸片焊盘到模塑化合物的经改善锚定。

【技术实现步骤摘要】
引线框架以及半导体产品


[0001]本说明书涉及集成电路(IC)制造技术。
[0002]特别地，一个或多个实施例可以被应用于在其封装主体的底部具有暴露的引线的四方扁平无引线封装(QFN)或四方扁平封装(QFP)暴露焊盘(QFN
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ep、QFP
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ep)的半导体封装，以及其制造方法。
[0003]一个或多个实施例可以被应用于预模塑引线框架，该预模塑引线框架在扁平配置中模塑并且适用于使用表面安装技术(SMT)的封装应用。

技术介绍

[0004]常规地，IC裸片被包围在塑料封装中，封装提供保护IC裸片不受环境影响并且促进IC裸片与下方衬底(诸如印刷电路板(PCB))之间的电气互连。
[0005]在常规布置中，封装的半导体器件可以包括：金属引线框架；至少一个集成电路裸片；将集成电路裸片附接到在引线框架中的裸片焊盘的材料；将在IC裸片上的焊盘电连接到引线框架的各个引线的键合接线；以及硬塑料包封材料，例如覆盖其他部件并且形成封装的外部的模塑化合物塑料树脂。
[0006]引线框架是用于IC裸片的中心支撑结构，特别是在组装这种封装的半导体器件期间，引线框架被采用以成形外部接触件(引线或焊盘)。引线框架的一部分可以完全由塑料包封剂包围。引线框架的引线的部分从封装外部地延伸或部分暴露在包封材料内，以便将封装与另一部件电连接。在某些封装的半导体器件中，引线框架的一部分裸片焊盘也可以保持暴露在封装外部，用作散热器。
[0007]在电子领域中通常已知的半导体封装的一种类型被称为四方扁平封装(QFP)封装。QFP封装可以包括薄的、通常是正方形的封装主体，其限定了长度基本相等的四个外围侧。从封装主体的四个外围侧中的每一侧突出的是多条引线，每条引线通常具有鸥翼(gull
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wing)配置。引线的多个部分在封装主体的内部，并且被电连接到半导体裸片的焊盘或端子中的相应焊盘或端子，该半导体裸片也被包封在封装主体内。半导体裸片被安装在QFP封装引线框架的裸片焊盘上。在被称为QFP暴露焊盘(QFP
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ep)封装的某些QFP封装类型中，裸片焊盘的一个表面被暴露在封装主体的底面内。
[0008]在可靠性评估期间，可以对封装施加应力，并且确定在所有部件之间的粘附性，以确定封装件可靠性。引线框架在树脂上的粘附性是针对封装密闭度及其可靠性的重要指标。
[0009]在QFN、QFP封装技术中，可以通过光刻来成形外部接触件(引线或焊盘)，并且如上所述，支撑IC裸片硅芯片的引线框架的裸片焊盘部分可以被暴露在成型主体的外部。
[0010]在这方面，粘附性/强度是一个问题，特别是对于预模塑引线框架和/或使用带式键合时(例如，对于大功率应用)。
[0011]模塑化合物在裸片焊盘上收缩可以导致压缩应力，可能产生所谓的“显著”翘曲，导致树脂由于缺乏粘附性而从引线框架分离，亦即在模塑化合物与裸片焊盘之间分层。裸
片焊盘/模塑分层可以危害封装的密闭度，这是因为当安装在PCB上时裸片焊盘可以从模塑主体中被拉出。
[0012]为了改善树脂
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裸片焊盘耦合的可靠性，引线框架供应商现有的可用解决方案可以包括对裸片焊盘进行表面处理或在引线框架的(光)蚀刻下进行定制。
[0013]然而，在这种布置上执行的可靠性测试指示，在模塑化合物与欠蚀刻的裸片焊盘之间仍可能发生分层，由此产生的间隙会影响封装的密闭度。
[0014]本领域需要为解决上述问题提供改善的解决方案。

技术实现思路

[0015]本公开的目的是提供引线框架以及半导体产品，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0016]根据本公开的一方面，提供了一种用于半导体器件的引线框架，包括：裸片焊盘部分，具有第一平面裸片安装表面和与第一表面相对的第二平面表面，第一平面裸片安装表面和第二平面表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘；以及至少一个腔体，从第一平面裸片安装表面延伸穿过裸片焊盘到第二平面表面，以限定位于至少一个腔体与外围轮廓之间的裸片焊盘的锚定部分；其中至少一个腔体包括：第一蚀刻部分，延伸到第一平面裸片安装表面中到达第一深度，第一深度小于裸片焊盘的厚度；以及第二蚀刻部分，延伸到第二平面表面中到达第二深度，第二深度小于裸片焊盘的厚度；其中，第一蚀刻部分限定在至少一个腔体内的台阶表面，台阶表面与第一平面裸片安装表面平行延伸，并且第二蚀刻部分限定锚定部分的厚度，锚定部分的厚度小于裸片焊盘的厚度。
[0017]根据一个或多个实施例，其中每个腔体被配置用于接纳封装模塑化合物。
[0018]根据一个或多个实施例，其中至少一个腔体的第一蚀刻部分在第一平面裸片安装表面处限定口部，口部具有闭合轮廓并且与第一平面裸片安装表面的外围边缘相距一距离。
[0019]根据一个或多个实施例，其中第一平面裸片安装表面和第二平面表面的外围边缘相互偏移，以提供裸片焊盘的台阶状的外围轮廓，其中第一平面裸片安装表面的外围具有相对于第二平面表面突出的外围区域，其中至少一个腔体设置在第一平面裸片安装表面的突出外围区域处。
[0020]根据一个或多个实施例，其中至少一个腔体包括扣眼状腔体。
[0021]根据一个或多个实施例，其中至少一个腔体包括沿着裸片焊盘的外围轮廓分布的多个腔体。
[0022]根据一个或多个实施例，引线框架进一步包括：在引线框架上的模塑的封装模塑化合物，与第一平面裸片安装表面以及第二平面表面平齐，封装模塑化合物填充至少一个腔体。
[0023]根据一个或多个实施例，其中第一蚀刻部分和第二蚀刻部分共同形成至少一个腔体的一部分，至少一个腔体的一部分完全延伸穿过裸片焊盘的厚度。
[0024]根据本公开的一方面，提供了一种半导体产品，包括：本公开的上述方面的引线框架；以及至少一个半导体裸片，被耦合到在引线框架的裸片焊盘中的第一平面裸片安装表面。
[0025]根据一个或多个实施例，半导体产品包括：导电构造，将至少一个半导体裸片与引线框架电耦合。
[0026]根据一个或多个实施例，半导体产品包括：封装模塑化合物，包封至少一个半导体裸片，至少一个半导体裸片被耦合到在引线框架的裸片焊盘中的第一平面裸片安装表面。
[0027]根据本公开的一方面，提供了一种方法，包括：提供用于半导体器件的引线框架，引线框架包括裸片焊盘部分，裸片焊盘部分具有第一平面裸片安装表面和与第一平面裸片安装表面相对的第二平面表面，第一平面裸片安装表面和第二平面表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘；向第一平面裸片安装表面和第二平面表面应用蚀刻处理；其中蚀刻处理限定在第一平面裸片安装表面的外围处开口的腔体，腔体包括：第一蚀刻部分，延伸到第一平面裸片安装表面中到达第一深度，第一深度小于裸片焊盘的厚度；以及第二蚀刻部分，延伸到第二平面表面中到达第二深度，第二深度小于裸片焊盘的厚度；其中，第一蚀刻部分限定在至少一个腔体内的台阶表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括用于半导体器件的所述引线框架部件：裸片焊盘部分，具有第一平面裸片安装表面和与所述第一平面裸片安装表面相对的第二平面表面，所述第一平面裸片安装表面和所述第二平面表面具有共同限定所述裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘；以及至少一个腔体，从所述第一平面裸片安装表面延伸穿过所述裸片焊盘到所述第二平面表面，以限定位于所述至少一个腔体与所述外围轮廓之间的所述裸片焊盘的锚定部分；其中所述至少一个腔体包括：第一蚀刻部分，延伸到所述第一平面裸片安装表面中到达第一深度，所述第一深度小于所述裸片焊盘的厚度；以及第二蚀刻部分，延伸到所述第二平面表面中到达第二深度，所述第二深度小于所述裸片焊盘的厚度；其中，所述第一蚀刻部分限定在所述至少一个腔体内的台阶表面，所述台阶表面与所述第一平面裸片安装表面平行延伸，并且所述第二蚀刻部分限定所述锚定部分的厚度，所述锚定部分的厚度小于所述裸片焊盘的厚度。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，每个腔体被配置用于接纳封装模塑化合物。3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述至少一个腔体的所述第一蚀刻部分在所述第一平面裸片安装表面处限定口部，所述口部具有闭合轮廓，并且与所述第一平面裸片安装表面的外围边缘相距一距离。4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一平面裸片安装表面和所述第二平面表面的所述外围边缘相互偏移，以提供所述裸片焊盘的台阶状的外围轮廓，其中所述第一平面裸片安装表面的外围具有相对于所述第二平面表面突出的外围区域，其中所述至少一个腔体设置在所述第一平面裸片安装表面的突出的所述外围区域处。5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述至少一个腔体包括扣眼状腔体。6.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述至少一个腔体包括沿着所述裸片焊盘的外围轮廓分布的多个腔体。7.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，进一步包括：在所述引线框架上的模塑的封装模塑化合物层，与所述第一平面裸片安装表面以及所述第二平面表面平齐，所述封装模塑化合物层填充所述至少一个腔体。8.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一蚀刻部分和所述第二蚀刻部分共同形成所述至少一个腔体的一部分，所述至少一个腔体的一部分完全延伸穿过所述裸片焊盘的厚度。9.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：