用于离子受控注入的衬底和制备用于离子受控注入的衬底的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于将离子(80)受控注入本体(20)中的衬底(10)以及一种制备所述衬底(10)的方法。所述衬底(10)包括由晶体第一材料(70)组成的所述本体(20)，所述本体(20)包括注入部(28)和表面(22)，其中所述注入部(28)位于所述本体(20)内部，并且沿着注入方向(82)在所述本体(20)的所述表面(22)上注入区域(24)下方的注入深度(26)处。方的注入深度(26)处。方的注入深度(26)处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于离子受控注入的衬底和制备用于离子受控注入的衬底的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于将离子受控注入本体中的衬底，所述衬底包括由晶体第一材料组成的所述本体，所述本体包括注入部和表面，其中所述注入部位于所述本体内，并且沿注入方向在所述本体的所述表面上注入区域下方的注入深度处。此外，本专利技术涉及一种制备用于将离子受控注入本体中的衬底的方法，优选上述衬底，所述衬底包括由晶体第一材料组成的所述本体，所述本体包括注入部和表面，其中所述注入部位于所述本体内，并且沿注入方向在所述本体的所述表面上注入区域下方的注入深度处。

技术介绍

[0002]离子注入是例如用于掺杂半导体的公知步骤。特别是，单离子注入是为硅中大规模量子处理创建单供体量子位的主要方式之一。遗憾的是，由于晶体介质和非晶介质中粒子3D传播的统计特性，粒子静止的最终位置的横向偏移可能会很大。因此，难以实现注入离子，尤其是注入单离子的精确冲击定位，从而降低了此种单离子注入的最终效果。更重要的是，众所周知，晶体材料具有开放的通道和平面，粒子，尤其是注入的离子，可以沿这些通道和平面进一步纵向和横向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于将离子(80)受控注入本体(20)中的衬底(10)，所述衬底(10)包括由晶体第一材料(70)组成的所述本体(20)，所述本体(20)包括注入部(28)和表面(22)，其中所述注入部(28)位于所述本体(20)内部，并且沿着注入方向(82)在所述本体(20)的所述表面(22)上的注入区域(24)下方的注入深度(26)处，其特征在于，所述衬底(10)还包括由所述第一材料(70)组成的导柱(30)，所述导柱(30)位于所述注入区域(24)处并沿所述注入方向(82)的反方向延伸而远离所述本体(20)的所述表面(22)，并且其中所述导柱(30)被由第二材料(72)组成的缓冲层(50)以垂直于所述注入方向(82)的方式包围，所述缓冲层(50)覆盖所述本体(20)的所述表面(22)和所述导柱的侧面(32)。2.根据权利要求1的衬底(10)，其特征在于，所述导柱(30)的辐照表面(36)未被所述缓冲层(50)覆盖，所述辐照表面(36)位于所述导柱(30)关于所述注入方向(82)与所述本体(20)相对的端部(34)处，优选地其中所述辐照表面(36)与所述缓冲层(50)间隔开，可选地其中所述导柱(30)沿所述注入方向(82)的高度(40)至少与沿所述注入方向(82)测量的所述缓冲层(50)的厚度(52)尺寸相同。3.根据权利要求1或2的衬底(10)，其特征在于，所述本体(20)中所述第一材料(70)的晶体结构在所述导柱中延续。4.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述衬底(10)包括相对于多个注入部(28)相应地布置的多个导柱(30)，特别是相同的导柱(30)，优选地其中所述多个导柱(30)以阵列形式设置，可选地，所述多个导柱(30)中每个导柱(30)的高度(40)均相同。5.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述第一材料(70)不同于所述第二材料(72)。6.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述第一材料(70)是晶体半导体，优选是硅或类金刚石碳。7.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述第二材料(72)是非晶体材料，尤其是氧化物或氮化物，优选是所述第一材料(70)的多晶形式。8.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述注入区域(24)的覆盖面积小于1
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1μm2，尤其小于100
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100nm2，优选为7
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7nm2。9.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述导柱(30)垂直于所述注入方向(82)的截面大于所述注入区域(24)，尤其是所述注入区域(24)的两倍大，优选地是所述注入区域(24)的十倍大。10.根据前述权利要求之一的衬底(10)，其特征在于，所述导柱(30)的轴线(38)与所述注入方向(82)共线或至少基本上共线。11.根据前述权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：百及纳米科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：