本发明专利技术提供一种能够防止发生记录用磁场扩散导致信息被意外丢失现象的垂直磁记录头。该垂直磁记录头的主磁极层４０（前端部４０Ａ）上设置有前屏蔽板１４、２个侧屏蔽板１８Ｒ和１８Ｌ、以及后屏蔽板２０。由于在前端部４０Ａ与２个侧屏蔽板１８Ｒ、１８Ｌ之间，设置有通过ＡＬＤ法制成的厚度均一的非磁性层１５，所以间隔ＳＲ、ＳＬ在不同位置上也是相等的。与间隔ＳＲ、ＳＬ随位置的不同而改变的情况相比，能更加充分地防止记录用磁场的扩散。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以垂直磁性记录方式进行记录处理的垂直磁记录头及其制造方 法，以及装有垂直》兹记录头的^f兹记录装置。
技术介绍
近几年，随着硬盘等磁性记录介质(以下称记录介质)的面记录密度的提 高，需要提高装配在硬盘驱动器等磁记录装置上的薄膜磁头的性能。作为这种 薄膜磁头的记录方式，已知有把信号磁场的方向设定为记录介质的面内方向(长 度方向)的纵向记录方式，把与记录介质面相交叉方向设定成信号磁场方向的 垂直记录方式。在现阶段，虽然纵向记录方式^^皮广泛利用，^f旦考虑到面记录密 度逐渐提高的市场动向，认为在今后垂直记录方式能代替纵向记录方式而更被 重视。因为，这种垂直记录方式具有在线记录密度提高时已记录的记录介质不 容易受到热起伏影响等优点。垂直记录方式的薄膜磁头(以下称垂直磁记录头)具有产生记录用磁场(即 垂直磁场)的磁极。使用垂直磁记录头时，由于记录介质被记录用磁场磁化， 因此信息将^兹性地记录在该记录介质上。这种垂直磁记录头，目前公知的有具备在与空气承载面相交叉的方向上延伸的磁极的垂直磁记录头(例如参照专利文献1、 2)。这种垂直磁记录头一般 被称为单磁极型磁头。但是，单磁极型磁头在提高记录介质的记录密度的方面 存在局限性。作为最近常被使用的垂直磁记录头，为了抑制记录用磁头的扩散，并为了 防止意外删除已记录在记录介质上的信息，在磁极的周围装载了用于收拢磁束 的屏蔽板的垂直磁记录头。这种垂直磁记录头一般被称为屏蔽型磁头。这种屏 蔽板，包括有配置在记录磁轨宽度方向上的磁极两侧的两个侧屏蔽板、配置在》兹极前侧的前屏蔽^1、以及配置在》兹极后侧的后屏蔽板三种。作为具有这种屏 蔽板的垂直磁记录头的具体结构，公知的有只装载有侧屏蔽板的结构(例如参照专利文献3)、只装载有后屏蔽板的结构(例如参照专利文献4、 5)、装 载有侧屏蔽板及前屏蔽板的结构(例如参照专利文献6)、装载有侧屏蔽板及后 屏蔽板的结构(例如参照专利文献7)、装载有侧屏蔽板、前屏蔽板及后屏蔽板 的结构(例如，参照专利文献8、 9)。另外，最近在垂直磁记录头的制造领域中常使用膜厚控制性极佳的成膜方 法，即原子层沉积方法(ALD， atomic layer deposition)(例如参照非专利文献 1 )。这种ALD法是可以在150。C以上的高温条件下制造出非常薄又精密的氧化 膜、氩化膜或者金属膜的方法，而广泛用于对绝缘耐压等物理性质具有严格要 求的制造行业中。在垂直磁记录头的制造领域中，ALD法被用在读取间隙的形 成工序中(例如参照专利文献IO)。然而，在现有的屏蔽型磁头中不管是否装载有收拢磁束的屏蔽板，都不能 充分抑制记录用磁场的扩散，因此存在很难防止信息被意外删除等问题。具体 而言，伴随着面记录密度的飞跃增加，对防止意外删除信息的要求变得更佳严 格，单单装载有屏蔽板仍无法充分抑制记录用磁场的扩散。鉴于以上问题，本专利技术的目的在于提供一种垂直磁记录头及其制造方法、 以及磁记录装置，从而可以防止发生由于记录用磁场扩散而导致信息被意外删 除的情况。专利文献1 专利文献2 专利文献3 专利文献4 专利文献5 专利文献6 专利文献7 专利文献8曰本专利申请特开2002-066710号公报 曰本专利申请特开2002-197615号公报 曰本专利申请特开2004-127480号公报 曰本专利申请特开2001-250204号公报 欧洲专利申请公开第0360978号公报 美国专利第4656546号公报 曰本专利申请特开2005-192518号公报 美国专利第6954340号公报专利文献9:美国专利第7042682号公报 专利文献10:美国专利第6759081号乂/H艮非专利文献l: ALD原子层沉积装置，抹式会社TECHSCIENCE，网页 http: 〃techsc.co.jp/products/mems/ALD.htm
技术实现思路
本专利技术提供的第一垂直磁记录头，包括产生记录用磁场的磁极、以及配设在 记录磁轨宽度方向上的磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板，其中所述 磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变。本专利技术提供的第二垂直磁记录头，包括产生记录用磁场的磁极、配设在记录 磁轨宽度方向上的磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板、配置在所述磁 极的前侧并与该磁极分离的前屏蔽板、以及配置在所述磁极的后侧并与该磁极 分离的后屏蔽板，其中所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结，且同时与所述 后屏蔽板相分离。本专利技术提供的第三垂直磁记录头，包括产生记录用磁场的磁极、配置在记录 磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极分离的两个侧屏蔽板、配置在所述 磁极的前侧并与该》兹极分离的前屏蔽^L、以及配置在所述磁极的后侧并与该磁 极分离的后屏蔽板，其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并 不以位置的变化而改变，所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结且与所述后屏 蔽板相分离。另外，本专利技术提供的磁记录装置，包括有记录介质以及上述垂直 磁记录头。制造本专利技术提供的第一垂直磁记录头的方法包括在底层上形成具有开口 部的套种样式的第1工序；形成非磁性层，并使其以均等的厚度覆盖至少在所 述开口部上的所述套种样式的内壁从而缩窄该开口部的第2工序；形成产生记 录用》兹场的》兹极，从而埋入所述具有非》兹性层的开口部的第3工序；除去残存 的套种样式的第4工序；在记录磁轨宽度方向的所述磁极两侧形成通过所述非 磁性层与该磁极相隔开的两个侧屏蔽板的第5工序。制造本专利技术提供的第二垂直磁记录头的方法包括在衬底上制造前屏蔽板的第1工序；在所述前屏蔽板上形成具有开口部的套种样式的第2工序；形成 非磁性层，并使其以均等的厚度覆盖至少在所述开口部上的所述套种样式的内 壁从而缩窄该开口部的第3工序；形成产生记录用磁场的磁极，从而埋入所述 具有第一非磁性层的开口部的第4工序；除去残存的套种样式的第5工序；通 过把所述前屏蔽板作为电极膜而进行镀膜成长，从而在所述磁极两侧形成通过 所述第一非磁性层与该磁极相隔开的两个侧屏蔽板的第6工序；在所述磁极、 所述第一非磁性层以及所述两个侧屏蔽板上形成第二非磁性层的第7工序；在 所述第二非磁性层上形成后屏蔽板的第8工序。制造本专利技术提供的第三垂直磁记录头的方法包括在衬底上形成前屏蔽板 的第1工序；在所述前屏蔽板上形成具有开口部的套种样式的第2工序；形成 第一非磁性层，并使其以均等的厚度覆盖至少在所述开口部上的所述套种样式 的内壁从而缩窄该开口部的第3工序；形成产生记录用石兹场的磁极，从而埋入 所述具有第一非磁性层的开口部的第4工序；除去残存的套种样式的第5工序； 通过把所述前屏蔽板作为电极膜而进行镀膜成长，从而在所述磁极两侧形成通 过所述第一非磁性层与该磁极相隔开的两个侧屏蔽板的第6工序；在所述磁极、 所述第一非磁性层以及所述两个侧屏蔽板上形成第二非磁性层的第7工序；在 所述第二非磁性层上形成后屏蔽板的第8工序。在本专利技术提供的第一垂直磁记录头或其制造方法中，由于磁极与两个侧屏 蔽板之间的间隔固定且不因位置变化而改变，这与该间隔随位置变化而改变的 情况相比较，侧屏蔽板更容易收拢磁束的扩散。在本专利技术提供的第二垂直磁记 录头或其制造方法中，由于两个侧屏蔽板与前屏蔽本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种垂直磁记录头，其特征在于：包括产生记录用磁场的磁极；以及配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板，其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-10 2006-3054981.一种垂直磁记录头，其特征在于包括产生记录用磁场的磁极；以及配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁极相分离的两个侧屏蔽板，其中所述磁极与所述两个侧屏蔽板之间的间距是固定的并不以位置的变化而改变。2. 如权利要求1所述的垂直磁记录头，其特征在于至少在所述磁极与所述两 个侧屏蔽板之间配设有以原子层沉积方法形成的均等厚度的非磁性层。3. 如权利要求1或2所述的垂直磁记录头，其特征在于在所述^兹极的后侧配 置有与该》兹极分离的后屏蔽板。4. 如权利要求1至3中的任意一项所述的垂直磁记录头，其特征在于在所述 磁极的前侧配置有与该磁极分离的前屏蔽板。5. 如权利要求1至4中的任意一项所述的垂直^兹记录头，其特征在于接近空 气承载面 一侧的所述磁极的横截面呈倒梯形形状。6. —种垂直磁记录头，其特征在于包括 产生记录用磁场的磁极；配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该i兹极分离的两个侧屏蔽 板；配置在所述磁极的前侧并与该磁极分离的前屏蔽板； 配置在所述磁极的后侧并与该磁极分离的后屏蔽板， 其中所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结，且同时与所述后屏蔽板相分离。7. 如权利要求6所述的垂直磁记录头，其特征在于所述前屏蔽板是用于成长 镀膜的电极膜；所述两个侧屏蔽板是把所述前屏蔽板作为电极膜并选择性地成 长镀膜而形成的。8. —种垂直磁记录头，其特征在于包括 产生记录用磁场的磁极；配置在记录磁轨宽度方向上的所述磁极两侧并与该磁才及分离的两个侧屏蔽 板；配置在所述磁极的前侧并与该^兹极分离的前屏蔽板； 配置在所述》兹才及的后侧并与该^i极分离的后屏蔽4反，而改变，所述两个侧屏蔽板与所述前屏蔽板连结且与所述后屏蔽板相分离。9. 如权利要求8所述的垂直磁记录头，其特征在于所述后屏蔽板在其后方 通过连结用磁性体与所述磁极相连结。10. —种磁记录装置，其包括记录介质以及权利要求1至9中的任意一项所 述的垂直石兹记录头。11. 如权利要求IO所述的磁记录装置，其特征在于所述记录介质包含分别设 置在所述垂直磁记录头的近侧及远侧的磁化层以及软磁性层。12. —种垂直》兹记录头的制造方法，其包括以下工序 第一工序在衬底上形成具有开口部的套种样式；第二工序形成非磁性层，并使其以均等的厚度覆盖至少在所述开口部上的 所述套种样式的内壁，从而使该开口部变窄；第三工序形成产生记录用磁场的磁极，从而埋入所述具有非磁性层的开口部；第四工序除去残存的套种样式；第五工序在记录磁轨宽度方向的所述磁极两侧形成通过所述非磁性层与该 磁极相隔开的两个侧屏蔽板。13. 如权利要求12所述的垂直磁记录头的制造方法，其特征在于在所述第二 工序中使用原子层沉积方法形成所述非磁性层。14....
【专利技术属性】
技术研发人员：的野直人，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]
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